Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| М4А3-256/192-10ФАНК | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 100 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | М4А3-256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 10 нс | 160 | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-5TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Без свинца | 176 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 48 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 5нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-96/48-7ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 100 | 10 недель | 5,25 В | 4,75 В | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | М4А5-96 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 48 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 3750 | 96 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064B-10TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 2,7 В | 2,3 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 208 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-75FTN256AI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-75TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 2,5 В | Без свинца | 176 | 2,7 В | 2,3 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 52 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064C-75TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 2мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 1 мм | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 44 | 1,95 В | 1,65 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 272 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 2 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5FTN256AC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064C-5TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 44 | 1,95 В | 1,65 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 5 нс | 256 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-10TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5512MV-75QN208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 33 мА | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 33 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3,3 В | 0,5 мм | LC5512 | 208 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 149 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 32 КБ | 7,5 нс | 100 | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 193 ввода/вывода | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC5256MV-75FN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 26 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | ДА | 26 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | LC5256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 141 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 16 КБ | 7,5 нс | 7,5 нс | 100 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-3FTN256AC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 384,6 МГц | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 3 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-64/32-12JNI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | да | EAR99 | Нет | 182 МГц | 8542.39.00.01 | М4А5-64 | 44 | ЭСППЗУ | 12 нс | 12 нс | 32 | 2500 | 64 | В системном программировании | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГАЛ22В10С-15ЛДЖН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGAL™22V10 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 83,3 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgal22v10av23ln-datasheets-2694.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | Без свинца | 140 мА | 28 | 5,25 В | 4,75 В | 28 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 140 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | ИСПГАЛ22В10 | 28 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 15 нс | 15 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 11 | 132 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4384C-75TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 90°С | 0°С | 178,57 МГц | 3,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 1,95 В | 1,65 В | 176 | Нет | 322 МГц | 3,5 мА | LC4384 | 176-TQFP (24x24) | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 48 | 384 | 36 | 24 | В системном программировании | 1,65 В~1,95 В | 7,5 нс | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048-70LQ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi104870lq-datasheets-2819.pdf | 120-БКФП | 28 мм | 28 мм | 120 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1048 | 120 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G120 | 96 | 23 нс | 41,7 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 6 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 18нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048E-125LQN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-БКФП | 28 мм | 28 мм | 128 | 10 недель | да | EAR99 | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 10 нс | 91 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032А-80ЛТН48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032a110lj44-datasheets-1904.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | да | EAR99 | ДА | совместимый | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2032 | 48 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 32 | 57 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 15нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032Э-180ЛТ44 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032e180lt48-datasheets-3096.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | нет | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | ИСПЛСИ 2032 | 44 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 7,5 нс | 125 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1016-60LT44 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi101690lt44-datasheets-2733.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | нет | EAR99 | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1016 | 44 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 25 нс | 38 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 1 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 20нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128А-100LQN160 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128a80lt176i-datasheets-2248.pdf | 160-БКФП | 28 мм | 28 мм | 160 | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,65 мм | ИСПЛСИ 2128 | 160 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G160 | 128 | 13 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128E-100LT176 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128e135lt176-datasheets-3427.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 176 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2128 | 176 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G176 | 128 | 13 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-100ЛТН100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2128 | 100 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 13 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 10 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2064ВЭ-280ЛТН100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2064ve100lt44-datasheets-2029.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2064 | 100 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 5,5 нс | 182 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 3В~3,6В | 3,5 нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-100ЛК160 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 160-БКФП | 28 мм | 28 мм | 160 | нет | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,65 мм | ИСПЛСИ 2128 | 160 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G160 | 128 | 13 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 10 нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 5256ВЭ-100ЛФ256И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000VE | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi5256ve125lb272-datasheets-3806.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | ДА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | ИСПЛСИ 5256 | 256 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | 144 | 10 нс | 67 МГц | 12000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 10 нс | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 5256ВЭ-125ЛТ100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000VE | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi5256ve125lb272-datasheets-3806.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 5256 | 100 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 72 | 7,5 нс | 12000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 5256ВА-70LQ208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000ВА | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi5256va70lb272-datasheets-3745.pdf | 208-БФКФП | 208 | нет | EAR99 | е0 | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 5256 | 208 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | 144 | 15 нс | 45 МГц | 12000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 15нс | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 5512ВА-70ЛБ272 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000ВА | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,8 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi5512va70lb388-datasheets-4119.pdf | 272-ББГА | 27 мм | 27 мм | 272 | нет | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ИСПЛСИ 5512 | 272 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б272 | 192 | 19 нс | 45 МГц | 24000 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 15нс | 16 |
