Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Тип входа | Текущий - Поставка | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Максимальный текущий рейтинг | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Напряжение питания | Терминал Питч | Температурный класс | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Количество цепей | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Ширина тела | Диаметр отверстия | Расстояние срабатывания | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Программируемость ПЗУ | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | ЦКТ (К) | Цвет подсветки | Световой поток | Индекс цветопередачи (CRI) | Время доступа | Ширина адресной шины | Ширина внешней шины данных | Длина волны | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Ток — выход/канал | Темный ток | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) | Напряжение — выход (типовое) на расстоянии | Разница между напряжением и выходом (тип.) на расстоянии |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПК364M1J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 10 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H4J00001B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7BJ0001B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851XNNIP0F | Острая микроэлектроника | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xnnip0f-datasheets-2663.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 350В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 10 мкс | 12 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 350В | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40% | 40% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q65 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q65-datasheets-6706.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 60 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 1600% | 80 мА | 1000нА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H711NIP | Острая микроэлектроника | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 140% при 500 мкА | 350% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ | Острая микроэлектроника | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 35% при 1 мА | 70% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC827AB | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 80% при 5 мА | 260% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC723V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc723v0nszx-datasheets-6806.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL, СОВМЕСТИМО TTL | неизвестный | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 6 мкс 7 мкс | 50 мА | 100% | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC716V0NSZX | Острая микроэлектроника | 1,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc716v0nszx-datasheets-6846.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 130 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 130 мкс 60 мкс | 50 мА | 150 мА | 6000% | 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC825Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81411NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81411nsz0f-datasheets-6918.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК847X7J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x7j000f-datasheets-6947.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N290NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК844X1J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 200мВт | 4 | 80В | 50 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123ZY2 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | СМД/СМТ | Содержит свинец | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 5000В | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123PY2J00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | 1,4 В | 5кВ | Транзисторный выход оптопара | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q64Q5J00F | Острая микроэлектроника | $12,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q64q5j00f-datasheets-9491.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | 170 мВт | 4 | 170 мВт | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7ACJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 35% при 1 мА | 160% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC452TJ0000F | Острая микроэлектроника | 1,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 350В | 350В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 50 мА | 300 мкс | 100 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 350В | 150 мА | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LH79525N0M100A0 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 77,4 МГц | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-lh79524n0f100a0-datasheets-0351.pdf | ЛКФП | 20 мм | 20 мм | Содержит свинец | 176 | 176 | EBI/EMI, Ethernet, I2C, SSP, UART, USART, USB | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,4 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,9 В | 1,7 В | Не квалифицирован | Внутренний | 86 | без ПЗУ | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, ЖК-дисплей, POR, ШИМ, WDT | РУКА | 8КБ | 76,205 МГц | МИКРОКОНТРОЛЛЕР, РИСК | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | ВСПЫШКА | 77,4 мкс | 24 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT481E00000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Радиальный | 3 мм | 4 мм | 2,95 мм | Без свинца | 16 недель | 2 | Вид сбоку | Нет | Синий, Прозрачный | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 1 | 50 мА | 70° | Куполообразный | 80 мкс | 70 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 50 мА | 800 нм | 1 мА | 35В | 50 мА | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D120CJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -10°C~60°C ТА | 1 (без ограничений) | 50 мА | 50 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2d120cj00f-datasheets-8636.pdf | Без свинца | 4,5 В~5,5 В | 33 мА | Аналоговый | 1,57 ~ 11,81 (4 ~ 30 см) | 400 мВ на расстоянии 30 см | 2,25 В при 4–30 см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2Y3A002K0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | -10°C~60°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 50 мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2y3a002k0f-datasheets-8960.pdf | 40 мм | 18 мм | 40 мм | Без свинца | 9 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 50 мА | 5,5 В | Аналоговый | 25° | 20 мм | 3,2 мм | 20 ~ 150 см | 1500 мм | 200 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, СВЕТООТРАЖАЮЩИЙ | 2-2,60 В | 870 нм | 2,3 В @ 20 см | 1,6 В при 20–80 см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMR30HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 15 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Теплый | 12 мм | 2 | Нет | 520 мА | 48 | 320 мА | 36В | Круглый, Цветной, Плоский | 48 | Прямоугольник | -15В | 36В | 3000К | Белый | 1,03 км | 320 мА | 520 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DGC50NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 20 мм | 1,80 мм | 24 мм | Белый, Холодный | 2 | Нет | 1,05А | 37В | 700 мА | 37В | Круглый, Плоский | 84 | Прямоугольник | 37В | 5000К | Белый | 2,16 км | 90 | 700 мА | 1,05А | Плоский | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DME35NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 20 мм | 1,80 мм | 20 мм | Белый, Теплый | 1,5 А | 950 мА | 50В | Круглый, Цветной, Плоский | 160 | Прямоугольник | 50В | 3400К | Белый | 4,5 км | 950 мА | 1,5 А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DME60NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | 2012 год | 1,80 мм | Белый, Холодный | Прямоугольник | 50В | 6000К | 950 мА | 1,5 А | Плоский | 80 |
