ТТ Электроникс/Оптек Технология

ТТ Электроникс/Оптек Технология(4930)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Радиационная закалка Мощность Количество каналов Рассеяние мощности Время ответа Количество элементов Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Расстояние срабатывания Конфигурация выхода Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Обратное напряжение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Доминирующая длина волны Пиковая длина волны Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
OPB890L11 ОПБ890Л11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB611 ОПБ611 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb611-datasheets-7997.pdf Модуль, контакты ПК, тип слота Пересечение луча 100мВт 1,6 В 0,15 (3,8 мм) Транзистор, резистор база-эмиттер 24В 24В 30 мА 50 мА 890 нм 24В 30 мА
OPB100-EZ ОПБ100-ЭЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Прикрепить Оснастка -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 Нет 142 МВт 250мВт 1 30В 20 мА 1,7 В 25° Купол 500 нс 200 нс 12 (304,8 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 50 мА 100 мА 880 нм 890 нм 880 нм 30В 50 мА
OPB100Z ОПБ100Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Прикрепить Оснастка -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Свинцовый провод 80°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 250мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 20 мА 1,7 В 25° 12 (304,8 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 50 мА 100 мА 880 нм 880 нм 30В 50 мА
OPB370N55 ОПБ370Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 8 недель 4 Нет 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB821S3Z ОПБ821С3З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 10 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 50 мА 890 нм 30В
OPB830W51Z ОПБ830W51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 23,75 мм 20 мА 10,54 мм 6,35 мм 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30В 50 мА 1,7 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 880 нм 30В 30 мА
OPB370T51 ОПБ370Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB390T55Z ОПБ390Т55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 20 мА Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 30В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB390L11Z ОПБ390L11Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча Без свинца 10 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB890T51Z ОПБ890Т51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB830L55 ОПБ830L55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча Без свинца 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB876T55 ОПБ876Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB880T11Z ОПБ880Т11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB882T51Z ОПБ882Т51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB202 ОПБ202 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb202-datasheets-1542.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 3 мкс, 4 мкс 0,110 (2,79 мм) Фототранзистор 30В 20 мА 50 мА 30В 20 мА
OPB365P51 ОПБ365П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB390L11 ОПБ390L11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB660T ОПБ660Т ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb660n-datasheets-9078.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 10 мА 1,6 В 10 недель Неизвестный 4 200мВт Инфракрасный (ИК) 24В 50 мА 1,6 В 0,125 (3,18 мм) Транзистор, резистор база-эмиттер 24В 24В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 24В 30 мА
OPB821S5 ОПБ821С5 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 1 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30В 30В 50 мА 30В
OPB827D ОПБ827Д ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB846L55 ОПБ846L55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB850-1 ОПБ850-1 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Прикрепить Оснастка -20°К~75°К Масса 1 (без ограничений) 75°С -20°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. Модуль, предварительно смонтированный Оптический флаг 4 Транзистор, резистор база-эмиттер 24В 20 мА 50 мА 24В 20 мА
OPB847TXV ОПБ847TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847tx-datasheets-0720.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 12 мкс, 12 мкс Инфракрасный (ИК) 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30В 50 мА 30В
OPB862P55 ОПБ862П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB871L55TXV ОПБ871L55TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30 мА
OPB872L51 ОПБ872Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB866L55 ОПБ866L55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 10 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB871N51TXV ОПБ871Н51ТХВ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB870L55 ОПБ870L55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.