Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Программируемый тип | Количество выделенных входов | JTAG BST | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max | Источник напряжения — внутренний | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE2-50SE-5FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 320 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60,4 КБ | 339 | 48,4 КБ | 339 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 396288 | 6000 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-6FN1156C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 1,75 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | Нет | 375 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 570,6кБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-5FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 303 | 262,6 КБ | 303 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70SE-6FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 146 КБ | 583 | 129 КБ | 583 | 68000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-7FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 410 | 518,4 КБ | 410 | 420 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-40E-6FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-40 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 121 КБ | 363 | 110,6 КБ | 363 | 435 МГц | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 906240 | 5000 | 0,399 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-6FN1156C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 1,75 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | Нет | 375 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 576КБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-5FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 372 | 518,4 КБ | 372 | 311 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100E-5FN1152C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 1152-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1152 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭ2М100 | 1152-ФПБГА (35х35) | 688,8 КБ | 520 | 663,5 КБ | 95000 | 11875 | 5435392 | 11875 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-7FN1156I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 586 | 856,3 КБ | 586 | 420 МГц | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP10C-3FN388C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,8 В | Без свинца | 388 | 388 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LFXP10 | 388 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 31,9 КБ | 244 | 27КБ | 244 | 1216 КЛБС | 10000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1216 | 1216 | 221184 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-3TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,8 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 11,9 КБ | 100 | 9 КБ | 100 | 720 КЛБС | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-5F484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | Нет | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 271,5кБ | 303 | 262,6 КБ | 303 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-3FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК10 | 484 | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 282624 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 378 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 97 | 6,9 КБ | 97 | 3100 | 384 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-5FT256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-5 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 22 КБ | 172 | 20,8 КБ | 172 | 435 МГц | 5000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 169984 | 625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA40E-7FFN1020C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSC3GA40 | 562 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-5T144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 3,6 нс | 113 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5M100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,35 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-17E-5FT256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 256-ЛБГА | 1,2 В | Без свинца | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-17 | 256 | 201 | 34,5 КБ | 17000 | 282624 | 2125 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064V-75TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 3В~3,6В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032ZE-7TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 260 МГц | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 48 | EAR99 | ДА | Нет | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-64/32-10ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Без свинца | 44 | 5 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | да | EAR99 | ДА | Нет | 100 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | М4А5-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 256 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064V-75TN48E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~130°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 9.071791г | 3,6 В | 3В | 48 | да | EAR99 | ДА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4064 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 2,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032ZE-7MN64I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 260 МГц | 50 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 64-ТФБГА, КСПБГА | 5 мм | 5 мм | 1,8 В | Без свинца | 64 | 8 недель | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 64 | EAR99 | ДА | не_совместимо | 50 мкА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 64 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128V-5TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4128 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 540 | В системном программировании | 10 | ДА | 3В~3,6В | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZE-7TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 341 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,8 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 144 | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 341 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 144 | Программируемые логические устройства | 96 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 14 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZC-45TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 341 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 1,9 В | 1,7 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 4,5 нс | 4,5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 540 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-128/64-7ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 100 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,5 мм | М4А5-128 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 900 | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512V-75TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 14 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Без свинца | 176 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 176 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4512 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 100 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 32 |
