Альфа и Омега Semiconductor Inc.

Альфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Высота Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Количество контактов Код Pbfree Радиационная закалка Идентификатор упаковки производителя Достичь кода соответствия Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество каналов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Максимальная температура перехода (Tj) Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Включить время задержки Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
AOT7N65 АОТ7Н65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,24 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель 192 Вт 1 30 В 650В 192 Вт Тс N-канал 1060пФ при 25В 1,56 Ом при 3,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 7А Тк 23 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOT12N40L АОТ12Н40Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. $4,25
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot12n40l-datasheets-5834.pdf ТО-220-3 18 недель 11А 400В 184 Вт Тс N-канал 1110пФ при 25 В 590 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 11А Тс 21 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF4S60 АОТФ4С60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,23 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 3 16 недель 3 да Нет ОДИНОКИЙ 3 31 Вт 1 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 31 Вт Тс ТО-220АБ 0,9 Ом 77 мДж N-канал 263пФ при 100 В 900 мОм при 2 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 4А Тк 6 нК @ 10 В 10 В ±30 В
AON6282 АОН6282 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель Полномочия общего назначения FET 85А Одинокий 80В 7,4 Вт Та 83 Вт Тс N-канал 2848пФ при 40 В 5,6 мОм при 20 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 26,5 А Та 85 А Тс 51 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
AOSS21319C АОСС21319C Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,48 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 18 недель 30 В 1,3 Вт Та P-канал 320пФ при 15В 100 мОм при 2,8 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 2,8А Та 12 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOD2910 АОД2910 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/alphaomegasemiconductor-aod2910-datasheets-7072.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 18 недель 31А 100 В 2,5 Вт Ta 53,5 Вт Tc N-канал 1190пФ при 15В 24 мОм при 20 А, 10 В 2,7 В @ 250 мкА 6,5 А Та 31 А Тс 25 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOL1454G АОЛ1454Г Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаСГТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 3-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 40В 6,2 Вт Та 52 Вт Тс N-канал 1480пФ при 20В 5,9 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 25А Та 46А Тс 30 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOD4454 АОД4454 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,28 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod4454-datasheets-7298.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 18 недель 20А 150 В 2,5 Вт Та 100 Вт Тс N-канал 985пФ при 75В 94 мОм при 10 А, 10 В 4,6 В @ 250 мкА 3А Та 20А Тс 20 нК при 10 В 7В 10В ±20 В
AON6264E АОН6264Е Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель
AON6366E АОН6366Е Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаМОС Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 30 В 46 Вт Тс N-канал 3020пФ при 15В 3,7 мОм при 20 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 34А Тк 80 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON7380 АОН7380 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,32 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаМОС Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год 8-PowerVDFN 18 недель 8-ДФН (3х3) 825пФ 24А 30 В 4,1 Вт Та 24 Вт Тс N-канал 825пФ при 15В 6,8 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 24А Тк 25 нК при 10 В 6,8 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
AON7538 АОН7538 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаМОС Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerVDFN 18 недель Полевой транзистор общего назначения 30А Одинокий 30 В 4,2 Вт Та 24 Вт Тс N-канал 1128пФ при 15В 5,1 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 23А Та 30А Тс 25 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON6576 АОН6576 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerSMD, плоские выводы 5 18 недель да ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф5 32А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 5 Вт Та 26 Вт Тс 128А 0,0072Ом 27 мДж N-канал 1320пФ при 15В 4,7 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 26А Та 32А Тс 27 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT22N50L АОТ22Н50Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,96 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель Нет 417 Вт 1 22А 500В 417 Вт Тс N-канал 3710пФ при 25 В 260 мОм при 11 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 22А Тк 83 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF20N60 АОТФ20Н60 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 18 недель 20А 600В 50 Вт Тс N-канал 3680пФ при 25В 370 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 20А Тс 74 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOT1608L АОТ1608Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. $5,18
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C, ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель 140А 60В 2,1 Вт Та 333 Вт Тс N-канал 3690пФ при 25 В 7,6 мОм при 20 А, 10 В 3,7 В @ 250 мкА 11А Та 140А Тс 84 нК при 10 В 10 В ±20 В
AOT14N50FD АОТ14Н50ФД Альфа и Омега Semiconductor Inc. $7,49
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot14n50fd-datasheets-8926.pdf ТО-220-3 18 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН Полевой транзистор общего назначения 14А Одинокий 500В 278 Вт Тс N-канал 2010пФ при 25В 470 мОм при 7 А, 10 В 4 В при 250 мкА 14А Тс 47 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOWF7S65 АОВФ7С65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,17 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 16 недель 434пФ 650В 25 Вт Тс N-канал 434 пФ при 100 В 650 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В при 250 мкА 7А Тк 9,2 нК при 10 В 650 мОм 10 В ±30 В
AOTF16N50 АОТФ16Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,90 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 18 недель 16А 500В 50 Вт Тс N-канал 2297пФ при 25 В 370 мОм при 8 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 16А Тс 51 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOK18N65L АОК18Н65Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 2,41 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. ТО-247-3 18 недель 417 Вт 1 18А 30 В 650В 417 Вт Тс N-канал 3785пФ при 25 В 390 мОм при 9 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 18А Тк 68 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOK5N100 АОК5Н100 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aok5n100-datasheets-4886.pdf ТО-247-3 18 недель 1000В 195 Вт Тс N-канал 1150пФ при 25В 4,2 Ом при 2,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 4А Тк 23 нК при 10 В 10 В ±30 В
AON6560 АОН6560 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год 8-PowerSMD, плоские выводы 1 мм 18 недель DFN5x6_8L_EP1_P 1 7,3 Вт 150°С 8-ДФН (5х6) 11,5 нФ 16 нс 115,5 нс 200А 20 В 30 В 1,4 В 7,3 Вт Та 208 Вт Тс 550 мкОм 30 В N-канал 11500пФ при 15В 0,62 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 84А Та 200А Тс 325 нК при 10 В 680 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
AOB296L АОБ296Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,26 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob296l-datasheets-8172.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель Полевой транзистор общего назначения 70А Одинокий 100 В 2,1 Вт Та 107 Вт Тс N-канал 2785пФ при 50В 9,7 мОм при 20 А, 10 В 3,4 В при 250 мкА 9,5 А Та 70 А Тс 52 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
AOTF9N90 АОТФ9Н90 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf9n90-datasheets-8389.pdf ТО-220-3 Полный пакет 3 18 недель 3 ОДИНОКИЙ 1 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ 900В 900В 50 Вт Тс ТО-220АБ N-канал 2560пФ при 25В 1,3 Ом при 4,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 9А Тц 58 нК при 10 В 10 В ±30 В
AO4438 АО4438 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,12 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4438-datasheets-1637.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 16 недель 8 3,1 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 8.2А 20 В Одинокий 60В 3,1 Вт Та N-канал 2300пФ при 30 В 22 мОм при 8,2 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 8.2А Та 58 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AO7404 АО7404 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,06 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao7404-datasheets-4533.pdf СК-70, СОТ-323 3 350мВт 1 Полевой транзистор общего назначения Одинокий 20 В 350мВт Та N-канал 101пФ при 10В 225 мОм при 1 А, 4,5 В 800 мВ при 250 мкА 1А Та 1,57 нК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
AOL1700 АОЛ1700 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,78 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СРФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2008 год 3-PowerSMD, плоские выводы неизвестный 85А 30 В 2,1 Вт Та 100 Вт Тс N-канал 4512пФ при 15 В 4,2 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 17А Та 85А Тс 74 нК при 10 В Диод Шоттки (корпус) 4,5 В 10 В ±20 В
AO3460 АО3460 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,06 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao3460-datasheets-6050.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 16 недель 3 Нет 1,4 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 650 мА 20 В Одинокий 60В 1,4 Вт Та 0,65 А N-канал 27пФ при 30В 1,7 Ом при 650 мА, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 650 мА Та 4,5 В 10 В ±20 В
AOTF298L АОТФ298Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C, ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель ТО-220-3Ф 1,67 нФ 33А 100 В 2,1 Вт Та 33 Вт Тс N-канал 1670пФ при 15В 14,5 мОм при 20 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 9А Та 33А Тс 27 нК при 10 В 14,5 мОм 10 В ±20 В
AOD518 АОД518 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,15 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod518-datasheets-0513.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 50 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 54А 20 В Одинокий 30 В 2,5 Вт Та 50 Вт Тс 46А N-канал 951пФ при 15 В 8 м Ом при 20 А, 10 В 2,6 В @ 250 мкА 15А Та 54А Тс 22,5 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.