Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Емкость при частоте | Приложения | Полярность | Состав | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Количество двунаправленных каналов | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Тип батареи | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Условия испытания | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН6502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6502-datasheets-0269.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 85А | 30 В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 15В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 85А Тс | 64 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ9004БИ-02 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Защита аккумулятора | Соответствует RoHS | /files/alphaandomegasemiconductor-aoz9004bi01-datasheets-4479.pdf | 8 | Литий-ионный|Литий-полимерный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5317UQI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | Модуль 31-PowerVFQFN | 60 А | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8310ДИ-02 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -40°C ~ 125°C (ТА) | 2-УДФН | 100пФ при 1 МГц | USB | 2-ДФН (1,6х1) | Нет | 2,8 В | 75 А (8/20 мкс) | 15 В | 2,5 В (макс.) | 1 | 1100 Вт (1,1 кВт) | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8231АДИ-12 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 18 недель | 2 | EAR99 | 13пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 1 | Подавители переходных процессов | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 13В | 4А 8/20 мкс | 12 В Макс. | 26В | 4А | 12 В | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8300CI-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8300ci05-datasheets-9270.pdf | СОТ-23-6 | 18 недель | 2,5 пФ @ 1 МГц | Ethernet | 4 | СОТ-23-6 | Да | 2,8 В | 20А 8/20мкс | 9В | 2,5 В Макс. | 4 | 9В | 20А | 2,5 В | 450 Вт | 450 Вт | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8244ДИ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 3-УФДФН | 18 недель | Общего назначения | Нет | 15А | 20 В | 5 В Макс. | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8208ДИ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-UFDFN Открытая площадка | 18 недель | EAR99 | 10 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | Подавители переходных процессов | 5В | Нет | 6В | 5А 8/20 мкс | 5 В Макс. | 8 | 9В | 5А | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8328ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoz8328di-datasheets-0093.pdf | 10-UDFN Открытая площадка | 18 недель | 2,8 пФ @ 1 МГц | Ethernet, Телекоммуникации | 4 | 10-ДФН (3х2) | Да | 25А 8/20мкс | 16 В | 2,5 В Макс. | 4 | 16 В | 25А | 2,5 В | 450 Вт | 450 Вт | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8212CI-12L | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 16 недель | 10 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Зенер | СОТ-23-3 | Нет | 15 В | 5А 8/20 мкс | 24В | 12 В Макс. | 24В | 10А | 12 В | 100 Вт | 100 Вт | 2 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8881ДИ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8881di05-datasheets-5430.pdf | 6-УФДФН | 0,30 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | 6-ДФН (1,2х1,1) | Да | 6В | 12А | 24В | 5В | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1956ДИ-1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1995МИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ5047QIS-01 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 24-PowerTFQFN | 18 недель | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ7110АИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б60Д1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aok20b60d1-datasheets-6733.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | 3 | 167 Вт | Одинокий | BIP-транзисторы с изолированным затвором | N-КАНАЛЬНЫЙ | 167 Вт | 107 нс | 600В | 2,4 В | 40А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | 24,6 нК | 74А | 20 нс/66 нс | 760 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК60Б60Д1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 18 недель | 417 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | BIP-транзисторы с изолированным затвором | N-КАНАЛЬНЫЙ | 417 Вт | 137 нс | 600В | 2,4 В | 120А | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В при 15 В, 60 А | 75 нК | 210А | 32 нс/74 нс | 3,1 мДж (вкл.), 730 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТС40Б65Х1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 300 Вт | ТО-220 | 300 Вт | 650В | 2,4 В | 80А | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | 63нК | 120А | 41 нс/130 нс | 1,27 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Б65М1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 150 Вт | ТО-220 | 150 Вт | 262 нс | 650В | 2В | 20А | 650В | 20А | 400В, 10А, 30Ом, 15В | 2В @ 15В, 10А | 24 нС | 30А | 12 нс/91 нс | 180 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД609 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod609-datasheets-9535.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | Без свинца | 16 недель | Нет | 2 Вт | 2 | 12А | 40В | 2 Вт | N и P-каналы, общий сток | 650пФ при 20В | 30 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,8 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4886 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4886-datasheets-1032.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 13 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Мощность FET общего назначения | 3,3А | 20 В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 942пФ при 50 В | 80 мОм при 3 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 20 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4807 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4807-datasheets-4477.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 6А | 20 В | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 760пФ при 15В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 16 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,388 мм | 2 | 18 недель | 3 | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 175°С | Р-ПССО-Г2 | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | P-канал | 1185пФ при 30В | 115 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3414 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 1,4 Вт | 1 | 150°С | 2,5 нс | 21 нс | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВ | 1,4 Вт Та | 4.2А | 0,05 Ом | 20 В | N-канал | 436пФ при 10 В | 50 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,2 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3402 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/alphaomegasemiconductor-ao3402-datasheets-9852.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,4 Вт | 1 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,4 Вт Та | 4А | 0,052 Ом | 25 пФ | N-канал | 390пФ при 15В | 55 мОм при 4 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 4А Та | 4,34 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4862 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 1,7 Вт | 8-СОИК | 200пФ | 4,5 А | 30 В | 1,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 200пФ при 15В | 50 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,5 А | 10 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4627 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4627-datasheets-8815.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 2 Вт | 3,5 А | 30 В | N и P-канал | 210пФ при 15В | 50 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,5 А 3,5 А | 5 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8801А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 8 | Нет | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 2 | 4,5 А | 8В | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 905пФ при 10 В | 42 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 11 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOCA24106E | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 6-SMD, без свинца | 18 недель | 12 В | 2,7 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 5,6 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 20А Та | 18 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6804 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductor-ao6804-datasheets-9795.pdf | СК-74, СОТ-457 | 800мВт | 4А | 20 В | 800мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 725пФ при 10 В | 32 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 7,7 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
