Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Цвет | Свободно привести | Глубина | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | PBFREE CODE | Количество позиций | Ориентация | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Рейтинг питания | Максимальный ток | Цвет объектива | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Полярность | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Базовый номер детали | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройства поставщика | Максимальное выходное напряжение | Энергопотребление | Выходное напряжение | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Максимальный входной ток | Оптоэлектронный тип устройства | Угол просмотра | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Время падения (тип) | Высота персонажа | Конфигурация | Высота тела | Длина тела или диаметр | Ширина тела | Чувствительное расстояние | Измерение диапазона мин | Светящаяся интенсивность | Скорость | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Обратное напряжение разбивки | Максимальное напряжение | Обратное напряжение | Впередное напряжение-макс | Диод тип | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение насыщения насыщения коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Напряжение - вперед (vf) (тип) | Время подъема / падения (тип) | Current - DC Forward (if) (max) | Обратное напряжение (DC) | Выходной ток на канал | Коэффициент передачи тока | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | CCT (k) | Цвет освещения | Светящийся поток | Дисплей тип | Lumens/watt @ current - тест | Температура - тест | Flux @ current/tempret - тест | Длина волны | Доминирующая длина волны | Ток - тест | Ток - макс | Длина волны - пик | Тип линзы | CRI (индекс цветового рендеринга) | Ток - выход / канал | Темный ток | Зона просмотра (высота) | Millicandela Rating | Напряжение - выход (макс) | Количество сегментов | Темный ток-макс | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Количество символов | Коэффициент переноса тока (мин) | Коэффициент передачи тока (макс) | Включите / выключите время (тип) | Vce насыщение (макс) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Current - Dark (id) (макс) | Ширина персонажа | Цифра/альфа -размер | Общий булавка | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Обнаружение близости | Ток - средний исправление (IO) | Рабочая температура - соединение |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
K817P | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 1,25 В. | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 4,75 мм | Неизвестный | 4 | да | Нет | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 300 мВ | 70В | 50 мА | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IL250-X007 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | AC, DC | ROHS3 соответствует | 1995 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | Нет | 400 МВт | 1 | 400 МВт | 1 | 6-SMD | 30 В | 60 мА | 1,5 В. | Транзистор с базой | 60 мА | 5300vrms | 400 мВ | 30 В | 1,2 В. | 60 мА | 30 В | 50% @ 10ma | 400 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCT5211-X007 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-mct5211x009-datasheets-9209.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 260 МВт | 1 | 260 МВт | 1 | 6-SMD | 30 В | 40 мА | 1,2 В. | Транзистор с базой | 40 мА | 5300vrms | 6 В | 400 мВ | 30 В | 1,2 В. | 40 мА | 225 % | 30 В | 150% @ 1,6 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ILD620-X007 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | AC, DC | ROHS3 соответствует | 1995 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild620gb-datasheets-4850.pdf | 8-SMD, крыло чайки | 7 недель | 8 | Нет | 400 МВт | 2 | 8-SMD | 70В | 1,15 В. | Транзистор | 60 мА | 5300vrms | 400 мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В. | 20 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 2,3 мкс | 400 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H11D3-X007 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | да | Ear99 | UL утвержден | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | 300 МВт | 1 | 300 МВт | 1 | Optocoupler - транзисторные выходы | 200 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзистор выходной оптокуплер | ОДИНОКИЙ | 5300vrms | 6 В | 400 мВ | 200 В | 100 мА | 1,1 В. | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% | 20% @ 10ma | 5 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H11B1-X017 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11b2-datasheets-3709.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | Ear99 | Одобрен UL, одобрен VDE | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | 260 МВт | 1 | 260 МВт | 1 | Optocoupler - транзисторные выходы | 25 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | Дарлингтон вывод Optocoupler | ОДИНОКИЙ | 5300vrms | 3В | 1V | 30 В | 100 мА | 1,1 В. | 100 мА | 500% | 500% @ 1MA | 5 мкс, 30 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IL251-X009T | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | AC, DC | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 6 недель | 6 | Нет | 400 МВт | 1 | 6-SMD | 30 В | 1,2 В. | Транзистор с базой | 60 мА | 5300vrms | 400 мВ | 30 В | 1,2 В. | 60 мА | 30 В | 20% @ 10ma | 400 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IL300-X006 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il300defgx016-datasheets-4936.pdf | 8-DIP (0,400, 10,16 мм) | 10,16 мм | 3,81 мм | 6,6 мм | 6 недель | 8 | Нет | 210 МВт | 1 | 8-Dip | 500 мВ | 10 мА | 1,25 В. | Фотоэлектрический, линеаризованный | 60 мА | 1,75 мкс | 1,75 мкс | 5300vrms | 1,25 В. | 1 мкс 1 мкс | 60 мА | 5 В | 1,1 % | 70 мкА тип | 500 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IL300-EF-X017 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il300defgx016-datasheets-4936.pdf | 8-SMD, крыло чайки | 28 недель | 8 | да | Нет | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | 210 МВт | 1 | 210 МВт | 1 | Optocoupler - транзисторные выходы | 500 мВ | 10 мА | Фотоэлектрический, линеаризованный | 60 мА | Оптоэлектронное устройство | 1,75 мкс | 1,75 мкс | Двойная, одновременная работа | 5300vrms | 5 В | 1,25 В. | 1 мкс 1 мкс | 5 В | 1,1 % | 70 мкА тип | 500 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TCET4600 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | $ 2,77 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet2600g-datasheets-7268.pdf | 1,25 В. | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 6 недель | 16 | Нет | 250 МВт | 4 | 70В | Транзистор | 60 мА | 5300vrms | 300 мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В. | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 20% @ 5MA | 300% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ILD755-1x017 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | AC, DC | ROHS3 соответствует | 1995 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il7551x001-datasheets-4718.pdf | 8-SMD, крыло чайки | 6 недель | 6 | Нет | 400 МВт | 2 | 400 МВт | 2 | 8-SMD | 60 В | 60 мА | 1,2 В. | Дарлингтон | 60 мА | 5300vrms | 1V | 60 В | 1,2 В. | 50 мкс 50 мкс | 60 мА | 60 В | 750% @ 2MA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ILQ55-X009 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS3 соответствует | 1995 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild55x007-datasheets-6491.pdf | 16-SMD, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | Нет | 500 МВт | 4 | 500 МВт | 4 | 16-SMD | 55 В. | 60 мА | 1,25 В. | Дарлингтон | 60 мА | 5300vrms | 1V | 55 В. | 125 мА | 1,25 В. | 10 мкс 35 мкс | 60 мА | 125 мА | 400 % | 125 мА | 55 В. | 100% @ 10ma | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TCET1104G | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | $ 0,51 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet1108-datasheets-5277.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 14 недель | 4 | да | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E3 | Матовая олова (SN) | 265 МВт | 1 | 265 МВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 300 мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В. | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 160% @ 10ma | 320% @ 10ma | 6 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4n27-x000 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n25x009-datasheets-5561.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 6 | да | Ear99 | Уль признан | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | 150 МВт | 4n27 | 1 | 150 МВт | 1 | Optocoupler - транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзистор выходной оптокуплер | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 500 мВ | 70В | 100 мА | 1,36 В. | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 30 % | 30 В | 50NA | 10% @ 10ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IL256AT-2037-фунт | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SFH619A-X009TO | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS3 соответствует | 4-SMD, Крыло Чайки | 1 | Дарлингтон | 5300vrms | 1,2 В. | 3,5 мкс 14,5 мкс | 60 мА | 125 мА | 300 В. | 1000% @ 1MA | 4,5 мкс, 29 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T5090PD-SD-F | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BPW77NA | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw77na-datasheets-6808.pdf | 70В | До 206aa, до 18-3 металла банка | 5,5 мм | 6,15 мм | 5,5 мм | 5 В | Свободно привести | 20 недель | Неизвестный | 3 | Верхний вид | Нет | Npn | 250 МВт | 1 | 250 МВт | 1 | 250 МВт | 20 ° | Купол | 6 мкс | 250 МВт | 70В | 150 мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 100NA | 70В | 50 мА | 100NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tekt5400s | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tekt5400sasz-datasheets-7215.pdf | Радиальный вид на боковой | 5 мм | 5 мм | 2,65 мм | 5 В | Свободно привести | 20 недель | Неизвестный | 2 | Вид сбоку | Нет | Npn | 150 МВт | 150 МВт | 1 | 150 МВт | 74 ° | Купол | 6 мкс | 8 мкс | 150 МВт | 70В | 70В | 300 мВ | 70В | 100 мА | 920 нм | 100NA | 70В | 100 мА | 100NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BPW96C | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2001 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw96-datasheets-2979.pdf | 50 мА | Радиальный, 5 мм диаг (T 1 3/4) | 5,75 мм | 8,6 мм | 5,75 мм | 12 недель | Неизвестный | 2 | Верхний вид | Нет | Прозрачный | Npn | 150 МВт | 1 | 150 МВт | 1 | 150 МВт | 40 ° | Ясно, куполо | 2 мкс | 2,3 мкс | 150 МВт | 70В | 70В | 300 мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 200NA | 70В | 50 мА | 200NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDSO1150 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | TDS.11 | Печата, через отверстие | Масса | 0,389 HX0,291W x 0,236 D 9,90 ммх7,40 ммх6,00 мм | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2004 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tdso1150-datasheets-6587.pdf | ОКУНАТЬ | 9,9 мм | 9.8806 мм | 7,3914 мм | 2 В | Оранжево-красный | 7,4 мм | 13 недель | 10 | 1 | Нет | Общий анод | 400 МВт | 8 | 400 МВт | 17ma | 2 В | 50 ° | 7 мм | 3 McD | 400 МВт | 15 В | 2 В | Апельсин | 7-сегмент | 625 нм | 625 нм | 20 мА | 630 нм | 7 мм | 3MCD | 7 | 1 | 4,7 мм | 0,28 7,00 мм | Общий анод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDSL5160 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | TDSL51.0 | Через дыру | Масса | 0,689 HX0,482W x 0,252 D 17,50 ммх12,25 ммх6,40 мм | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2013 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tdsl5160-datasheets-0444.pdf | 10-DIP (0,600, 15,24 мм) | 17,5006 мм | Красный | 17,5 мм | 13 недель | 10 | неизвестный | 1 | Общий катод | 320 МВт | 8 | Светодиодные дисплеи | 15 мА | Smart/Normal 7 SEG -цифровой светодиодный дисплей | 50 ° | 13 мм | 400 мкс | 20 В | 2,4 В. | 1,8 В. | 7-сегмент | 625 нм | 2MA | 635 нм | 13 мм | 0,40 Мкд | 1 | 0,51 13,00 мм | Общий катод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDSY1150 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | TDS.11 | Через дыру | Масса | 0,389 HX0,291W x 0,236 D 9,90 ммх7,40 ммх6,00 мм | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tdso1150-datasheets-6587.pdf | ОКУНАТЬ | 9.8806 мм | Желтый | 7,4 мм | 13 недель | 10 | неизвестный | 1 | E4 | Серебро (Ag) | Общий анод | 400 МВт | 8 | Светодиодные дисплеи | 17ma | Smart/Normal 7 SEG -цифровой светодиодный дисплей | 50 ° | 7 мм | 450 мкс | 15 В | 3В | 2,4 В. | 7-сегмент | 594 нм | 20 мА | 585 нм | 7 мм | 3MCD | 1 | 0,28 7,00 мм | Общий анод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDSY3150 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | TDS.31 | Через дыру | Масса | 0,500 HX0,372W x 0,252 D 12,60 ммх9,45 ммх6,40 мм | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tdsg3160-datasheets-0269.pdf | 10-DIP (0,300, 7,62 мм) | 12,7 мм | Желтый | 9,7 мм | 13 недель | 10 | неизвестный | 1 | E4 | Серебро (Ag) | Общий анод | 480 МВт | 8 | Светодиодные дисплеи | 20 мА | Smart/Normal 7 SEG -цифровой светодиодный дисплей | 50 ° | 10 мм | 450 мкс | 15 В | 3В | 2,4 В. | 7-сегмент | 594 нм | 585 нм | 10 мм | 3MCD | 1 | 0,39 10,00 мм | Общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDSO5150-M | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | TDS.51 | Через дыру | Масса | 0,689 HX0,482W x 0,252 D 17,50 ммх12,25 ммх6,40 мм | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2013 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tdsg5160-datasheets-5197.pdf | 10-DIP (0,600, 15,24 мм) | 17,5006 мм | Оранжево-красный | 17,5 мм | 10 недель | 10 | Нет | 1 | E4 | Серебро (Ag) | Общий анод | 550 МВт | 8 | Светодиодные дисплеи | 25 мА | 9 McD | 15 В | 3В | 2 В | 7-сегмент | 625 нм | 20 мА | 630 нм | 13 мм | 1 | 0,51 13,00 мм | Общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VLSL4236A | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Светодиодный модуль | 135,00 мм LX135,00 мм ш | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vlsl4236a-datasheets-3752.pdf | Модуль | 135 мм | 1,20 мм | 135 мм | 21В | Белый, теплый | Нет SVHC | 12 | Нет | 104W | 1A | VLSL4236 | 700 мА | 21В | 160 ° | Круговой, плоский | 36 | Квадрат | 21В | 3500K | Белый | 4,5 клм | 48 LM/W. | 25 ° C. | 750LM Тип | 750 мА | 1A | Плоский | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VLPW0101C5 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Винт | Поднос | 16,60 мм LX17,20 мм ш | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vlpn0101c5-datasheets-3704.pdf | Модуль | 16,6 мм | 4,30 мм | 17,2 мм | Белый, теплый | 2 | 4,4 Вт | VLP0101 | 4,6 Вт | 1 | 700 мА | 6,3 В. | 130 ° | Купол | Правый борт | 6,3 В. | 3000K | 350 LM | 79 LM/W. | 25 ° C. | 350LM Тип | 700 мА | Купол | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VLSL12A03-3Q3T-50A | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Светодиодный модуль | 161,00 мм LX49,90 мм ш | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vlsl12a033q3t50a-datasheets-9513.pdf | 6,50 мм | Белый, крутой | 120 ° | Прямоугольник | 36,6 В. | 5000K | 117 lm/w | 25 ° C. | 3000LM Тип | 700 мА | 1,5а | Плоский | 72 (тип) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
12fr80b bn bk y | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси, Сталочное крепление | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | DO-203AA, DO-4, Стад | 12FR80 | DO-203AA | Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) | Стандартный | 800 В. | 1.26V @ 38A | 12A | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VCNL4000-GS18 | Полупроводниковая дивизия Vishay Semiconductor | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Окружающий | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -25 ° C ~ 85 ° C. | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | ROHS3 соответствует | 2007 | /files/vishaysemiconductoroptodivision vcnl4000gs18-datasheets-7589.pdf | 12-SMD, нет лидерства | 3,3 В. | 12 | Нет | 2,5 В ~ 3,6 В. | I2c | 0,75 мм | 3,95 мм | 3,95 мм | 200 мм | 1 мм | Да |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.