Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Условия испытания | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОК30Б60Д | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 3 | 278 Вт | BIP-транзисторы с изолированным затвором | N-КАНАЛЬНЫЙ | 278 Вт | 137 нс | 600В | 2,1 В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,1 В @ 15 В, 30 А | 47 нК | 128А | 26 нс/71 нс | 1,18 мДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОКС40Б60Д1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 278 Вт | ТО-247 | 278 Вт | 600В | 2,4 В | 80А | 600В | 80А | 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | 45 нК | 140А | 29 нс/74 нс | 1,55 мДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Б60Д | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aot10b60d-datasheets-3305.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 3 | 163 Вт | BIP-транзисторы с изолированным затвором | N-КАНАЛЬНЫЙ | 163 Вт | 105 нс | 600В | 1,8 В | 20А | 400 В, 10 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 1,8 В @ 15 В, 10 А | 17,4 нК | 40А | 10 нс/72 нс | 260 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНХ38168 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XSPairFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 25 В | 3,1 Вт Ta 20 Вт Tc 3,2 Вт Ta 69 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1,15 нФ 4,52 нФ при 12,5 В | 3,3 мОм при 20 А, 10 В, 0,8 м Ом при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА, 1,8 В @ 250 мкА | 25А Та 62А Тс 50А Та 85А Тс | 24 нК, 85 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AONY36352 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Ta 21 Вт Tc 3,1 Вт Ta 45 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15В 2555пФ при 15В | 5,3 мОм при 20 А, 10 В, 2 м Ом при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА, 1,9 В @ 250 мкА | 18,5 А Ta 49 А Tc 30 А Ta 85 А Tc | 20 нК при 10 В, 52 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ27С60Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | Нет | 357 Вт | 1 | ТО-220 | 1,294 нФ | 27А | 30В | 600В | 357 Вт Тс | N-канал | 1294 пФ при 100 В | 160 мОм при 13,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 27А ТЦ | 26 нК при 10 В | 160 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4130 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | Нет | 52 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 30А | 20 В | Одинокий | 60В | 2,5 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 30В | 24 мОм при 20 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 30 А Тс | 34 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД482 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 32А | 100 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 50В | 37 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5А Та 32А Тс | 44 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6420 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 6 | 18 недель | 6 | да | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 1 | 4.2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 2 Вт Та | 20А | N-канал | 540пФ при 30В | 60 мОм при 4,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4.2А Та | 11,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3423 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao3423-datasheets-4256.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 18 недель | 3 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2А | 12 В | Одинокий | 20 В | 1,4 Вт Та | 2А | P-канал | 620пФ при 10 В | 92 мОм при 2 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2А Та | 6,6 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4862Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 26 недель | 30В | 1,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 215пФ при 15В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 6 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5820 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon5820-datasheets-8855.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 18 недель | 6 | 1,7 Вт | 1,7 Вт | 1 | 10А | 12 В | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1510пФ при 10 В | 9,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 15 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3814 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 2,5 Вт | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1100пФ при 10В | 17 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 13 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4622 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4622-datasheets-9781.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | N и P-канал | 1100пФ при 10В | 23 мОм при 7,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6980 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 4,1 Вт | 8-ДФН (5х6) | 1,095 нФ | 27А | 30В | 3,5 Вт 4,1 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1095пФ при 15В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А 27А | 22 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 6,8 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8801 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao8801-datasheets-1134.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 В | 1,4 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1450пФ при 10В | 42 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,7А | 17,2 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4813L | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1573пФ при 15 В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 7.1А Та | 30,9 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4818BL_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А Та | 18 нК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2800 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon2800-datasheets-1815.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 1,5 Вт | Мощность FET общего назначения | 4,5 А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 435пФ при 10 В | 47 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 6 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4449 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,1 Вт Та | 7А | 0,034Ом | 135 пФ | P-канал | 910пФ при 15 В | 34 мОм при 7 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 7А Та | 16 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО5804Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2007 год | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 280мВт | 280мВт | 2 | 500 мА | 8В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 45пФ при 10В | 550 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 5А | 30В | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А Та | 9 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4822_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК @ 10 В | Стандартный | 19 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6808_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 800мВт | 6-ЦОП | 780пФ | 4,6А | 20 В | 800мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 780пФ при 10 В | 23 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,6А | 21 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 23 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7804_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 3,1 Вт | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 888пФ | 9А | 30В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 9А | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО9926BL | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 7,6А | 20 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15В | 23 мОм при 7,6 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 12,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4286 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 14А | Одинокий | 100 В | 100 В | 2,5 Вт Та 30 Вт Тс | 0,068Ом | N-канал | 390пФ при 50В | 68 мОм при 5 А, 10 В | 2,9 В @ 250 мкА | 4А Та 14А Тс | 10 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ66916L | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | 100 В | 8,3 Вт Ta 277 Вт Tc | N-канал | 6180пФ при 50В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 35,5 А Та 120 А Тс | 78 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД7С65 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod7s65-datasheets-0931.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 7А | 650В | 89 Вт Тс | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 9,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP32314 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1420пФ при 15В | 9 мОм при 14,5 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 14,5 А Та | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
