Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSharp Microelectronics (4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Эксплуатационный ток снабжения | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Цвет | Свободно привести | Форма | Глубина | Время выполнения завода | Агентство по утверждению | Достичь SVHC | Количество булавок | Свинцовый шаг | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Рейтинг питания | Максимальный ток | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Полярность | Напряжение | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Количество каналов | Рассеяние власти | Количество элементов | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Максимальный входной ток | Оптоэлектронный тип устройства | Вперед тока-макс | Изоляция напряжения-макс | Угол просмотра | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Задержка распространения | Тестовый ток | Высота тела | Тип завершения | Чувствительное расстояние | Измерение диапазона-макс | Измерение диапазона мин | Датчики/преобразователи тип | Выходной диапазон | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Обратное напряжение разбивки | Обратное напряжение | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение насыщения насыщения коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Напряжение - вперед (vf) (тип) | Время подъема / падения (тип) | Current - DC Forward (if) (max) | Выходной ток на канал | Коэффициент передачи тока | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | CCT (k) | Цвет освещения | Светящийся поток | Индекс цветового рендеринга (CRI) | Lumens/watt @ current - тест | Температура - тест | Flux @ current/tempret - тест | Длина волны | Ток - тест | Ток - макс | Тип линзы | CRI (индекс цветового рендеринга) | Тестовая температура | Ток - выход / канал | Темный ток | Размер | Инфракрасный диапазон | Напряжение - выход (макс) | Темный ток-макс | Световой ток-ном | Коэффициент переноса тока (мин) | Коэффициент передачи тока (макс) | Включите / выключите время (тип) | Vce насыщение (макс) | Current - Dark (id) (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC123Y22FZ1B | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc123y22fz0f-datasheets-0148.pdf | 1 | Транзистор | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 70В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7CJ0001B | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500vrms | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123XNYIP0F | Островая микроэлектроника | $ 1,68 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123xnyip0f-datasheets-2706.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 20 недель | 4 | Нет | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 4-SMD | 70В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC457L0NIP | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Opic ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 85 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc457l0nip-datasheets-6709.pdf | 6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников | Содержит свинец | 5 | Уль признан | Нет | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 100 МВт | 100 МВт | 1 | 1 Мбит / с | 25 мА | Транзистор | 25 мА | Logic IC вывод Optocoupler | ОДИНОКИЙ | 800 нс | 3750vrms | 5 В | 8 мА | 1,7 В. | 8 мА | 8 мА | 20 В | 19% @ 16ma | 50% @ 16ma | 200NS, 400NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC457L0YIP | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Opic ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 85 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc457l0nip-datasheets-6709.pdf | 6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников | Содержит свинец | UL признан, одобрен VDE | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 1 | 1 | 1 Мбит / с | Транзистор | Logic IC вывод Optocoupler | ОДИНОКИЙ | 800 нс | 3750vrms | 1,7 В. | 25 мА | 8 мА | 20 В | 19% @ 16ma | 50% @ 16ma | 200NS, 400NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81411NSZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-Dip | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 100% @ 500 мкА | 300% @ 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC825 | Островая микроэлектроника | $ 23,35 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 2 | 2 | 35 В. | Дарлингтон | 0,05а | 60 мкс | 5000 дюймов | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 600% | 80 мА | 1000NA | 600% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0SZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Содержит свинец | 6 | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1 | 1 | 35 В. | Дарлингтон | 0,05а | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XI2 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-SMD | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC844X1 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | Не совместимый с ROHS | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844x-datasheets-6832.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 4 | 4 | 80 В | Транзистор | 0,05а | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100NA | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81713NSZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1 | 1 | 80 В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2,5 мА | 50 мА | 200% @ 500 мкА | 500% @ 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817X2NIP0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2008 | 4-SMD, Крыло Чайки | 50 мА | Свободно привести | Неизвестный | 4 | Нет | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 4-SMD | 80 В | 80 В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 130% @ 5MA | 230% @ 5MA | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XIJ000F | Островая микроэлектроника | $ 0,10 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 4 | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 4-SMD | 80 В | 5 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XJ0000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 4 | Уль признан | неизвестный | 320 МВт | 320 МВт | 1 | 350 В. | 1MA | Дарлингтон | 300 мкс | 100 мкс | Одиночный со встроенным диодом и резистором | 5000 дюймов | 6 В | 1,2 В. | 350 В. | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 4000% | 200NA | 1000% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC844IJ1J00F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | AC, DC | ROHS COMPARINT | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc8444ij1-datasheets-6942.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 16 | 200 МВт | 4 | 200 МВт | 4 | 4 | 16-Dip | 80 В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC714V0NSZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | Непригодный | 100 ° C. | -25 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc714v0yszx-datasheets-7386.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1 | 1 | 80 В | 80 В | 1,2 В. | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 5000 В. | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC713V0Nizxf | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -25 ° C. | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf | SMD/SMT | Свободно привести | 1216 недель | Нет | 170 МВт | 1 | 1 | 80 В | 80 В | 1,2 В. | 50 мА | 4 мкс | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC713V0NSZXF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 6 | Уль признан | Нет | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 170 МВт | 170 МВт | 1 | 80 В | 80 В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | Транзистор выходной оптокуплер | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N4TJ00F | Островая микроэлектроника | $ 0,08 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2003 | 4-SMD, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Свободно привести | UL | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 6 В | 170 МВт | 170 МВт | 1 | 80 В | 80 В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750vrms | 6 В | 80 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC957L0YIP0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Opic ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 85 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc957l0nsz0f-datasheets-6927.pdf | 8-SMD | Свободно привести | 100 МВт | 1 | 8-SMD | 20 В | 25 мА | 1,7 В. | Транзистор | 5000 дюймов | 8 мА | 1,7 В. | 25 мА | 8 мА | 8 мА | 20 В | 19% @ 16ma | 50% @ 16ma | 200NS, 400NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC847X5J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x7j000f-datasheets-6947.pdf | 16-Dip | Свободно привести | 16 | Уль признан | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 200 МВт | 4 | 4 | 35 В. | Транзистор | 0,05а | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 В | 80 В | 100NA | 80% @ 5MA | 260% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT480 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 1997 | /files/sharpmicroelectronics-pt480-datasheets-2096.pdf | Радиал | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид сбоку | неизвестный | 1 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | Npn | 75 МВт | 75 МВт | 1 | 20 мА | Фото -транзистор | 70 ° | 3 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 35 В. | 6 В | 20 мА | 800 нм | 100 мкА | ДА | 1,7 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4810 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 1997 | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиал | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид сбоку | неизвестный | 1 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 75 МВт | 50 мА | Фото, Дарлингтон | 70 ° | 80 мкс | ОДИНОКИЙ | 75 МВт | 35 В. | 50 мА | 800 нм | 1MA | 0,8 мм | ДА | 0,45 мА | 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D15J0000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | -10 ° C ~ 60 ° C TA | 1 (неограниченный) | 50 мА | ROHS COMPARINT | 2001 | /files/sharpmicroelectronics gp2d15j0000f-datasheets-8653.pdf | Свободно привести | 3 | Открытый коллекционер | неизвестный | 4,5 В ~ 5,5 В. | 28 мА | Цифровой | 18,9 мм | Разъем | 24 см | 270 мм | 210 мм | Линейный датчик положения, фотоэлектрический, диффузный | 0,60-4,70 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5BNC15L02 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | Поднос | 4 (72 часа) | 90 ° C. | -30 ° C. | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/sharpmicroelectronics-gw5bnc15l02-datasheets-7071.pdf | Модуль | 18 мм | 2 мм | 18 мм | 10,2 В. | Белый | 18 мм | 2 | Нет | 1 | 3,6 Вт | 360 мА | 360 мА | E4 | ЗОЛОТО | 4,4 Вт | 30 | 360 мА | 10,2 В. | Одноцветный светодиодный кластер дисплей | 120 ° | Плоский | СЛОЖНЫЙ | 360 мА | 5 В | 190 LM | 90 | 25 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMC30NFC | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Мега Зенигата | Поверхностное крепление | Поднос | 20,00 мм LX24,00 мм ш | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2012 | SMD/SMT | 24 мм | 1,80 мм | 24 мм | Белый, теплый | 20 мм | 2 | Нет | 1.05A | 42 Вт | 700 мА | 37В | Круговой, плоский | 84 | Прямоугольник | -15V | 37В | 3000K | Белый | 2,45 клм | 700 мА | 1.05A | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5SGD30P05 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Миниатюрный Зенигата | Поднос | 8,00 мм LX12,00 мм ш | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 8 мм | 1,80 мм | 12 мм | Белый, теплый | 560 мА | 9,6 В. | Плоский | Прямоугольник | 9,6 В. | 3000K | 69 LM/W. | 25 ° C. | 330LM Тип | 500 мА | 560 мА | Плоский | 90 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMA27NFC | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Мега Зенигата | Поверхностное крепление | Поднос | 20,00 мм LX24,00 мм ш | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2012 | SMD/SMT | 24 мм | 1,80 мм | 20 мм | Белый, теплый | 20 мм | 2 | Нет | 700 мА | 28 Вт | 48 | 400 мА | 37В | Круговой, плоский | 48 | Прямоугольник | -15V | 37В | 2700K | Белый | 1,4 клм | 400 мА | 700 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMR50HED | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 6,50 мм LX15,00 мм ш | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2012 | SMD/SMT | 6,5 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, крутой | 520 мА | 320 мА | 36 В | Круглый, цветный, плоский | 48 | Прямоугольник | 36 В | 5000K | Белый | 1,13 клм | 320 мА | 520 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5SMD27P05 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Миниатюрный Зенигата | Поднос | 8,00 мм LX12,00 мм ш | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 1,80 мм | Белый, теплый | 560 мА | Прямоугольник | 9,6 В. | 2700K | 77 LM/W. | 25 ° C. | 370LM Тип | 500 мА | Плоский | 80 |
