Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAdvanced Linear Devices Inc. (1066)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Напряжение - оценка | Эксплуатационный ток снабжения | Тип ввода | Ток - поставка | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Операционное напряжение питания | Максимальный ток снабжения | Время выполнения завода | Масса | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Сопротивление | Количество булавок | Тип аксессуара | PBFREE CODE | Достичь кода соответствия | Оценка комплекта | Номинальный ток снабжения | Приложения | Максимальная диссипация власти | Подсчет штифтов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние власти | Время ответа | Входной смещение ток | Количество элементов | Входное напряжение (VOS) | Степень скорости | Усиление напряжения | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Количество битов | Выходной ток | Вывод типа | Включить время задержки | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Максимальное напряжение двойного питания | Тип усилителя | Получить продукт полосы пропускания | Конфигурация | Слейте до источника напряжения (VDS) | Общий коэффициент отклонения режима | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Функция | Архитектура | Мин двойное напряжение питания | Крыжительный ток | Сила - Макс | Текущий рейтинг (AMP) | Выходной ток на канал | Ссылочный тип | Количество входов | Количество конвертеров A/D | Ток - выход / канал | Используется IC / часть | Сопротивление в штате (макс) | Утечь к сопротивлению источника | Количество преобразователей | Напряжение - поставка, аналог | Напряжение - поставка, цифровой | Напряжение - подача, одно/двойной (±) | Ток - покоя (максимум) | Напряжение - входное смещение (макс) | Ток - входной смещение (макс) | CMRR, PSRR (тип) | Ток - выход (тип) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Основные атрибуты | Поставляемое содержимое | Тип транзистора | Мультиплексор/демольтиплексный схема | Переключить цепь | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | FET функция | RDS на макс | Модуль/тип платы | Ток - утечка (is (off)) (макс) | Емкость канала (CS (OFF), CD (OFF)) | Время переключения (тонна, тофф) (макс) | Зарядка впрыска | Сопоставление канала к каналу (ΔRON) | Перекрестные помехи | Ток - входной смещение | Напряжение - входное смещение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD212904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/advancedlineardevicesinc-ald212904sal-datasheets-0208.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 10,6 В. | 500 МВт | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 20 мВ при 10 мкА | 80 мА | Логический уровень затвора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD212908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD®, Zero Threshold ™ | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/advancedlineardevicesinc-ald212908sal-datasheets-0220.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 930.006106MG | 8 | 500 МВт | 2 | 8-Pdip | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В. | 10,6 В. | 500 МВт | 14om | 10 В | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 20 мВ при 10 мкА | 80 мА | Логический уровень затвора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD110804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/advancedlineardevicesinc-ald110904pal-datasheets-0224.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 16 | да | неизвестный | 500 МВт | 500 МВт | 10 нс | 3MA | 10,6 В. | 10 В | 4 N-канала, соответствующая пара | 2,5PF @ 5V | 500 Ом @ 4,4 В | 420 мВ при 1 мкс | 12 мА 3MA | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1110EPAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald1108escl-datasheets-0221.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 600 МВт | 600 МВт | 8-Pdip | 2,5 пт | 3A | 10 В | 600 МВт | 500om | 10 В | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 2,5PF @ 5V | 500OM @ 5V | 1,01 В @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD114913PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/advancedlineardevicesinc-ald114913sal-datasheets-9220.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500 МВт | Двойной | 500 МВт | 8-Pdip | 2,5 пт | 10 нс | 3MA | 10,6 В. | 10,6 В. | 500 МВт | 500om | 10 В | 2 N-канала (двойная) сопоставленная пара | 2,5PF @ 5V | 500OM @ 2,7 В. | 1,26 В @ 1 мкА | 12 мА 3MA | Режим истощения | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Easoic | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/advancedlineardevicesinc-e100ug-datasheets-7504.pdf | Модуль | 8 недель | Адаптерная доска | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD500ASWCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Дифференциал | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/advancedlineardevicesinc-ald500scl-datasheets-4576.pdf | 16 SOIC (0,295, ширина 7,50 мм) | 5,5 В. | 8 недель | 16 | 1 | 16 лет | 17 | Адвокат | Сар - | Внешний | 1 | 1 | 1 | ± 5 В. | ± 5 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD4202MPCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | /files/advancedlineardevicesinc-ald4202mscl-datasheets-3893.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 млекс | 8 недель | 12 В | 3В | 135ohm | 16 | 10NA | 600 МВт | 4 | 16-pdip | 110 нс | 180 нс | 6 В | 135ohm | 3 В ~ 12 В ± 1,5 В ~ 6 В. | 1: 1 | Spst - нет | 100pa | 3pf 3pf | 240ns, 130ns | 2pc | 2,7 Ом | -90db @ 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1704PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 3MA | 3MA | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald1704gpal-datasheets-0763.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 4,5 мА | 1 | 4,5 мВ | 5 В/мкс | 103,52DB | 1 | 8-Pdip | 15 мА | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 2,1 МГц | 65 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 10 В ± 3,25 В ~ 5 В. | 1pa | 4,5 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1732PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald1732pal-datasheets-2047.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 100 мкВ | 2,1 В/мкс | 1 | 8-Pdip | Железнодорожник | Общее назначение | 1,5 МГц | 4 В ~ 10 В ± 2 В ~ 5 В. | 10pa | 100 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2706SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 50 мкА | 50 мкА | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald2706bsal-datasheets-1678.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 50 мкА | 2 | 10 мВ | 0,1 В/мкс | 109,54DB | 2 | 8 лет | 200 мкА | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 200 кГц | 60 дБ | 1V | 200 мкА | 200 мкА | 2 В ~ 12 В ± 1 В ~ 6 В. | 0,1pa | 10 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2701BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 240 мкА | 240 мкА | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald2701pal-datasheets-3518.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 В | 8 недель | 8 | 500 мкА | 2 | 5 мВ | 1 В/мкс | 107.96db | 2 | 8 лет | 1MA | Железнодорожник | 6 В | Общее назначение | 1 МГц | 65 дБ | 1V | 1MA | 1MA | 2 В ~ 12 В ± 1 В ~ 6 В. | 1pa | 5 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD1724EPAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | PDIP | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2736APAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald2736asal-datasheets-1568.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 600 мкВ | 0,1 В/мкс | 1 | 8-Pdip | Железнодорожник | Общее назначение | 200 кГц | 2 В ~ 10 В ± 1 В ~ 5 В. | 10pa | 600 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2736PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald2736asal-datasheets-1568.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 2 мВ | 0,1 В/мкс | 1 | 8-Pdip | Железнодорожник | Общее назначение | 200 кГц | 2 В ~ 10 В ± 1 В ~ 5 В. | 10pa | 2 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD4704BPBL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 10 мА | 10 мА | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald4704sbl-datasheets-3469.pdf | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 В | 8 недель | 14 | 13ma | 4 | 2 мВ | 5 В/мкс | 100 дБ | 4 | 14-Pdip | 15 мА | Толчок, железнодорожный долив | 6 В | Общее назначение | 2,1 МГц | 65 дБ | 3,25 В. | 15 мА | 15 мА | 6,5 В ~ 12 В ± 3,25 В ~ 6 В. | 1pa | 2 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2726SBL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EPAD® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 50 мкА | 50 мкА | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ald2726epbl-datasheets-1936.pdf | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 В | 8 недель | 14 | 80 мкА | 2 | 50 мкВ | 0,1 В/мкс | 100 дБ | 2 | 14 лет | 200 мкА | Железнодорожник | 5 В | Общее назначение | 200 кГц | 90 дБ | 1V | 200 мкА | 200 мкА | 2 В ~ 10 В ± 1 В ~ 5 В. | 0,01PA | 50 мкВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB621 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmb621-datasheets-3152.pdf | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD910021 | 6-канальный (HEX) | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB810017 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-ald910019sal-datasheets-4843.pdf | 8 недель | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD810017 | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB2 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2018 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmb2-datasheets-5064.pdf | 8 недель | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD9100XX | 2-канальный (двойной) | Ненаписленная (голой) плата (ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMBOVP226 | Advanced Linear Devices Inc. | $ 16,48 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmbovp223-datasheets-3876.pdf | 6 недель | Перенапряжение | ALD910026 | 2-канальный (двойной) | Доска (ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SABMB616 | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Защита схемы | EPAD®, SAB ™ | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-sabmb621-datasheets-3152.pdf | Суперконденсатор балансировка клеток | ALD910016 | 6-канальный (HEX) | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB203A20V | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Тест и измерение | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advanceneardevicesinc-mb203chipset-datasheets-5786.pdf | 8 недель | Да | Цифровой вольтметр (DVM) | ALD500R, ALD523D | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2332PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | EPAD® | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald2332sal-datasheets-9969.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 500 мкА | 8 недель | да | неизвестный | 500 мкА | 600 МВт | 8 | 2,4 мкс | 20pa | 2 | 2 мВ | 103,52DB | 50 мА | CMOS, NMOS, PushPul, TTL | 75 дБ | 75 дБ | 500 мкА | 4 В ~ 10 В ± 2 В ~ 5 В. | 2 МВ @ 5V | 20pa @ 5V | 80DB CMRR, 75DB PSRR | 50 мА @ 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2303ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald2303pal-datasheets-3362.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 40 мкА | 8 недель | 12 В | 3В | 8 | 40 мкА | 600 МВт | 2 | 6,5 мкс | 1NA | 2 | 1 мВ | 8 лет | 60 мА | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL | 40 мкА | 60 мА | 3 В ~ 10 В ± 1,5 В ~ 5 В. | 40 мкА | 1 мв @ 5V | 0,001 мкА при 5 В | 60 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD2331PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Общее назначение | EPAD® | Через дыру | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald2331bsal-datasheets-4160.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 180 мкА | 8 недель | да | неизвестный | 180 мкА | 600 МВт | 8 | 2,4 мкс | 20pa | 2 | 2 мВ | 103,52DB | 50 мА | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL | 75 дБ | 75 дБ | 180 мкА | 3 В ~ 10 В ± 1,5 В ~ 5 В. | 2 МВ @ 5V | 20pa @ 5V | 80DB CMRR, 75DB PSRR | 50 мА @ 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EHJ4C | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Кабель | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancelineardevicesinc-ehj5c-datasheets-5681.pdf | 152,4 мм | 8 недель | Кабельная сборка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810025SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 10,6 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlineardevicesinc-ald810025scl-datasheets-5172.pdf | 80 мА | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997 мг | 16 | SuperCapacitor Auto Balancing | 500 МВт | 4 | 16 лет | 10 нс | 10 нс | 1 млекс | 10,6 В. | 10,6 В. | 80 мА | 2,5 мох | 4 N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910016SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 10,6 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlineardevicesinc-ald910016sal-datasheets-5504.pdf | 80 мА | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | SuperCapacitor Auto Balancing | 2 | 8 лет | 80 мА | 2 N-канал (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810020SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SAB ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | 10,6 В. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/advancedlinearDevicesInc-ald910020SLI-datasheets-5466.pdf | 80 мА | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997 мг | 16 | SuperCapacitor Auto Balancing | 500 МВт | 4 | 16 лет | 10 нс | 10 нс | 1 млекс | 10,6 В. | 10,6 В. | 80 мА | 2 мом | 4 N-канал |
