| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4850 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,1 Вт | 2,3А | 75В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 380пФ при 30В | 130 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД413А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | 3 | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12А | 20 В | Одинокий | 40В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | P-канал | 1125пФ при 20В | 44 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Тс | 21 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6974 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6974-datasheets-5607.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (полумост) | 951пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4803Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 5А | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 520пФ при 15В | 52 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 11 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4822L_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК @ 10 В | Стандартный | 19 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8801Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | ЦСОП | 1,4 Вт | 8-ЦСОП | 4,7А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 1450пФ при 10В | 42 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,7А Та | 17,2 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6802L_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 1,15 Вт | 6-ЦОП | 210пФ | 3,5 А | 30 В | 1,15 Вт | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 15В | 50 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3,5 А | 5 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4606L | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 6 нК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ42С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | Без свинца | 16 недель | Мощность FET общего назначения | 37А | Одинокий | 600В | 417 Вт Тс | N-канал | 2154пФ при 100 В | 99 мОм при 21 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 37А Тц | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOY66923 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 100 В | 6,2 Вт Та 73 Вт Тс | N-канал | 1725пФ при 50В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16,5 А Та 58 А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС21321 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30 В | 5 Вт Та 24,5 Вт Тс | P-канал | 1180пФ при 15В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 14А Та 24А Тс | 34 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6796 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,35 нФ | 70А | 30 В | 6,2 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1350пФ при 15В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 32А Та 70А Тс | 23 нК при 10 В | 3,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2544 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 675пФ | 23А | 150 В | 6,2 Вт Ta 75 Вт Tc | N-канал | 675пФ при 75В | 54 мОм при 5 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 23 А Тс | 20 нК при 10 В | 54 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС66920 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 100 В | 5 Вт Та 56,5 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 50В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 17,5 А Та 48 А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6280 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | 230А | N-канал | 3930пФ при 40В | 4,1 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В при 250 мкА | 17А Та 85А Тс | 82 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| АОУ3Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 57 Вт | 1 | 2,8А | 30 В | 500В | 57 Вт Тс | N-канал | 331пФ при 25В | 3 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,8 А Тс | 8 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ380А60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС5™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 600В | 27 Вт Тс | N-канал | 955пФ при 100 В | 380 мОм при 5,5 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 11А Тк | 20 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6792 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 85А | 30 В | 6,2 Вт Та 48 Вт Тс | N-канал | 3110пФ при 15 В | 2 м Ом при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 44А Та 85А Тс | 49 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3421 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 16 недель | 3 | Другие транзисторы | 2,6А | Одинокий | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 240пФ при 15В | 110 мОм при 2,6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 5,2 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТС21319С | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 30 В | 1,2 Вт Та | P-канал | 320пФ при 15В | 100 мОм при 2,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2916Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 17А | 100 В | 2,1 Вт Ta 23,5 Вт Tc | N-канал | 870пФ при 50В | 34 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5А Та 17А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2Н100 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Нет | 83 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 2А | 30 В | Одинокий | 1000В | 83 Вт Тс | 2А | N-канал | 580пФ при 25В | 9 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ4Н90 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | 37 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 4А | 30 В | Одинокий | 900В | 37 Вт Тс | 4А | N-канал | 880пФ при 25В | 3,6 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 22 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2606 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 46А | 60В | 2,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4050пФ при 30 В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 14А Та 46А Тс | 75 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | НЕТ | Мощность FET общего назначения | Одинокий | 600В | 250 Вт Тс | 10А | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК2500Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $22,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | ТО-247 | 6,46 нФ | 180А | 150 В | 3,1 Вт Ta 500 Вт Tc | N-канал | 6460пФ при 75В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 14А Та 180А Тс | 136 нК при 10 В | 6,2 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2916 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod2916-datasheets-6992.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 25А | 100 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 870пФ при 50В | 34 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5,5 А Та 25 А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД6Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 5.3А | 500В | 104 Вт Тс | N-канал | 670пФ при 25В | 1,4 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5,3 А Тс | 14 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ7N60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 3 | 178 Вт | 1 | 7А | 30 В | 600В | 178 Вт Тс | N-канал | 1170пФ при 25В | 1,3 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 24 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6384 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30 В | 36 Вт Тк | N-канал | 1330пФ при 15В | 3,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 83А Тк | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.