Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAdvanced Linear Devices Inc. (1066)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Напряжение - оценка | Эксплуатационный ток снабжения | Операционный режим | Тип ввода | Ток - поставка | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Операционное напряжение питания | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Сопротивление | Количество булавок | Тип аксессуара | PBFREE CODE | Пол | Код ECCN | Достичь кода соответствия | Оценка комплекта | Номинальный ток снабжения | Приложения | Максимальная диссипация власти | Терминальная позиция | Терминальная форма | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние власти | Время ответа | Входной смещение ток | Количество элементов | Подкатегория | Входное напряжение (VOS) | Степень скорости | Усиление напряжения | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Разрешение | Количество битов | Выходной ток | Вывод типа | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Максимальное напряжение двойного питания | Тип усилителя | Получить продукт полосы пропускания | Материал транзистора | Конфигурация | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | Общий коэффициент отклонения режима | Функция | Архитектура | Мин двойное напряжение питания | Технология FET | Крыжительный ток | Количество проводников | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Текущий рейтинг (AMP) | Выходной ток на канал | Ссылочный тип | Количество входов | Количество конвертеров A/D | Ток - выход / канал | Используется IC / часть | Вторичные атрибуты | Сопротивление в штате (макс) | Утечь к сопротивлению источника | Количество преобразователей | Напряжение - поставка, аналог | Напряжение - поставка, цифровой | Напряжение - подача, одно/двойной (±) | Ток - покоя (максимум) | Напряжение - входное смещение (макс) | Ток - входной смещение (макс) | Ток - выход (тип) | Ток - выход | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Основные атрибуты | Поставляемое содержимое | Тип транзистора | Встроенный | Мультиплексор/демольтиплексный схема | Переключить цепь | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | FET функция | RDS на макс | Модуль/тип платы | Ток - утечка (is (off)) (макс) | Емкость канала (CS (OFF), CD (OFF)) | Время переключения (тонна, тофф) (макс) | Зарядка впрыска | Сопоставление канала к каналу (ΔRON) | Перекрестные помехи | Ток - входной смещение | Напряжение - входное смещение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD2724SBL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 5 мА | 5 мА | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald2724pbl-datasheets-5071.pdf | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 В | 8 недель | 14 | 6,5 мА | 2 | 40 мкВ | 5 В/мкс | 87.96db | 2 | 14 лет | 15 мА | Железнодорожник | 5,25 В. | Общее назначение | 2,1 МГц | 90 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 10,5 В ± 3,25 В ~ 5,25 В. | 0,01PA | 40 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EH300Kit | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Управление энергетикой | EPAD® | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ehj1c-datasheets-5672.pdf | 8 недель | Нет SVHC | Да | Возобновляемая энергия | EH300 (а) | 1,8 В до 3,6 В. | 500 МВт максимальный вход | Доска (ы), кабель (ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB810016 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald910019sal-datasheets-4843.pdf | 8 недель | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD810016 | Доска (ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB910024 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmb16-datasheets-5681.pdf | 8 недель | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD910024 | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB221 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2018 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmb2-datasheets-5064.pdf | 8 недель | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD910021 | 2-канальный (двойной) | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMBOVP225 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmbovp223-datasheets-3876.pdf | 6 недель | Перенапряжение | ALD910025 | 2-канальный (двойной) | Доска (ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB1T | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Тест и измерение | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 8 недель | Да | Цифровой вольтметр (DVM) | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2302ASA | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | SOIC | 500 мкА | 6 В | 2 В | 500 мкА | 2 | 400 нс | 2 мВ | 600 МВт | 60 мА | 60 мА | 200pa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2301ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 1998 | /files/advancedlineardevicesinc-ald2301sal-datasheets-7189.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 18 мкА | 8 недель | 12 В | 3В | 8 | 18 мкА | 600 МВт | 2 | 650 нс | 200pa | 2 | 2 мВ | 8 лет | 60 мА | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL | 180 мкА | 60 мА | 3 В ~ 10 В ± 1,5 В ~ 5 В. | 180 мкА | 2 МВ @ 5V | 200pa @ 5V | 60 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2301APAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 1998 | /files/advancedlineardevicesinc-ald2301sal-datasheets-7189.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 18 мкА | 8 недель | 12 В | 3В | 8 | 18 мкА | 600 МВт | 2 | 650 нс | 200pa | 2 | 2 мВ | 8-Pdip | 60 мА | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL | 200pa | 180 мкА | 60 мА | 3 В ~ 10 В ± 1,5 В ~ 5 В. | 180 мкА | 2 МВ @ 5V | 200pa @ 5V | 60 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2301CSAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 1998 | /files/advancedlineardevicesinc-ald2301sal-datasheets-7189.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 18 мкА | 8 недель | 12 В | 3В | 8 | 18 мкА | 600 МВт | 2 | 650 нс | 4pa | 2 | 20 мВ | 8 лет | 60 мА | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL | 180 мкА | 60 мА | 3 В ~ 10 В ± 1,5 В ~ 5 В. | 180 мкА | 20 мВ @ 5V | 4pa @ 5V | 60 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EHJ2C | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ehj1c-datasheets-5672.pdf | Модуль | 150 мм | 8 недель | Нет SVHC | Кабельная сборка | Женщина к женщине | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810019SCLI | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | 10,6 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlineardevicesinc-ald910019sal-datasheets-4842.pdf | 80 мА | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | SuperCapacitor Auto Balancing | 4 | 16 лет | 80 мА | 4 N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910018SALI | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | 10,6 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlineardevicesinc-ald810018scl-datasheets-5457.pdf | 80 мА | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 84,99187 мг | 8 | SuperCapacitor Auto Balancing | 500 МВт | 2 | Двойной | 8 лет | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В. | 10,6 В. | 80 мА | 14 гам | 2 N-канал (двойной) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810027SCLI | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | 2,7 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlineardevicesinc-ald810027scl-datasheets-5079.pdf | 80 мА | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | SuperCapacitor Auto Balancing | 4 | 16 лет | 80 мА | 4 N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1107SBL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/advancedlineardevicesinc-ald1107sbl-datasheets-9190.pdf | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 14 | 8 недель | 14 | да | Ear99 | неизвестный | 500 МВт | Двойной | Крыло Печата | 500 МВт | 4 | 2MA | -13.2V | Кремний | Общий субстрат, 4 элемента | Переключение | 10,6 В. | Металлический полупроводник | -12V | 4 P-канал, соответствующая пара | 3pf @ 5V | 1800 Ом @ 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD210800APCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/advancedlineardevicesinc-ald210800scl-datasheets-3202.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 16 | 500 МВт | 500 МВт | 16-pdip | 15pf | 10 нс | 80 мА | 10,6 В. | 500 МВт | 25om | 10 В | 4 N-канала, соответствующая пара | 15pf @ 5V | 25om | 10 мВ при 10 мкА | 80 мА | Логический уровень затвора | 25 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1106PBL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/advancedlineardevicesinc-ald1106pbl-datasheets-7335.pdf | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 14 | 500 МВт | 500 МВт | 14-Pdip | 4,8 мА | 13.2V | 10,6 В. | 500 МВт | 350om | 12 В | 4 N-канала, соответствующая пара | 3pf @ 5V | 500OM @ 5V | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | 350 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/advancedlineardevicesinc-ald111933sal-datasheets-6940.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 | 8 недель | 8 | да | Ear99 | неизвестный | 500 МВт | Двойной | 500 МВт | 2 | 10 нс | 6,9 мА | 10,6 В. | Кремний | Переключение | Металлический полупроводник | 10 В | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 2,5PF @ 5V | 500 Ом @ 5,9 В | 3,35 В @ 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD210808PCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/advancedlineardevicesinc-ald210808scl-datasheets-0226.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 1.025005G | 16 | 500 МВт | 4 | 16-pdip | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В. | 10,6 В. | 500 МВт | 25om | 10 В | 4 N-канала, соответствующая пара | 20 мВ при 10 мкА | 80 мА | Логический уровень затвора | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD310704ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/advancedlineardevicesinc-ald310704scl-datasheets-0230.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 16 лет | 8 В | 500 МВт | 4 P-канал, соответствующая пара | 2,5PF @ 5V | 380 мВ @ 1 млекс | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD310708ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald310708scl-datasheets-3649.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | да | неизвестный | 8 В | 500 МВт | 4 P-канал, соответствующая пара | 2,5PF @ 5V | 780 мВ при 1 мкс | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1110ESAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/advancedlineardevicesinc-ald1108escl-datasheets-0221.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 600 МВт | 600 МВт | 8 лет | 2,5 пт | 3MA | 10 В | 600 МВт | 500om | 10 В | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 2,5PF @ 5V | 500OM @ 5V | 1,01 В @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EA102 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/advancedlineardevicesinc-e100ug-datasheets-7504.pdf | Модуль | 8 недель | Адаптерная доска | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD500ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Дифференциал | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/advancedlineardevicesinc-ald500scl-datasheets-4576.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 5,5 В. | 8 недель | 16 | 600 МВт | 1 | 16 лет | 2.125 б | 17 | Адвокат | Сар - | Внешний | 1 | 1 | 1 | ± 5 В. | ± 5 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD4211PCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2016 | /files/advancedlineardevicesinc-ald4211scl-datasheets-2068.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 млекс | 8 недель | 12 В | 3В | 135ohm | 16 | 10NA | 600 МВт | 4 | 16-pdip | 300 нс | 1,5 мкс | 6 В | 135ohm | 3 В ~ 12 В ± 1,5 В ~ 6 В. | 1: 1 | Spst - nc | 100pa | 3pf 3pf | 130ns, 130ns | 0,2 шт | 2,7 Ом | -90db @ 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1704GPAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 3MA | 3MA | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald1704gpal-datasheets-0763.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 5 мА | 1 | 10 мВ | 5 В/мкс | 103,52DB | 1 | 8-Pdip | 15 мА | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 2,1 МГц | 60 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 12 В ± 3,25 В ~ 6 В. | 1pa | 10 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1704SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 3MA | 3MA | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald1704gpal-datasheets-0763.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 4,5 мА | 1 | 4,5 мВ | 5 В/мкс | 103,52DB | 1 | 8 лет | 15 мА | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 2,1 МГц | 65 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 10 В ± 3,25 В ~ 5 В. | 1pa | 4,5 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2731PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 240 мкА | ROHS3 соответствует | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | Ear99 | неизвестный | Оперативный усилитель | 1 мВ | 0,7 В/мкс | 2 | Железнодорожник | Общее назначение | 700 кГц | 1MA | 2 В ~ 10 В ± 1 В ~ 5 В. | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1704BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 3MA | 3MA | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald1704gpal-datasheets-0763.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 4,5 мА | 1 | 2 мВ | 5 В/мкс | 103,52DB | 1 | 8-Pdip | 15 мА | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 2,1 МГц | 65 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 12 В ± 3,25 В ~ 6 В. | 1pa | 2 мВ |
