ТТ Электроникс/Оптек Технология

ТТ Электроникс/Оптек Технология(4930)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/кейс Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Материал корпуса Радиационная закалка Максимальное напряжение питания (постоянный ток) Минимальное напряжение питания (постоянный ток) Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Количество каналов Рассеяние мощности Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Максимальный входной ток Время подъема Осень (тип.) Расстояние срабатывания Конфигурация выхода Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Пиковая длина волны Темный ток Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
OPB861T51 ОПБ861Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPS665 ОПС665 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ops665-datasheets-6896.pdf Т-1 Пересечение луча 10 недель 2 НПН 100мВт 1 Фототранзистор 30 В 50 мА 100нА 30 В
OPB891P51 ОПБ891П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB815L ОПБ815Л ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815l-datasheets-7436.pdf 30 В Монтаж на печатной плате Пересечение луча 32 мм 20 мА 14,35 мм 31,75 мм 1,7 В Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 100мВт 1 100мВт 1 16 мА 30 В 20 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 16 мА 50 мА 890 нм 30 В
OPB350W062Z ОПБ350W062Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ОПБ350 Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf 30 В Модуль, предварительно смонтированный Жидкость Без свинца 8 недель Неизвестный 4 5,25 В 4,75 В 100мВт 1 50 мА 50 мА 0,063 (1,6 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 50 мА 890 нм 890 нм 30 В 50 мА
OPB865N11 ОПБ865Н11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 50 мА 11,1 мм Без свинца 12 недель Нет СВХК 2 Пластик Нет 1 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 30 мА 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 880 нм 30 В 30 мА
OPB881T55Z ОПБ881Т55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА 8 недель Нет СВХК 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB871N55 ОПБ871Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2002 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА 10 недель Нет СВХК 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB828D ОПБ828Д ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB821S5Z ОПБ821С5З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 50 мА 15,24 мм Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 300 мкА 50 мА 890 нм 890 нм 30 В
OPB871N51 ОПБ871Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890L11Z ОПБ890L11Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB867T55 ОПБ867Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель Неизвестный 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 мА 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB801L55 ОПБ801Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 1,7 В 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 мА 50 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB892T55Z ОПБ892Т55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 НПН 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB848 ОПБ848 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf 30 В Монтаж на печатной плате Пересечение луча 20 мА 1,7 В Без свинца 10 недель Нет СВХК 4 1 100мВт 12 мкс, 12 мкс 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 20 мА 15 мкс 15 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB880P51 ОПБ880П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2002 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 11,1 мм 4 Пластик 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB370P11 ОПБ370П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB390P11 ОПБ390П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB820 ОПБ820 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча Без свинца 10 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB690 ОПБ690 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, защелкивающееся Крепление на шасси -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb690-datasheets-1960.pdf Модуль, Разъем Оптический флаг Неизвестный 3 200мВт 1 50 мА Транзистор, резистор база-эмиттер 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB836L51 ОПБ836Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB802W55 ОПБ802W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB854A2 ОПБ854А2 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb854a3-datasheets-0340.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB861P51 ОПБ861П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB866L51 ОПБ866Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB870T55TX ОПБ870Т55ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/optek-opb870t55tx-datasheets-7331.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB860P11 ОПБ860П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 13 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB380T51 ОПБ380Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB871P51TX ОПБ871П51ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 10 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.