Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТайвань полупроводник (804)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Упаковка | Завершение | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Количество терминаций | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Свинцовый шаг | Код ECCN | Радиационное упрочнение | Номинальное входное напряжение | Достичь кода соответствия | HTS -код | Метод упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Терпимость | Полярность | Напряжение | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Терминал | Подсчет штифтов | Точность | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Мин входное напряжение | Мин выходной напряжение | Отметное напряжение | Вывод типа | Конфигурация | Номинальное выходное напряжение | Количество выходов | Крыжительный ток | Сторожевой таймер | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин) | Входное напряжение (макс) | Тип регулятора | Напряжение - выход | Обратное напряжение1-ном | Точность выходного напряжения | Нагрузка по регулированию-макс (%) | Линейный регулирование-макс (%/v) | Регулируемость | Ток - выход | Dropout Voltage1-Max | Выходное напряжение1-макс | Толерантность к напряжению | Выходное напряжение1 мин | Входное напряжение Absolute-Max | Вывод Current1-Max | Рабочая температура TJ-MAX | Рабочая температура TJ-Min | Ток - входной смещение | Eccn (США) | Минимальная рабочая температура (° C) | Максимальная рабочая температура (° C) | Стандартное имя пакета | Пакет поставщиков | Монтаж | Высота упаковки | Длина упаковки | Ширина упаковки | Печата изменилась | Минимальное напряжение рабочего питания (v) | Максимальное напряжение работы питания (V) | Типичное напряжение рабочего питания (V) | Уровень температуры поставщика | HTS | Форма свинца | Военный | Максимальное обратное напряжение постоянного тока (V) | Пиковое обратное повторяющееся напряжение (V) | Максимальный непрерывный форвардный ток (а) | Пик невторивный ток всплеска (а) | Пиковое прямое напряжение (V) | Пик обратный ток (UA) | Пиковое время восстановления (нс) | Вкладка | Квалифицированный номер AEC | Ручное сброс | Тип моста | Пик среднего тока вперед (а) | Пиковое среднеквадратичное обратное напряжение (V) | Пик нерепетитивный переход первого перерыва (а) | Количество руководителей | Максимальное сброс активного времени (MS) | Выходной драйвер | Минимальное пороговое напряжение сброса (V) | Типичное пороговое напряжение сброса (V) | Максимальное пороговое напряжение сброса (V) | Контролируемое напряжение (v) | Максимальный ток снабжения (UA) | Обнаружение сбоя энергии | Чип включает сигналы | Переключение резервного копирования батареи | AEC квалифицирован |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DBL157G-T CBG | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-dbl155gtcbg-datasheets-7277.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DBL | Через дыру | 2.6 (макс) | 8.51 (макс) | 6,5 (макс) | 4 | Нет | 1000 | 1.1 | 2 | Одиночная фаза | 1.5 | 700 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSD30H150CW C0G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-tsd30h100cwc0g-datasheets-4412.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До 263 | D2Pak | Поверхностное крепление | 4.7 (макс) | 10.5 (макс) | 9.25 (макс) | 2 | Чайка | Нет | 150 | 30 | 200 | 0,9@15a | 150 | Вкладка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Es3abhr5g | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-es3gbr5g-datasheets-5344.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGF1007GA C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ugf1004gac0g-datasheets-1461.pdf | 3 | Двойной общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US1D R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-us1br3g-datasheets-0118.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2DHR4 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-s2mr4-datasheets-8263.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS5KHV7G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-hs5ahv7g-datasheets-4913.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HER208G R0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-her208gr0-datasheets-8614.pdf | 3.6 (макс) | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-204-AC | До-15 | Через дыру | 7.6 (макс) | 2 | Через дыру | Нет | 1000 | 1000 | 2@ta = 55c | 60 | 1.7 | 5 | 75 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P06G C2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts10p01gc2-datasheets-8958.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | TS-6p | TS-6p | Через дыру | 20,3 (макс) | 30,3 (макс) | 4.8 (макс) | 4 | 8541.10.00.80 | Через дыру | Нет | 800 | 1.1 | 10 | Одиночная фаза | 10 | 560 | 200 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS2AHM4G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs2bhr5g-datasheets-8399.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AA | Малый | Поверхностное крепление | 2.41 (макс) | 4.75 (макс) | 3.73 (макс) | 2 | Автомобиль | J-Lead | Нет | 50 | 50 | 2 | 50 | 1.3 | 5 | 150 | AEC-Q101 | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Es3abhm4g | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-es3gbr5g-datasheets-5344.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Малый | Поверхностное крепление | 2.41 (макс) | 4.75 (макс) | 3.73 (макс) | 2 | Автомобиль | Внутренний L-лид | Нет | 50 | 3 | 100 | 1 | 10 | 35 | AEC-Q101 | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGF1006GA C0G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ugf1004gac0g-datasheets-1461.pdf | 3 | Двойной общий анод | Ear99 | -55 | 175 | До-220 | Ito-220AB | Через дыру | 15,5 (макс) | 10.3 (макс) | 4.7 (макс) | 3 | Нет | 400 | 400 | 10 | 70 | 1.25@5a | 10 | 20 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS1JL R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hs1glr2g-datasheets-6935.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBL207 C2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-gbl205c2-datasheets-7408.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Дело GBL | Дело GBL | Через дыру | 11.3 (макс) | 20,3 (макс) | 3.7 (макс) | 4 | Нет | 1000 | 1@1a | 5 | Одиночная фаза | 2 | 700 | 60 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HER604GHR0G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-her606ghr0g-datasheets-7586.pdf | 7.2 (макс) | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFAF804G C0 | Тайвань полупроводник | $ 0,20 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sfaf808gc0-datasheets-5097.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | До-220 | Ито-220AC | Через дыру | 15,5 (макс) | 10.3 (макс) | 4.7 (макс) | 2 | Через дыру | Нет | 200 | 200 | 8 | 125 | 0,95 | 10 | 35 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS2KHR5G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs2bhr5g-datasheets-8399.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AA | Малый | Поверхностное крепление | 2.41 (макс) | 4.75 (макс) | 3.73 (макс) | 2 | Автомобиль | J-Lead | Нет | 800 | 800 | 2 | 50 | 1.3 | 5 | 500 | AEC-Q101 | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS1117BCP50R0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | SMD/SMT | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts1117bcp50r0-datasheets-5832.pdf | До 252 | Нет SVHC | 12 В | 6,5 В. | 3 | 15 В | Положительный | 15 Вт | 800 мА | 5,1 В. | 0 В | 4,9 В. | 1,3 В. | 5 В | 1 | 10 мА | 5 В | 2 % | 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS2951CS50RL | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Вырезать ленту | Биполярный | 1,75 мм | ROHS COMPARINT | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | Ear99 | соответствие | 8542.39.00.01 | Лента и катушка | 1 | ДА | Двойной | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | НЕ УКАЗАН | Другие регуляторы | Не квалифицирован | R-PDSO-G8 | 1 | 5 В | 6 В | 30 В | Фиксированный положительный отдельный выходной регулятор LDO | 0,38 В. | 0,015% | 0,01% | Фиксированный/регулируемый | 0,45 В. | 5,1 В. | 2,5% | 4,9 В. | 30 В | 0,15а | 125 ° C. | -40 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS7805CZC0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Через дыру | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | До-220 | 10,5 мм | 9,02 мм | 4,83 мм | 3 | 3 | Ear99 | Нет | 1 | 35 В. | Положительный | ОДИНОКИЙ | 4 % | 2.2a | 2 В | Зафиксированный | 1 | 8 мА | 5 В | 5 В | 4 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78L08CSRL | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | Лента и катушка | 150 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | Соп | 8 | 35 В. | 4% | Положительный | 1 | 6ma | 8 В | 4 % | 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS78L05acyrm | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 150 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | SOT-89 | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | 3 | 3 | Ear99 | Нет | 1 | 35 В. | Положительный | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 4 % | 150 мА | 1,7 В. | Зафиксированный | 1 | 6ma | 5 В | 5 В | 4 % | 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS2940CM-3.3 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Вырезать ленту | SMD/SMT | 125 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | До 263 | 10,5 мм | Нет SVHC | 26 В | 8,3 В. | 3 | 2,66 мм | 26 В | 26 В | 3,3 В. | 1A | 3,3 В. | -18V | 600 мВ | Зафиксированный | 3,3 В. | 1 | 3,3 В. | 1A | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ht12gha0g | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Боеприпасы | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-ht13ghr0g-datasheets-8529.pdf | 2.7 (макс) | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK25A F2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-sk24ae3g-datasheets-2321.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS2MA-T R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs2jatm2g-datasheets-5669.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | Нет | 1000 | 1000 | 2 | 124 | 1.3 | 5 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS824CX5B RF | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts823cx5arf-datasheets-5431.pdf | 5 | Да | Ear99 | -40 | 125 | SOT-23 | SOT-25 | Поверхностное крепление | 3.1 (макс) | 1.8 (макс) | 5 | 1 | 5.5 | 5 | Чайка | Да | 1 | 280 | Активный высокий/активный низкий | 4.31 | 4.38 | 4.45 | 3 | 5 | 3.3 | 10 | Нет | Нет | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2MA-T R3G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-s2gatm2g-datasheets-9727.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5406G-K B0G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-1n5400gkbb0g-datasheets-9273.pdf | 5.6 (макс) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS1J-K M2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hs1jkr3g-datasheets-9499.pdf | 2 | Одинокий |
