Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Количество терминаций Время выполнения завода Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминальная отделка Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Подсчет штифтов Время@Пиковой температуру (я) Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Входная емкость Непрерывный ток дренажа (ID) Веревка к источническому напряжению (VGS) Материал транзистора Конфигурация Приложение транзистора Слейте до источника напряжения (VDS) DS Breakdown Trastage-Min Power Dissipation-Max Jedec-95 код Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Импульсный ток сливного тока (IDM) Дренажный источник на сопротивлении-макс Рейтинг Evalanche Energy (EAS) Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция RDS на макс Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
AOD478 AOD478 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,69
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 18 недель 3 FET Общее назначение власти 11A Одинокий 100 В 2,1 Вт TA 45W TC N-канал 540pf @ 50v 140 м ω @ 4,5a, 10 В 2,8 В @ 250 мкА 2.5A TA 11A TC 13NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOI2610E AOI2610E Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 18 недель
AON3419 AON3419 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,80
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductor-aon3419-datasheets-7716.pdf 8-SMD, плоский свинец 18 недель Другие транзисторы 10а Одинокий 30 В 3,1 Вт ТА P-канал 1040pf @ 15v 19 м ω @ 10a, 10 В 2,5 В при 250 мкА 10a tc 30NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO7412 AO7412 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,10
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2007 6-tssop, SC-88, SOT-363 18 недель 6 1.7a 30 В 350 МВт ТА N-канал 270pf @ 15v 90 м ω @ 2,1a, 10 В 1,8 В @ 250 мкА 1.7A TA 3.6NC @ 4,5 В. 2,5 В 10 В. ± 12 В.
AON7566 AON7566 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Алфамос Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 8-powervdfn 18 недель 30 В 30 Вт TC N-канал 3020pf @ 15v 3,7 млн. Ω @ 20a, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 34A TC 80NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOSP21307 AOSP21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 18 недель 30 В 3,1 Вт ТА P-канал 1995pf @ 15v 11,5 мм ω @ 14a, 10 В 2,3 В при 250 мкА 14а та 50NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 25 В
AOB7S65L AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,26
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Amos ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aob7s65l-datasheets-8245.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 18 недель FET Общее назначение власти 7A Одинокий 650 В. 104W TC 7A N-канал 434pf @ 100v 650 м ω @ 3,5а, 10 В 4 В @ 250 мкА 7A TC 9.2NC @ 10V 10 В ± 30 В
AOTF18N65 AOTF18N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2009 До 220-3 полная упаковка 18 недель not_compliant E3 Матовая олова (SN) 18а 650 В. 50 Вт TC N-канал 3785PF @ 25V 390 м ω @ 9a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 18a tc 68NC @ 10V 10 В ± 30 В
AON6522 AON6522 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Digi-Reel® 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2011 год 8-Powersmd, плоские отведения 16 недель 200a 25 В 7,3 Вт TA 83W TC N-канал 7036PF @ 15V 0,95 мм ω @ 20a, 10 В 2 В @ 250 мкА 71A TA 200A TC 145NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOT11N70 AOT11N70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,36
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2009 До 220-3 18 недель 11A 700 В. 271W TC N-канал 2150PF @ 25V 870 м ω @ 5,5a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 11a tc 45NC @ 10V 10 В ± 30 В
AOB2606L AOB2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 6,11
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Digi-Reel® 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2005 TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 115 Вт 1 72а 20 В 60 В 2,1 Вт TA 115W TC N-канал 4050PF @ 30 В. 6,2 метра ω @ 20a, 10 В 3,5 В при 250 мкА 13A TA 72A TC 75NC @ 10V 10 В ± 20 В.
AOW29S50 AOW29S50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 1,82
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Amos ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2010 год До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA 16 недель 29а 500 В. 357W TC N-канал 1312pf @ 100v 150 м ω @ 14.5a, 10 В 3,9 В @ 250 мкА 29A TC 26.6nc @ 10v 10 В ± 30 В
AOB15S65L AOB15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,48
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Amos ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aob15s65l-datasheets-4543.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 3 15A 650 В. 208W TC N-канал 841pf @ 100v 290 м ω @ 7,5a, 10 В 4 В @ 250 мкА 15a tc 17.2nc @ 10v 10 В ± 30 В
AOT25S65L AOT25S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,73
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Amos ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год До 220-3 3 18 недель Ear99 not_compliant E3 Олово (SN) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 R-PSFM-T3 25а Кремний Сингл со встроенным диодом Переключение 650 В. 650 В. 357W TC До-220AB 104a 0,19 Ом 750 МДж N-канал 1278pf @ 100v 190 м ω @ 12,5а, 10 В 4 В @ 250 мкА 25а TC 26.4nc @ 10V 10 В ± 30 В
AOW7S65 AOW7S65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 1,11
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Amos ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2010 год До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA 16 недель 7A 650 В. 104W TC N-канал 434pf @ 100v 650 м ω @ 3,5а, 10 В 4 В @ 250 мкА 7A TC 9.2NC @ 10V 10 В ± 30 В
AON6260 AON6260 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,28
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год 8-Powersmd, плоские отведения 16 недель 8 104W 1 FET Общее назначение власти 85а 20 В Одинокий 60 В 7,3 Вт TA 104W TC N-канал 5578pf @ 30 В. 2,4 мм ω @ 20a, 10 В 2,5 В при 250 мкА 41A TA 85A TC 115NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO4427 AO4427 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,09
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao4427-datasheets-1552.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 8 8 Ear99 неизвестный Двойной Крыло Печата 8 1 Не квалифицирован 12.5a Кремний Сингл со встроенным диодом Переключение 30 В 30 В 3 Вт та 0,012 Ом P-канал 2900pf @ 15 В. 12m ω @ 12,5a, 20 В 3V @ 250 мкА 12.5A TA 52NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 25 В
AO4712 AO4712 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,12
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Srfet ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 8 13а 30 В 3,1 Вт ТА N-канал 1885pf @ 15v 14,5 мм ω @ 11.2a, 10v 2,4 В @ 250 мкА 13а та 31NC @ 10V Диод Шоттки (тело) 4,5 В 10 В. ± 12 В.
AO6701 AO6701 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao6701-datasheets-1715.pdf SC-74, SOT-457 6-stop 409pf 2.3a 30 В 1,15 Вт TA P-канал 409pf @ 15v 135mohm @ 2.3a, 10 В 1,4 В @ 250 мкА 2.3A TA 4,9NC @ 4,5 В. Диод Шоттки (изолированный) 135 МОм 2,5 В 10 В. ± 12 В.
AO4452 AO4452 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать SDMOS ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2010 год 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 8 8 да Ear99 Двойной Крыло Печата НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 1 Кремний Сингл со встроенным диодом Переключение 100 В 100 В 3,1 Вт ТА 0,025 д N-канал 2200PF @ 50 В. 25 м ω @ 8a, 10 В 4 В @ 250 мкА 8а та 34NC @ 10V 7 В 10 В. ± 25 В
AOT8N60 AOT8N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 27,08
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf До 220-3 неизвестный Фет общего назначения Одинокий 600 В. 208W TC N-канал 1370pf @ 25V 900 м ω @ 4a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 8A TC 35NC @ 10V 10 В ± 30 В
AO4722 AO4722 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Srfet ™ Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Вырезать ленту (CT) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao4722-datasheets-0449.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) соответствие 30 В 1,7 Вт та N-канал 1100pf @ 15v 14m ω @ 11.6a, 10v 2,5 В при 250 мкА 8.5A TA 20NC @ 10V Диод Шоттки (тело) 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AON6232 AON6232 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,38
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год 8-Powersmd, плоские отведения 8 83 Вт 1 85а 20 В 40 В 2,3 Вт TA 83W TC N-канал 3800PF @ 20V 2,5 мм ω @ 20a, 10 В 2,3 В при 250 мкА 22A TA 85A TC 51NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AON6514 AON6514 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aon6514-datasheets-0747.pdf 8-Powersmd, плоские отведения 30A 30 В 4,1 Вт TA 25W TC N-канал 951pf @ 15v 5m ω @ 20a, 10v 2,2 В при 250 мкА 23A TA 30A TC 22.5nc @ 10v 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO3438 AO3438 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,03
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год До 236-3, SC-59, SOT-23-3 3A 20 В 1,4 Вт та N-канал 320pf @ 10 В. 62 м ω @ 3A, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 3а та 3.8NC @ 4,5 В. 1,8 В 4,5 В. ± 8 В
AO4490 AO4490 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,15
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 16A 30 В 2,8 Вт ТА N-канал 2170pf @ 15v 7,2 мм ω @ 16a, 10 В 2,5 В при 250 мкА 16a ta 48NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOT2608L AOT2608L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,21
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год До 220-3 16 недель 72а 60 В 2,1 Вт TA 100W TC N-канал 2995pf @ 30v 8m ω @ 20a, 10 В 3,6 В @ 250 мкА 11A TA 72A TC 55NC @ 10V 10 В ± 20 В.
AON1611 AON1611 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 19,42
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Digi-Reel® 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год 6-powerufdfn 6 20 В 1,8 Вт та P-канал 550pf @ 10 В. 58m ω @ 4a, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 4а та 10NC @ 4,5 В. 1,5 В 4,5 В. ± 8 В
AOWF2606 AOWF2606 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2009 TO-262-3 Full Pack, i2pak 51а 60 В 2,1 Вт TA 33,3W TC N-канал 4050PF @ 30 В. 6,5 мм ω @ 20a, 10 В 3,5 В при 250 мкА 13A TA 51A TC 75NC @ 10V 10 В ± 20 В.
AOWF11C60 AOWF11C60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2009 TO-262-3 Full Pack, i2pak До-262f 2nf 11A 600 В. 28 Вт TC N-канал 2000pf @ 100v 400mhom @ 5.5a, 10 В 5 В @ 250 мкА 11a tc 42NC @ 10V 400 МОм 10 В ± 30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.