Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Количество входов/выходов | Тип памяти | Включить время задержки | Скорость | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| М4А3-256/192-7ФАНК | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | М4А3-256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 145 | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4384V-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 13,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 256 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 13,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4384 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | 192 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 384 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-512/192-7ФАНК | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 256-БГА | 3,3 В | 10 недель | 3,6 В | 3В | 125 МГц | М4А3-512 | 256-ФПБГА (17х17) | 192 | ЭСППЗУ | 224 | 20000 | 512 | В системном программировании | 3В~3,6В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-7ЛП | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~75°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | 125 МГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,162 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 20 | нет | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПОЛЯРНОСТЬ ВЫХОДА | Нет | 115 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 7,5 нс | 7,5 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032C-5TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,8 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 1,95 В | 1,65 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 1,8 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 128 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032C-25TN48C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,8 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 1,95 В | 1,65 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 1,8 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 128 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 2,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22В10Д-10ЛПИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22В10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal22v10d15qp-datasheets-1713.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 160 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | ГАЛ22В10 | 24 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 10 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048E-100LQ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-БКФП | 28 мм | 28 мм | 128 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 12,5 нс | 71 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048E-70LT | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 18,5 нс | 56 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 15 нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2064А-100LT100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2064a80lt100i-datasheets-2044.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | 11 недель | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2064 | 100 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 13 нс | 77 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2096А-80ЛТ128 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2096a80lq128-datasheets-2137.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 2096 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 18,5 нс | 57 МГц | 4000 | 96 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 3 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 15 нс | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-100ЛТ176 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 176 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2128 | 176 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G176 | 128 | 13 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 10 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2192ВЭ-225ЛТ128 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2192ve100lb144-datasheets-9410.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 2192 | 128 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 6,2 нс | 150 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 5 | ДА | 3В~3,6В | 4нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-192/96-6ВЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | 144 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 143 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-192 | 144 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G144 | 96 | ЭСППЗУ | 6 нс | 145 | 7500 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 16 | ДА | 3В~3,6В | 6нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-250ЛТ100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2128 | 100 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 6 нс | 158 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 4нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| M4A3-32/32-5JC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 167 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | М4А3-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQCC-J44 | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 145 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-256/128-65YC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 208 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-256 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 128 | ЭСППЗУ | 6,5 нс | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 14 | ДА | 3В~3,6В | 6,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/64-7ВИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 125 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-64 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 224 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-128/64-10ВЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 100 | нет | EAR99 | ДА | Нет | 100 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-128 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 | 10 нс | 400 | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LA4032ZC-75TN48E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 48-TQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LA4032 | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | Программируемые логические устройства | 1,8 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G48 | АЭК-Q100 | 32 | 8 нс | 168 МГц | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 1,7 В~1,9 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-32/32-7ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | нет | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | М4А3-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 97 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-32/32-7ВНИ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 10 недель | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-32 | 48 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G48 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 97 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-75MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 80мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,8 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 132 | да | EAR99 | ДА | Нет | 80мкА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 132 | 40 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 484 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-32/32-12ВНИ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 5В | Без свинца | 48 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | да | EAR99 | ДА | Нет | 83,3 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | М4А5-32 | 48 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 32 | ЭСППЗУ | 12 нс | 12 нс | 256 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| LA4064V-75TN48E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 168 МГц | 12 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 48-TQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 48 | да | EAR99 | ДА | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LA4064 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-32/32-5ВНК48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 10 недель | 3,6 В | 3В | 48 | да | EAR99 | ДА | 167 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-32 | 48 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 97 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZC-75TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 341 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 176 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 341 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 44 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 16 | |||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/32-7ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | М4А3-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 224 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128V-75TN144E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~130°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 144 | да | EAR99 | ДА | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4128 | 144 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 96 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 680 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-10FTN256BI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 12,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 10 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 16 |
