Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Программируемый тип | Количество выделенных входов | JTAG BST | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max | Источник напряжения — внутренний | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO2-2000HC-6FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 6,72 нс | 207 | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 0 входов/выходов | 1056 | СМЕШАННЫЙ | 2112 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-4BG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 269 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 206 | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-6TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 114 | 115 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000ZE-1FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 189 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 10,21 нс | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 20 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 4,4 нс | 73 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-5FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 311 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 1,2 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 140 | 262,6 КБ | 140 | 16000 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20E-6FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 402 | 34,5 КБ | 402 | 357 МГц | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-8FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | 500 МГц | 8542.39.00.01 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 295 | 552,5 КБ | 295 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,281 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-35E-7FN672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-35 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 49,5 КБ | 450 | 41,5 КБ | 450 | 420 МГц | 32000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 339968 | 4000 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-6FN1156I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | 375 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-6FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 410 | 518,4 КБ | 410 | 357 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70E-5FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 311 МГц | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | Нет СВХК | 900 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 34000 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-8FN1156C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | Нет | 500 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 570,6кБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,281 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70E-5FN672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-70 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 146 КБ | 500 | 129 КБ | 500 | 311 МГц | 68000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-50SE-6FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60,4 КБ | 500 | 48,4 КБ | 500 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 6000 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100SE-5FN900I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М100 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 416 | 663,5 КБ | 416 | 311 МГц | 95000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 5435392 | 11875 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70E-6FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 357 МГц | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | Нет СВХК | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 34000 | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100E-5FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 311 МГц | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | Нет СВХК | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М100 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 416 | 663,5 КБ | 416 | 95000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 100000 | 5435392 | 11875 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256C-4M100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13 мА | 1,35 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 13 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3FT324I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 3,3 В | Без свинца | 324 | 324 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 500 МГц | 8542.39.00.01 | 23 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO2280 | 324 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 271 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 271 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M20E-5F256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | Нет | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 157,3 КБ | 140 | 152,1 КБ | 140 | 19000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 1246208 | 2375 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-3QN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 8,4 КБ | 145 | 6,9 КБ | 145 | 384 КЛБС | 3100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-30E-5F672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-30 | 672 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 55,4 КБ | 472 | 48,4 КБ | 472 | 435 МГц | 29000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 3625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-7FFN1020C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA40 | 562 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3T144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 21 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4T144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 4,2 нс | 113 | 100 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-7F672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 372 | 518,4 КБ | 372 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZE-7TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 341 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 100 | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032V-10TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 11,8 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 9.071791г | 3,6 В | 3В | 48 | да | EAR99 | ДА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 2 | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-5TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 80мкА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 48 | EAR99 | ДА | 80мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 48 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 5,8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В |
