Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc. (1840)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Напряжение - оценка Частота Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Количество терминаций Время выполнения завода Код ECCN Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминальная отделка Справочный стандарт Поверхностное крепление Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Базовый номер детали Время@Пиковой температуру (я) Количество элементов Прирост Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Полярность/Тип канала DS Breakdown Trastage-Min Технология FET Питание - выход Текущий рейтинг (AMP) Ток - тест Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Тип транзистора Напряжение - тест
BLF8G27LS-150GVJ BLF8G27LS-150GVJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,6 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf8g27ls150vu-datasheets-8056.pdf SOT-1244C 6 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной Крыло Печата НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 18 дБ R-CDSO-G6 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 45 Вт 1.3a LDMOS 28 В
BLF882U BLF882U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 104V 705 МГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf882u-datasheets-1065.pdf SOT-502A 2 13 недель Ear99 неизвестный E4 ЗОЛОТО IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 20,6db R-CDFM-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 104V Металлический полупроводник 200 Вт 100 мА LDMOS 50 В
CLF1G0035S-100PU CLF1G0035S-100PU Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 150 В. 3 ГГц Режим истощения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc-clf1g0035100pu-datasheets-1101.pdf SOT-1228B 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ CLF1G0035 2 14 дБ R-CDFP-F4 Нитрид галлия Общий источник, 2 элемента ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 150 В. Высокая электронная подвижность 100 Вт 100 мА Хемт 50 В
BLF7G21L-160P,118 BLF7G21L-160P, 118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц Не совместимый с ROHS 2010 год /files/ampleonusainc blf7g21ls160p118-datasheets-1268.pdf SOT-1121A BLF7G21 18 дБ Ld 45 Вт 32,5А 1.08a LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLS6G2933P-200,117 BLS6G2933P-200,117 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 60 В 2,9 ГГц ~ 3,3 ГГц 2008 /files/ampleonusainc bls6g2933p200117-datasheets-1340.pdf SOM038 11 дБ 215 Вт 66а 100 мА LDMOS 32V
BLL6G1214L-250,112 BLL6G1214L-2550,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 89 В 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc bll6g1214l250112-datasheets-1393.pdf SOT-502A 2 Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 15 дБ R-CDFM-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 91,5 В. Металлический полупроводник 250 Вт 150 мА 59а LDMOS 36 В
BLF2425M6LS180P,11 BLF2425M6LS180P, 11 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,45 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blf2425m6ls180p11-datasheets-1660.pdf SOT539B 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF2425 НЕ УКАЗАН 2 13.3db R-CDFP-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 180 Вт 10 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF8G27LS-100PJ BLF8G27LS-100PJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blf8g27ls100pj-datasheets-1814.pdf SOT-1121B 4 Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 2 18 дБ R-CDFP-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 25 Вт 860 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLM7G24S-30BGY BLM7G24S-30BGY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blm7g24s30bgy-datasheets-1945.pdf SOT-1212-2 Ear99 неизвестный 31,5db 1,6 Вт 75 мА LDMOS 28 В
BLC9G27LS-150AVZ BLC9G27LS-150AVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,69 ГГц Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blc9g27ls150avz-datasheets-2068.pdf SOT1275-1 15 дБ DFM6 150 Вт 400 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF6G27LS-40PHJ BLF6G27LS-40PHJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Не совместимый с ROHS 17,5db 450 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF6G10S-45,112 BLF6G10S-45,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Масса 1 (неограниченный) 65 В 922,5 МГц ~ 957,5 МГц Не совместимый с ROHS 2013 /files/ampleonusainc blf6g10s45112-datasheets-3035.pdf SOT-608B BLF6G10 23 дБ CDFM2 1 Вт 13а 350 мА LDMOS 28 В
BLF6G22-180RN,112 BLF6G22-180RN, 112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц 2008 /files/ampleonusainc blf6g22180rn112-datasheets-3208.pdf SOT-502A BLF6G22 16 дБ Ld 40 Вт 49а 1.4a LDMOS 30 В
BLA1011-200R,112 BLA1011-200R, 112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 75 В. 1,03 ГГц ~ 1,09 ГГц 2009 /files/ampleonusainc-la1011200R112-datasheets-3698.pdf SOT-502A BLA1011 13 дБ 200 Вт 150 мА LDMOS 36 В
BLS2933-100,112 BLS2933-100,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,9 ГГц ~ 3,3 ГГц 2006 /files/ampleonusainc bls2933100112-datasheets-3778.pdf SOT-502A 8 дБ 100 Вт 12A 20 мА LDMOS 32V
BLF7G27L-100,118 BLF7G27L-100,118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Не совместимый с ROHS 2010 год /files/ampleonusainc blf7g27l100118-datasheets-3910.pdf SOT-502A BLF7G27 18 дБ Ld 20 Вт 28а 900 мА LDMOS 28 В
BLM8G0710S-60PBY BLM8G0710S-60PBY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 957,5 МГц 2011 год /files/ampleonusainc blm8g0710s60pbgy-datasheets-8104.pdf SOT-1211-2 13 недель 36.2db 16-HSOPF 6 Вт 60 мА LDMOS (двойной) 28 В
BLF645,112 BLF645,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 1,3 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 /files/ampleonusainc blf645112-datasheets-8103.pdf SOT-540A 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 16,5db R-CDFM-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 100 Вт 32а 900 мА 32а LDMOS (двойной), общий источник 32V
BLC2425M10LS500PZ BLC2425M10LS500PZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать 3 (168 часов) 65 В 2,4 ГГц ~ 2,5 ГГц ROHS3 соответствует /files/ampleonusainc blc2425m10ls500pz-datasheets-8459.pdf SOT1250-1 13 недель 14.5db 500 Вт 4,2 мкА 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 32V
BLC9G22XS-400AVTZ BLC9G22XS-400AVTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,2 ГГц ROHS3 соответствует 2010 год /files/ampleonusainc blc9g22xs400avtz-datasheets-8953.pdf SOT-1258-4 13 недель 15.3db 580 Вт 810 мА LDMOS 32V
BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-200rn: 11 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 871,5 МГц ~ 891,5 МГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2009 /files/ampleonusainc blf6g10200rn112-datasheets-3153.pdf SOT-502B 2 13 недель Ear99 IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF6G10 НЕ УКАЗАН 1 20 дБ R-CDFP-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 40 Вт 49а 1.4a 49а LDMOS 28 В
BLC10G18XS-301AVTZ BLC10G18XS-301AVTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 1,805 ГГц ~ 1,88 ГГц ROHS3 соответствует /files/ampleonusainc blc10g18xs3011avtz-datasheets-9250.pdf SOT-1275-1 13 недель 15,6db 300 Вт 300 мА LDMOS (двойной) 30 В
BLA9H0912LS-700GU BLA9H0912LS-700GU Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать 1 (неограниченный) 106 В 960 МГц ~ 1,215 ГГц /files/ampleonusainc-la9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf SOT-502E 13 недель 20 дБ 700 Вт 2,8 мкА 100 мА LDMOS 50 В
BLS6G2731-120,112 BLS6G2731-120,112 Ampleon USA Inc. $ 319,73
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 60 В 2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bls6g2731120112-datasheets-9459.pdf SOT-502A 2 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLS6G2731 НЕ УКАЗАН 1 13,5db R-CDFM-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 60 В Металлический полупроводник 120 Вт 33а 100 мА 33а LDMOS 32V
BLA9G1011LS-300GU BLA9G1011LS-300GU Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 1,03 ГГц ~ 1,09 ГГц /files/ampleonusainc-la9g1011l300u-datasheets-7707.pdf SOT-502B 13 недель 21.8db 317 Вт 4,2 мкА 100 мА LDMOS 32V
BLF8G22LS-200GV,12 BLF8G22LS-200GV, 12 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf8g22ls200gvj-datasheets-9976.pdf SOT-1244C 6 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной Крыло Печата НЕ УКАЗАН BLF8G22 НЕ УКАЗАН 1 19db R-CDSO-G6 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 55 Вт 2A LDMOS 28 В
BLF2425M7L250P,118 BLF2425M7L250P, 118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,45 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год /files/ampleonusainc blf2425m7l250p112-datasheets-8984.pdf SOT539A 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF2425 НЕ УКАЗАН 2 15 дБ R-CDFM-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 250 Вт 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF7G27LS-150P,118 BLF7G27LS-150p, 118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 1998 /files/ampleonusainc blf7g27l150p118-datasheets-1238.pdf SOT539B 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF7G27 НЕ УКАЗАН 2 16,5db R-CDFP-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 30 Вт 37а 1.2a 37а LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLS7G2933S-150,112 BLS7G2933S-150,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 60 В 2,9 ГГц ~ 3,3 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bls7g2933s150112-datasheets-3163.pdf SOT922-1 2 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 13,5db R-CDFP-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 150 Вт 33а 100 мА 33а LDMOS 32V
BLF0910H6L500U BLF0910H6L500U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 114,5 В. 900 МГц ~ 930 МГц /files/ampleonusainc blf0910h6ls500u-datasheets-0468.pdf SOT-502A 13 недель 19db 500 Вт 2,8 мкА 90 мА LDMOS 50 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.