Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Тактовая частота | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Тип модуля/платы | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПА-Н32/22В10А | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGAL™ | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | QFN | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - QFN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-T144-LCMXO2 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | TQFP | Без свинца | 8 недель | Модуль сокета — TQFP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС4102-Б272/8600В | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 8000 | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | БГА | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-FT256/LCMXOE | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | 256 | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSSN-B554-LFE5 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf | 8 недель | Модуль разъема - BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-F484/LFXP20C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-F672/LFXP2 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Розетка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSSN-CM36-ICE5LP | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf | 8 недель | Модуль разъема - BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-4TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 189 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,319103г | Нет СВХК | 144 | 240 КБ | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 68,8 КБ | 114 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 7,24 нс | 115 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||
| LFE2-12SE-5FN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 320 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-12 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 30,6 КБ | 193 | 27,6 КБ | 193 | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1500 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-6FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 53,7 мА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 1,25 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | 1,3 Мб | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 174,4 КБ | 133 | 165,9 КБ | 133 | 375 МГц | 33000 | 72 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-8FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 133 | 165,9 КБ | 133 | 500 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-5MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-5 | 132 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 22 КБ | 86 | 20,8 КБ | 86 | 435 МГц | 5000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 169984 | 625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-5TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-5 | 144 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 22 КБ | 100 | 20,8 КБ | 100 | 435 МГц | 5000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 169984 | 625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-1TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 18 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 55 | ВСПЫШКА | 0Б | 10,21 нс | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-6MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 5,9 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-4MN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 10 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | |||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-4MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 21 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 4,4 нс | 101 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640UHC-4TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16,6 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 7,24 нс | 108 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 65536 | 80 | ||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-1MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 124 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | 92 КБ | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 10,21 нс | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 18 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 5,1 нс | 101 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-4TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,55 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | Нет | 269 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 27,8 КБ | 114 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 115 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-6BG400C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 335 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6SE-6TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 357 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-6FN1156C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 586 | 856,3 КБ | 586 | 375 МГц | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-640E-5MG121C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 8 КБ | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-5UMG64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 64-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 64 | да | EAR99 | 323 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 44 | 45 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-3TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | Нет | 150 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 55 | ВСПЫШКА | 0Б | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 23 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | 23 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 |
