| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Без свинца | Форма | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Способ упаковки | Количество функций | Мощность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Терминал Питч | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Тестовый ток | Яркость света | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Время доступа | Стандарты | Длина волны | Доминирующая длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Диапазон связи, низкая мощность | Неисправность | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Цвет фона | Тип подсветки | Контрастность | Яркость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GM5ZR96270A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100°С | -40°С | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gm5zr96270a-datasheets-9606.pdf | ПЛКК | 3,2 мм | 1,9 мм | 2,8 мм | Красный | КРУГЛЫЙ | 2,8 мм | 2 | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 3 мм | 78мВт | 1 | 20 мА | 2,2 В | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 110° | Круговой | ОДИНОКИЙ | 20 мА | 600 мкд | 5В | 624 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ100МН0МП | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, под прямым углом | -30°C~85°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 85°С | -30°С | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-gl100mn0mp-datasheets-4232.pdf | 2-SMD, без свинца | 3 мм | Без свинца | 2,2 мм | 16 недель | 2 | Вид сверху | Нет | 75мВт | 75мВт | 1 | 50 мА | 1,4 В | 20° | Круговой | 1 | 20 мА | 6В | 1,2 В | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GL514 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТА | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl514a-datasheets-4440.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | Без свинца | Вид сверху | 250 мВт | 1,35 В | 14° | Круговой | 1,35 В | 150 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W0114YPS | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2w0114yps-datasheets-1307.pdf | Модуль | 7,9 мм | 2,15 мм | 2,75 мм | 3,6 В | Содержит свинец | Вид сверху | 2В~3,6В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.2 | 870 нм | 7,9 мм х 2,8 мм х 2,2 мм | 90 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W3270XP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w3270xp0f-datasheets-1812.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | Вид сверху | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.4 | 890 нм | 8,3 мм x 2,1 мм x 1,7 мм | 70 мкА | 20 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ043Y1DX07 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sharp-lq043y1dx07-datasheets-9732.pdf | 315 | Без свинца | 18 недель | Параллельный, 24 бита (RGB) | Нет | TFT — цветной | 56,16 мм Ш x 93,60 мм В | Трансмиссивный | 480 пикселей | 480 пикселей | 4,3 109,22 мм | 4,3 дюйма | Светодиод - Белый | 480 х 800 | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,12 мм Ш x 0,12 мм В | Черный | ВЕЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ101K1LY04 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | -10°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sharpmicroelectronics-lq101k1ly04-datasheets-9520.pdf | Модуль | Без свинца | 18 недель | ЛВДС | Нет | TFT — цветной | 217,00 мм Ш x 135,60 мм В | Трансмиссивный | 800 пикселей | 1280 пикселей | 10,1 256,54 мм | 10,1 дюйма | Светодиод - Белый | 1280 x 800 (WXGA1) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,17 мм Ш x 0,17 мм В | Черный | ВЕЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ190E1LW52 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль | Без свинца | 18 недель | ЛВДС | Нет | TFT — цветной | 376,32 мм Ш x 301,06 мм В | Трансмиссивный | 1024 пикселей | 1280 пикселей | 19 482,60 мм | 19 дюймов | Светодиод - Белый | 1280 x 1024 (SXGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,29 мм Ш x 0,29 мм В | Белый | ВЕЛ | 1000:1 | 450 кд/м^2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ022B8UD04 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq022b8ud04-datasheets-0605.pdf | Модуль | Без свинца | Параллельный, 16 бит (RGB) | TFT — цветной | 34,85 мм Ш x 43,56 мм В | трансфлективный | 220 пикселей | 176 пикселей | 2,2 55,88 мм | 2,2 дюйма | Светодиод - Белый | 176 х 220 | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,07 мм Ш x 0,20 мм В | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD480PI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pd480pi-datasheets-6119.pdf | Вид сбоку | 2 | 100 нс | 40° | 100 нс | 20 В | 950 нм | 10нА | 20 В | 400 нм ~ 1200 нм | 10нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD101SC0SS0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sharpmicroelectronics-pd101sc0ss-datasheets-6498.pdf | Радиальный, вид сбоку | Без свинца | КВАДРАТ | 2 | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | неизвестный | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | 5В | 820 нм | 1нА | ДА | 5В | 0,00045 мА | 0,55 А/Вт при 780 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81102NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 5000В | 3 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 350 мВ | 30 мА | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LH7A400N0E000B3A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-lh7a400n0e000b3a-datasheets-1747.pdf | 1,8 В | Содержит свинец | 1,89 В | 1,71 В | 256 | EBI/EMI, ИК-порт, MMC, SSP, UART, USART, USB | Нет | Внутренний | 60 | без ПЗУ | ДМА, ЖК-дисплей, ПОР, ШИМ, ВДТ | РУКА | 16 КБ | 200 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M4J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M3J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H711NIP1B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h711nip1b-datasheets-0441.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123PY2 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | СМД/СМТ | Содержит свинец | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | 1 | 70В | 50 мА | 1,4 В | Транзисторный выход оптопара | 5000В | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК367N | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc367n-datasheets-6620.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H710NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 700% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0NSZX | Острая микроэлектроника | 2,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 170 мВт | 1 | 35В | 50 мА | Дарлингтон | 250 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81720NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81720nsz-datasheets-6787.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 70В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 500 мкА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC814X | Острая микроэлектроника | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 1 | 4-ДИП | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xi-datasheets-6823.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 350В | 350В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 350В | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q510NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q510nip-datasheets-6849.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 35В | Дарлингтон | 0,01 А | 60 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 10 мА | 80 мА | 600% | 80 мА | 1000нА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N350YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 3550 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817X1J000F | Острая микроэлектроника | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N320YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 500% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123ZY2J00F | Острая микроэлектроника | 5,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 5мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 250% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0YSZXF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0yszxf-datasheets-7109.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | 6 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05 А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.