Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество входов | Тактовая частота | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE3-17EA-8FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 3,1 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 92КБ | 133 | 27,6 КБ | 133 | 17000 | 1500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-1TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 128 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 114 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 10,21 нс | 115 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 1,4 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 17 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 113 | 256 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-6FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 89,3 мА | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 1,65 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | Нет СВХК | 484 | 1,3 Мб | EAR99 | Нет | 375 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 174,4 КБ | 295 | 165,9 КБ | 295 | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-7FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 3,1 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 92КБ | 133 | 87,5 КБ | 133 | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 101 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 4,2 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-2TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 5,9 КБ | 78 | 79 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-2TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | Нет | 125 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 17,3 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 80 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300C-5BG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 15,8 КБ | 206 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG324C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 279 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 4,2 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-2MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-6MG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200UHC-6FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LCMXO2-1200 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 20,5 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 207 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6E-5FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 1,2 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 8,4 КБ | 190 | 6,9 КБ | 190 | 311 МГц | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-640E-5MG121C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3lf1300c5bg256i-datasheets-5451.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 8 КБ | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80 | 65536 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-6UMG64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 64-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 64 | да | EAR99 | 388 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 44 | 45 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-6TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-5 | 144 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 100 | 20,8 КБ | 100 | 435 МГц | 5000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 169984 | 625 | 0,399 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-4BG332I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 189 мкА | 2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 332-ФБГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 332 | 8 недель | Нет СВХК | 332 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 68,8 КБ | 278 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 7,24 нс | 279 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP4K-CM121 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-ВФБГА | 5 мм | 900 мкм | 5 мм | 1,2 В | Без свинца | 121 | 8 недель | Нет СВХК | 121 | 80 КБ | EAR99 | Нет | 533 МГц | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 10 КБ | 93 | 10 КБ | 93 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 20 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 4,4 нс | 73 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-7LMG328I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 29,8 мА | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 328-ЛФБГА, ЦСБГА | 10 мм | 10 мм | 1,2 В | Без свинца | 328 | 8 недель | 328 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ3-17 | 328 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 92КБ | 116 | 87,5 КБ | 116 | 420 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO2280 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 211 | СРАМ | 3,6 нс | 3,6 нс | 211 | 420 МГц | 3432 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | 858 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000ZE-2FG484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 125 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 334 | 335 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4FTN324I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 1,2 В | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | да | EAR99 | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2280 | 324 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271 | СРАМ | 4,4 нс | 271 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-4SG32C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 8 недель | EAR99 | Нет | 269 МГц | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 21 | ВСПЫШКА | 0Б | 22 | 22 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640UHC-4TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 3,48 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | 64 КБ | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16,6 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 7,24 нс | 108 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 311 МГц | 17 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 1,25 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-5 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 22 КБ | 172 | 20,8 КБ | 172 | 2500 | 5000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 169984 | 625 | 0,494 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256C-5TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 600 МГц | 13 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 3,5 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 |
