TT Electronics/Optek Technology

TT Electronics/Optek Technology (4930)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Тип Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Метод зондирования Входной ток Высота Ширина Операционное напряжение питания Свободно привести Время выполнения завода Достичь SVHC Количество булавок Жилищный материал Радиационное упрочнение Количество функций Количество каналов Рассеяние власти Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Вперед Впередное напряжение Чувствительное расстояние Выходная конфигурация Обратное напряжение разбивки Максимальное напряжение Напряжение разбивки излучателя коллекционера Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) Макс Коллекторный ток Current - DC Forward (if) (max) Обратное напряжение (DC) Длина волны Пиковая длина волны Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) Current - Collector (IC) (макс)
OPB881T51 OPB881T51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB880L55Z OPB880L55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB892N55 OPB892N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Бесплатно повесить Бесплатно повесить -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB866N55 OPB866N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси, через дыру Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 10 недель 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890T55 OPB890T55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Крепление печатной платы Через луч 4 100 МВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPBA303 OPBA303 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Энкодер Photologic® Слот Защелка -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2013 /files/ttelectronicsoptektechnology-opba303-datasheets-8205.pdf Модуль, высечен Через луч 1 20ns 0,2 (5,08 мм) Открытый коллекционер 50 мА
OPB801W55Z OPB801W55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 80 ° C. Масса 1 (неограниченный) 80 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 20 мА Свободно привести 10 недель 4 Нет 1 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 30 В 50 мА 1,7 В. 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB880T55Z OPB880T55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт, через отверстие Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч Свободно привести 8 недель 4 Нет 100 МВт 1 30 мА Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB806 OPB806 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Винт, через отверстие Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb806-datasheets-8119.pdf Крепление печатной платы Через луч 20 мА 26,42 мм 1,7 В. Свободно привести 12 недель Нет SVHC 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 30 В 20 мА 1,7 В. 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 В 50 мА 2 В 935 нм 935 нм 30 В
OPB842W55Z OPB842W55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 80 ° C. Масса 1 (неограниченный) 80 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 10 недель 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 880 нм 30 В 30 мА
OPB820S10 OPB820S10 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Винт, через отверстие Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Крепление печатной платы Через луч 30 В 12 недель 4 Нет 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB841L55 OPB841L55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Крепление печатной платы Через луч 12 недель 4 100 МВт Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB880N55Z OPB880N55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Бесплатно повесить Бесплатно повесить -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 12 недель 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB380T55Z OPB380T55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Винт, через отверстие Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Крепление печатной платы Через луч 12 недель 4 Нет 100 МВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB375T55 OPB375T55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2009 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Крепление печатной платы Через луч Свободно привести 12 недель 4 100 МВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB859 OPB859 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Винт, через отверстие Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Крепление печатной платы Через луч 12 недель 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB365P55 OPB365P55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч Свободно привести 12 недель 4 100 МВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB920DZ OPB920DZ TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Выключатель Photologic® Шасси, панель Шасси, панель, прямой угол -40 ° C ~ 70 ° C. Масса 1 (неограниченный) 70 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb920az-datasheets-8081.pdf Модуль, проволоки 12 недель Инфракрасный (IR) Открытый коллекционер 20 мА
OPB810W51 OPB810W51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 80 ° C. Масса 1 (неограниченный) 80 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 11,1 мм 5 Пластик 100 МВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB375P11 OPB375P11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB375P51 OPB375P51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB390N55 OPB390N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N51Z OPB390N51Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 20 мА 7 недель Нет SVHC 4 Нет 1 100 МВт 1 30 В 50 мА 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 2 В 890 нм 30 В 30 мА
OPB829D Opb829d TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Крепление шасси, винт Шасси -40 ° C ~ 80 ° C. Масса 1 (неограниченный) 80 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829a-datasheets-2001.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390P51 OPB390P51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Шасси Шасси -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно проводной Через луч 4 100 МВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB856 OPB856 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Панель M12 резьбовой корпус, орех -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Не совместимый с ROHS 2016 Модуль, разъем Через луч 2 100 МВт 1 40 мА 12 (304,8 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 40 мА 30 В
OPB847L55 OPB847L55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Крепление печатной платы Через луч 4 Инфракрасный (IR) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB870L11 OPB870L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Крепление печатной платы Через луч 4 100 МВт Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB870T11 OPB870T11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Винт, через отверстие Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Крепление печатной платы Через луч 10 недель 4 100 МВт 1 Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 2 В 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB865L11 OPB865L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Не понижен Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Масса 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Крепление печатной платы Через луч 100 МВт Инфракрасный (IR) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.