Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТайвань полупроводник (804)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Упаковка | Завершение | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Количество терминаций | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Свинцовый шаг | Код ECCN | Номинальное входное напряжение | HTS -код | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Терпимость | Полярность | Напряжение | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Терминал | Подсчет штифтов | Точность | Время@Пиковой температуру (я) | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Мин входное напряжение | Отметное напряжение | Вывод типа | Конфигурация | Номинальное выходное напряжение | Количество выходов | Крыжительный ток | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин) | Входное напряжение (макс) | Power Dissipation-Max | Тип регулятора | Напряжение - выход | Точность выходного напряжения | Ток - выход | Вывод Current1-Max | Рабочая температура TJ-MAX | Ссылка на напряжение | Ток - входной смещение | Eccn (США) | Минимальная рабочая температура (° C) | Максимальная рабочая температура (° C) | Стандартное имя пакета | Пакет поставщиков | Монтаж | Высота упаковки | Длина упаковки | Ширина упаковки | Печата изменилась | Уровень температуры поставщика | HTS | Форма свинца | Максимальная рассеяние мощности (МВт) | Военный | Максимальное обратное напряжение постоянного тока (V) | Пиковое обратное повторяющееся напряжение (V) | Максимальный непрерывный форвардный ток (а) | Пик невторивный ток всплеска (а) | Пиковое прямое напряжение (V) | Пик обратный ток (UA) | Пиковое время восстановления (нс) | Вкладка | Максимальное сопротивление атмосферного сопротивления | Квалифицированный номер AEC | Тип моста | Пик среднего тока вперед (а) | Пиковое среднеквадратичное обратное напряжение (V) | Пик нерепетитивный переход первого перерыва (а) | AEC квалифицирован |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ESH3CHV7G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-esh3bhv6g-datasheets-9098.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 175 | SMC | Поверхностное крепление | 2.42 (макс) | 7.11 (макс) | 6.22 (макс) | 2 | Автомобиль | Внутренний L-лид | Нет | 150 | 150 | 3 | 125 | 0,9 | 5 | 20 | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S5DHV7G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-s5ahv7g-datasheets-6610.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | SMC | Поверхностное крепление | 2.42 (макс) | 7.11 (макс) | 6.22 (макс) | 2 | Автомобиль | Внутренний L-лид | Нет | 200 | 200 | 5 | 100 | 1.15 | 10 | 1500 (тип) | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF5100 C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sraf530c0-datasheets-2345.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS70-06 RF | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-bas7006rfg-datasheets-5405.pdf | 3 | Двойной общий анод | -55 | 125 | SOT-23 | SOT-23 | Поверхностное крепление | 1.1 (макс) | 3 (макс) | 1.4 (макс) | 3 | 8541.10.00.80 | 200 | 70 | 70 | 0,07 | 0,1 | [Электронная почта защищена] | 0,1@50V | 5 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBL105GHC1G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hdbl106ghc1g-datasheets-4514.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFS1004GHRN | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sfs1005ghrn-datasheets-1706.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До 263 | D2Pak | Поверхностное крепление | 4.7 (макс) | 10.5 (макс) | 9.25 (макс) | 2 | Автомобиль | Чайка | Нет | 200 | 200 | 10 | 125 | 0,975@5a | 1 | 35 | Вкладка | AEC-Q101 | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ht16ghr0g | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ht13ghr0g-datasheets-8529.pdf | 2.7 (макс) | 2 | Одинокий | -55 | 150 | TS-1 | Через дыру | 3.3 (макс) | 2 | Автомобиль | Нет | 600 | 600 | 1 | 30 | 1.7 | 5 | 75 | AEC-Q101 | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sdlwhrvg | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sglwhrvg-datasheets-1642.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | SOD-123W | Поверхностное крепление | 0,92 (макс) | 2.9 (макс) | 1.9 (макс) | 2 | Автомобиль | Нет | 200 | 0,8 | 20 | 1.1 | 1 | AEC-Q101 | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFS1007G RN | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sfs1005ghrn-datasheets-1706.pdf | 3 | Двойной общий катод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2Gal M2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-s2kalm2g-datasheets-7986.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2JA R3 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-es2har3-datasheets-0811.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | Внутренний L-лид | Нет | 600 | 600 | 2 | 50 | 1.7 | 10 | 35 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS110 R3 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss115hr3-datasheets-9336.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | Внутренний L-лид | Нет | 100 | 1 | 40 | 0,8 | 100 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS16 F2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss115hr3-datasheets-9336.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | 8541.10.00.80 | Внутренний L-лид | Нет | 60 | 1 | 40 | 0,75 | 200 | 88 ° C/W (тип) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC4006 T0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-gbpc5006t0-datasheets-2175.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR305SBHM4G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-mur310sbm4g-datasheets-9990.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 175 | Малый | Поверхностное крепление | 2.41 (макс) | 4.75 (макс) | 3.73 (макс) | 2 | Автомобиль | Внутренний L-лид | Нет | 50 | 3 | 75 | 0,9 | 5 | 25 | AEC-Q101 | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78L12CSRL | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 150 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | /files/taiwansemiconductor-ts78l12csrl-datasheets-9239.pdf | Соп | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 35 В. | 4% | Положительный | 4 % | 150 мА | 1,7 В. | Зафиксированный | 1 | 6,5 мА | 12 В | 4 % | 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78M06CZC0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | ROHS COMPARINT | До-220 | 3 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1 | 4% | НЕТ | ОДИНОКИЙ | Сквозь дыру | Не квалифицирован | R-XSFM-T3 | 6 В | 8,5 В. | 25 В | Фиксированный положительный единый выходной регулятор | 6 В | 0,5а | 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78L09CT | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts78l09ct-datasheets-0970.pdf | До 92 | 4,7 мм | Нет SVHC | 3 | 35 В. | 35 В. | Положительный | 35 В. | 2 В | Зафиксированный | 9 В | 1 | 9.36V | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS1084CM-2.5 | Тайвань полупроводник | $ 0,09 | Мин: 1 Mult: 1 | SMD/SMT | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | До 263 | 10,5 мм | Нет SVHC | 12 В | 7 В | 3 | 2,66 мм | 7 В | 12 В | 2,5 В. | 5A | 2,5 В. | 4 В | 1,5 В. | Зафиксированный | 2,5 В. | 1 | 15 Вт | 2,5 В. | 5A | 1.275V | 8 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78M24CP | Тайвань полупроводник | $ 0,67 | Мин: 1 Mult: 1 | Вырезать ленту | SMD/SMT | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | До 252 | 6,84 мм | Нет SVHC | 40 В | 21В | 3 | 2,67 мм | 40 В | 40 В | Положительный | 24 В | 500 мА | 24.96V | 40 В | 2 В | Зафиксированный | 24 В | 1 | 24.96V | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS2937CP-5.0RO | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | Вырезать ленту | SMD/SMT | 125 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | До 252 | 6,5 мм | 6,84 мм | 2 | Нет SVHC | 26 В | 6 В | 3 | 2,67 мм | Ear99 | 26 В | 1 | 26 В | Положительный | 5 В | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 2,29 мм | НЕ УКАЗАН | R-PSSO-G2 | 500 мА | 5 В | -18V | 600 мВ | Зафиксированный | 5 В | 1 | 5 В | 5 В | 2 % | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK29AHE2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-sk24ae3g-datasheets-2321.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS2KA-T R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hs2datr2g-datasheets-3194.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | Нет | 800 | 800 | 2 | 124 | 1.7 | 5 | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS35 R7 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss33r7g-datasheets-3509.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AB | SMC | Поверхностное крепление | 2.42 (макс) | 7.11 (макс) | 6.22 (макс) | 2 | Внутренний L-лид | Нет | 50 | 50 | 3 | 70 | 0,75 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SR3030PT C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sr3040pthc0-datasheets-4384.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 125 | До 3p | До 3p | Через дыру | 21,3 (макс) | 16.4 (макс) | 5.16 (макс) | 3 | Через дыру | Нет | 30 | 30 | 30 | 300 | 0,55@15a | 1000 | Вкладка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P04G D2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts10p07gd2-datasheets-1517.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | TS-6p | Через дыру | 20,3 (макс) | 30,3 (макс) | 4.8 (макс) | 4 | Нет | 400 | 1.1 | 10 | Одиночная фаза | 10 | 280 | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBL404 T0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-kbl407t0-datasheets-6504.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS24LWHRQG | Тайвань полупроводник | $ 0,44 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss26lwhrqg-datasheets-6624.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RSFBL R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rsfmlhr2-datasheets-6748.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-219-AA | Субма | Поверхностное крепление | 1.33 (макс) | 2.9 (макс) | 1.9 (макс) | 2 | Плоский | Нет | 100 | 0,5 | 10 | 1.3 | 5 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAS840HRNG | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-sras890hrng-datasheets-9926.pdf | 3 | Одиночный двойной катод |
