Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОД603А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod603a-datasheets-8943.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 18 недель | 5 | 2 Вт | 3А | 60В | N и P-каналы, общий сток | 540пФ при 30В | 60 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,5 А 3 А | 10 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП609 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductor-aop609-datasheets-9794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2,5 Вт | 3,5 А | 60В | N и P-канал | 570пФ при 30 В | 60 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6884 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6884-datasheets-0763.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 1,6 Вт | 21 Вт | 2 | 9А | 20 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1950пФ при 20В | 11,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 33 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6884Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 40В | 21 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1950пФ при 20В | 11,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 34А Тк | 16 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4616Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 1250пФ при 15В 1573пФ при 15В | 20 м Ом при 8,1 А, 10 В, 25 м Ом при 7,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА, 2,7 В при 250 мкА | 8,1 А Та 7,1 А Та | 19,2 нК при 10 В, 30,9 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6934 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6934-datasheets-2505.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | 30А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2802 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aoc2802-datasheets-1820.pdf | 4-УФБГА, WLCSP | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 10,4 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7508 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 62,5 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Ta 62,5 Вт Tc | 32А | 0,0046Ом | 63 мДж | N-канал | 1835пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 26А Та 32А Тс | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| АОН2809 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon2809-datasheets-2614.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 2,1 Вт | 2А | 12 В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 415пФ при 6В | 68 мОм при 2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,4 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801АС | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4828Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 30В | 56 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4605_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SMD, плоский вывод | 1,9 Вт | 8-ДФН (3х2) | 210пФ | 3,4А | 30 В | 1,9 Вт | N и P-канал | 210пФ при 15В | 50 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,3 А 3,4 А | 5 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3816_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SMD, плоский вывод | 2,5 Вт | 8-ДФН (3х3) | 1,1 нФ | 20 В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1100пФ при 10В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 13 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 22 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6262Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 60В | 48 Вт Тс | N-канал | 1650пФ при 30В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Тс | 45 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6242 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | 240А | 0,0036Ом | N-канал | 6370пФ при 30 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18,5 А Та 85 А Тс | 72 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АОН7403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon7403-datasheets-9395.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | С-ПДСО-Ф5 | 29А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | P-канал | 1400пФ при 15В | 18 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та 29А Тс | 24 нК при 15 В | 5В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||
| АО4476А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4184A | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | Нет | 50 Вт | 1 | 50А | 20 В | 40В | 2,3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 20В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 13А Та 50А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 6-UDFN Открытая площадка | Без свинца | 18 недель | 8А | 12 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 1370пФ при 6В | 21 мОм при 8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8А Та | 18 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС66966 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aons66966-datasheets-5852.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 100 В | 6,2 Вт Ta 215 Вт Tc | N-канал | 5325пФ при 50В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,6 В @ 250 мкА | 31,3 А Та 100 А Тс | 95 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4466 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | 50А | 0,023Ом | N-канал | 448пФ при 15В | 23 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 10А Та | 8,6 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОТ14Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 278 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14А | 30 В | Одинокий | 500В | 278 Вт Тс | N-канал | 2297пФ при 25 В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ4Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 104 Вт | 1 | ТО-220 | 615пФ | 4А | 30 В | 600В | 104 Вт Тс | N-канал | 615пФ при 25В | 2,2 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 18 нК @ 10 В | 2,2 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6452 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 35 Вт | 1 | 26А | 25 В | 100 В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Та 26 А Тс | 34 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6424А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6-ЦОП | 270пФ | 6,5 А | 30 В | 2,5 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 35 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 12 нК при 10 В | 35 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6234 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 85А | 40В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2805пФ при 20 В | 3,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 20А Та 85А Тс | 41 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ8Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | 8А | 500В | 27,8 Вт Тс | N-канал | 1042пФ при 25В | 850 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | Нет | 29 Вт | 1 | 40А | 8В | 20 В | 3,1 Вт Та 29 Вт Тс | P-канал | 4195пФ при 10 В | 9,5 мОм при 14 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 14,5 А Та 40 А Тс | 53 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2610Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 35А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 2007пФ при 30В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Та 35А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ468 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 11,5А | 300В | 150 Вт Тс | N-канал | 790пФ при 25 В | 420 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11,5 А Тс | 16 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
