Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая Микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Интерфейс | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Количество выходов | Расстояние между строками | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Напряжение - Выход (Макс.) | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Тип подсветки | Контрастность | Яркость | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Цвет — улучшенный | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQ085Y3DW01 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/sharpmicroelectronics-lq085y3dw01-datasheets-9441.pdf | Модуль | Без свинца | 18 недель | Параллельный, 24 бита (RGB) | TFT — цветной | 184,80 мм Ш x 110,88 мм В | Трансмиссивный | 480 пикселей | 800 пикселей | 8,5 215,90 мм | 8,5 дюймов | Светодиод - Белый | 800 х 480 (WVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,23 мм Ш x 0,23 мм В | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ121X3LG02 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 50°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sharp-lq121x3lg02-datasheets-9789.pdf | Модуль | Без свинца | 18 недель | ЛВДС | Нет | TFT — цветной | 245,80 мм Ш x 184,30 мм В | Трансмиссивный | 768 пикселей | 1024 пикселей | 12,1 307,34 мм | 12,1 дюйма | Светодиод - Белый | 1024 x 768 (XGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,24 мм Ш x 0,24 мм В | ВЕЛ | 1000:1 | 1200 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ121S1DG41 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Коробка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq121s1dg41-datasheets-0560.pdf | Модуль | 276 мм | 11 мм | 209 мм | Без свинца | Параллельный, 18 бит (RGB) | TFT — цветной | 246,00 мм Ш x 184,50 мм В | Трансмиссивный | 600 пикселей | 800 пикселей | 12,1 307,34 мм | 12,1 дюйма | CCFL | 800 х 600 (SVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,31 мм Ш x 0,31 мм В | CCFL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ101K1LY04A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ЛВДС | TFT — цветной | 217,00 мм Ш x 135,60 мм В | 10,1 256,54 мм | ВЕЛ | 1280 x 800 (WXGA1) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,17 мм Ш x 0,17 мм В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS100C | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | 60°С | -20°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs100c-datasheets-6326.pdf | Вид сбоку | Содержит свинец | 10 В | 560 нм | 3пА | 10 В | 500 нм ~ 600 нм | 1,55 мм2 | 3пА | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR3E3146 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Справочник по гамма-коррекции | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-ir3e3146-datasheets-0285.pdf | 20-QFN | Без свинца | 20 | TFT-ЖК-мониторы | 20-HQFN (4х4) | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81100NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81105nsz0f-datasheets-0678.pdf | ПДИП | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | 1,2 В | 5В | Транзисторный выход оптопара | 20 мкс | 10 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 6В | 350 мВ | 350 мВ | 30 мА | 30 мА | 400 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M7J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357m7j000f-datasheets-8612.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC355MJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC12311NSZ1H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 70В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X0NIP1B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC852XNNSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | 1 | 350В | Дарлингтон | 50 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 1000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H411NIP | Острая микроэлектроника | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h410nip-datasheets-6680.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC703V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc703v0yszx-datasheets-6728.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815I | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 6 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК814XP1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc364n1-datasheets-6632.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81712NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2мА | 50 мА | 80В | 160% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q410NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q410nip-datasheets-6854.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 80В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0NIZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc725v0nszx-datasheets-6815.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 6-СМД | 300В | Дарлингтон с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N290YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123AJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 5мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364N1J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc364n1j000f-datasheets-3985.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 10 мА | 1,2 В | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC724V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 35В | 4 мкс | 200 мВ | 80 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Y1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 5000В | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 50% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81711NIP0F | Острая микроэлектроника | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 10 мА | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 120% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC354NTJ000F | Острая микроэлектроника | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/sharpsocletechnology-pc354n1j000f-datasheets-0832.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N7TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 4,4 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 7 мм | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC845XJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc845xj0000f-datasheets-9573.pdf | 16-ДИП | Без свинца | UL | 16 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 35В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 35В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600 % | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 1В |
