Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Рабочий ток питания | Тип входа | Текущий - Поставка | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Без свинца | Форма | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Ведущая презентация | Интерфейс | Тип разъема | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальная мощность | Максимальный текущий рейтинг | Цвет линзы | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Входной ток смещения | Количество элементов | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Длина кабеля | Количество выходов | Расстояние срабатывания | Напряжение – изоляция | Выходное напряжение 1 | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | ЦКТ (К) | Цвет подсветки | Световой поток | Время доступа | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Длина волны | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Световой ток-ном. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение — выходное напряжение (типовое) на расстоянии | Разница напряжения – выходное напряжение (тип.) на расстоянии | Светоизлучающая поверхность (LES) | Количество регуляторов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC4N260YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 1 | 30В | Транзистор с базой | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 100 мА | 100 мА | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC827AD | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC844IJ1 | Острая микроэлектроника | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | 4 | 16-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC852XIJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 350В | 1 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 350В | 150 мА | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 40 мА | 150 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357NTJ000F | Острая микроэлектроника | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 1997 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | UL | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 5А | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 80В | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК866 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc866-datasheets-7392.pdf | ОКУНАТЬ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 80В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | 5000В | 8 мкс | ОДИНОКИЙ | 400мВ | 50 мА | 100% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123FY8J00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | ОКУНАТЬ | Без свинца | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 50 мА | 1,4 В | 5В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XJ0000F | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 4,58 мм | 20 мА | 3,5 мм | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 6В | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N0TJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815XYJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815xj0000f-datasheets-6934.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 200мВт | 200мВт | 1 | 35В | 500 мкА | Дарлингтон | 50 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 300 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 75 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123YC2J00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LH7A404N0E000B0A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-lh7a404n0e000b0a-datasheets-8038.pdf | 1,8 В | Содержит свинец | 1,89 В | 1,71 В | 324 | EBI/EMI, ИК-порт, MMC, SSP, UART, USART, USB | Нет | Внутренний | 64 | без ПЗУ | ДМА, ЖК-дисплей, ПОР, ШИМ, ВДТ | РУКА | 16 КБ | 200 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4800FE000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Сумка | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800fe000f-datasheets-2371.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид сбоку | Нет | 1 | Черный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | Куполообразный | 3 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 6В | 20 мА | 860 нм | 100 мкА | 0,8 мм | ДА | 0,25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2Д150А | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -10°C~60°C ТА | 1 (без ограничений) | 60°С | -10°С | 50 мА | 50 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2d150a-datasheets-8625.pdf | Содержит свинец | Кабель | 4,5 В~5,5 В | 33 мА | Цифровой | 100 мм | 15 см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2Y0AH01K | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -10°C~60°C ТА | 1 (без ограничений) | 40 мА | 40 мА | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2y0ah01k0f-datasheets-8684.pdf | Без свинца | 3 | 4,5 В~5,5 В | Аналоговый | 4,5 ~ 6 мм | 500 мВ @ 6 мм | 1,73 В при 4,5–6 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMD27NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sharpmicroelectronics-gw6dmd40nfc-datasheets-3977.pdf | СМД/СМТ | 24 мм | 1,80 мм | 20 мм | Белый, Теплый | 20 мм | 2 | Нет | 1,3А | 52 Вт | 120 | 950 мА | 37В | Круглый, Цветной, Плоский | 120 | Прямоугольник | -15В | 37В | 2700К | Белый | 3,14 км | 950 мА | 1,3А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BGS30HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 6,5 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Теплый | 2 | Нет | 650 мА | 400 мА | 36В | Круглый, Плоский | 60 | Прямоугольник | 36В | 3000К | Белый | 1,04 км | 400 мА | 650 мА | Плоский | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMR40HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 6,5 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Нейтральный | 2 | Нет | 520 мА | 20,5 Вт | 320 мА | 36В | Круглый, Плоский | 48 | Прямоугольник | -15В | 36В | 4000К | Белый | 1,11 км | 320 мА | 520 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DGD30NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 24 мм | 1,80 мм | 20 мм | Белый, Теплый | 20 мм | 2 | Нет | 1,3А | 52 Вт | 120 | 950 мА | 37В | Круглый, Плоский | 120 | Прямоугольник | -15В | 37В | 3000К | Белый | 2,72 км | 950 мА | 1,3А | Плоский | 90 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMW27HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 6,5 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Теплый | 2 | Нет | 390 мА | 240 мА | 36В | Круглый, Плоский | 36 | Прямоугольник | 36В | 2700К | Белый | 740 лм | 240 мА | 390 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BGG50HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 6,5 мм | 1,60 мм | 12 мм | Белый, Холодный | 260 мА | 160 мА | 36В | Круглый, Цветной, Плоский | 24 | Прямоугольник | 36В | 4000К | Белый | 460 лм | 160 мА | 260 мА | Плоский | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BGW30HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 15 мм | 1,60 мм | 12 мм | Белый, Теплый | 12 мм | 2 | Нет | 390 мА | 36 | 240 мА | 36В | Круглый, Плоский | 36 | Прямоугольник | -15В | 36В | 3000К | Белый | 645 лм | 240 мА | 390 мА | Плоский | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5BTF15L0B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Мини Зенигата | Винт, поверхностное крепление | Масса | 18,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | 90°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sharpmicroelectronics-gw5btf15l0b-datasheets-0977.pdf | 18 мм | 2,00 мм | 18 мм | 10,2 В | Белый, Теплый | 18 мм | Неизвестный | 2 | Нет | 6,7 Вт | 700 мА | 8 Вт | 8 Вт | 48 | 700 мА | 11,5 В | Плоский, Прямоугольный | 48 | Квадрат | -15В | 10,5 В | 3045К | Белый | 360 лм | 54 лм/Вт | 25°С | 360 лм тип. | 640 мА | 700 мА | Плоский | 87 (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5DGA50M04 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 24 мм | 1,80 мм | 20 мм | 37В | Белый, Холодный | 20 мм | 2 | Нет | 15 Вт | 700 мА | 28 Вт | 96 | 400 мА | 37В | 120° | Плоский, Прямоугольный | 96 | Квадрат | -15В | 37В | 5000К | Белый | 1,25 км | 84 лм/Вт | 25°С | 1250 лм тип. | 400 мА | 700 мА | Плоский | 90 (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BGG30HD6 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gw6bgg27hd6-datasheets-1827.pdf | 1,40 мм | Белый, Теплый | Прямоугольник | 34,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 90°С | 750 лм тип. | 200 мА | 400 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,80 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DGE40BF6 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 24,00 мм Д x 20,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gw6dge30bf6-datasheets-1867.pdf | 1,45 мм | Белый, Нейтральный | Прямоугольник | 46,1 В | 4000К | 113 лм/Вт | 90°С | 4950 лм Тип. | 950 мА | 1,2А | Плоский | 90 | Диаметр 15,60 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMD40BF6 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 24,00 мм Д x 20,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gw6dgd27bf6-datasheets-1863.pdf | 1,45 мм | Белый, Нейтральный | Прямоугольник | 34,5 В | 4000К | 137 лм/Вт | 90°С | 4500 лм тип. | 950 мА | 1,25 А | Плоский | 80 | Диаметр 15,60 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6NMNJNS0D | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gw6nmnjns0d-datasheets-1964.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | 16 недель | Прямоугольник | 18,8 В | 2000К ~ 2800К | 89 лм/Вт | 25°С | 590 лм тип. | 350 мА | 400 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ025ENA1ZPH | Острая микроэлектроника | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 2,85 мм | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq015ena1zph-datasheets-8059.pdf | СК | 5,5 мм | 4 | 63 | совместимый | 1 | 10 В | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 8 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 мА | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г4 | 3В | 2,5 В | 1А | Зафиксированный | 1 | 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ025EZ02ZPH | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq025ez02zph-datasheets-8697.pdf | СК | Без свинца | 63 | 10 В | 8 Вт | 1 мА | 3В | 2,5 В | 2А | Зафиксированный | 1 | 1 |
