Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПодразделение полупроводниковой оптики Vishay (8828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Емкость | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Код дела (метрика) | Код корпуса (имперский) | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Конфигурация | Расстояние между строками | Напряжение пробоя | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Полупроводниковый материал | Стандарты | Длина волны | Пиковая длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Диапазон связи, низкая мощность | Неисправность | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TFDU5307-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 5,5 В | 8 | Вид сбоку | 2,7 В~5,5 В | 1,152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 550 мкА | 70 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU6300-TT1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6300tt3-datasheets-2084.pdf | СМД/СМТ | 8,5 мм | 3,1 мм | 2,5 мм | 3,6 В | 8 | да | Вид сверху | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | L ИЗГИБ | 260 | 3,3 В | 8 | 40 | Р-XSMA-L8 | 4 Мбит/с (FIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 40 нс | 40 нс | ИрФИЗ 1.3 | 886 нм | 8,5 мм х 3,1 мм х 2,5 мм | 2мА | 70 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВБПВ34ФАС | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Печатная плата, поверхностное крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbpw34fas-datasheets-9916.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 6,4 мм | 1,2 мм | 3,9 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 13 недель | Неизвестный | 2 | да | Олово | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | 215 МВт | 215 МВт | Фотодиоды | 50 мА | 1В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 950 нм | 2нА | 4,4 мм | ДА | 780 нм ~ 1050 нм | 7,5 мм2 | 2нА | 0,055 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ23НФ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv23nf-datasheets-1103.pdf | Радиальный, вид сбоку | 48пФ | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215 МВт | 215 МВт | 50 мА | 1,3 В | 120° | 70нс | 70 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 950 нм | 940 нм | 2нА | 60В | 870 нм ~ 1050 нм | 4,4 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЕМД6200FX01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Печатная плата, поверхностное крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishay-temd6200fx01-datasheets-5792.pdf | 2 мм | 950 мкм | 1,25 мм | Без свинца | КВАДРАТ | 8 недель | Неизвестный | 2 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 2012 год | 0805 | 100мВт | 100мВт | Фотодиоды | 100°С | 100°С | 120° | 150 нс | 150 нс | ОДИНОКИЙ | 16 В | ПРИКОЛОТЬ | 16 В | 540 нм | 100пА | НЕТ | 430 нм ~ 610 нм | 0,27 мм2 | 0,00004 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД6160X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd6160x01-datasheets-4709.pdf | 0805 (метрика 2012 г.) | 7 недель | Неизвестный | 2 | 8541.40.80.00 | 2012 год | 0805 | 60нс | 140° | ПРИКОЛОТЬ | 20 В | 840 нм | 30пА | 20 В | 700 нм ~ 1070 нм | 0,85 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Т1110П6-СУ-Ф | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1102G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1102g-datasheets-4706.pdf | 6-DIP (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 14 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 32В | 32В | 60 мА | 1,6 В | Транзистор | 60 мА | 7 мкс | 10,16 мм | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 32В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,25 В | 7 мкс 6,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 32В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 11 мкс, 7 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCLT1017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1013-datasheets-4990.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ЛСОП (2,54 мм) | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37-Х000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n37x000-datasheets-5347.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 7 недель | 6 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО UL | неизвестный | 150 мВт | 4Н37 | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 30 В | 100 мА | 1,2 В | 50 мА | 50 % | 70В | 50нА | 100% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-2X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET1106 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet1108-datasheets-5277.pdf | 70В | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | Без свинца | 14 недель | 4 | да | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 265мВт | 1 | 265мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6156-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,059 мм | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | SFH6156-3X001 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 125°С | 100°С | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 2,3 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 250 мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH618A-3X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 200нА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6136-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6136x001-datasheets-6290.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 8 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ПРИЗНАНИЕ VDE | Нет | е3 | Олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 16 мА | 1,6 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-4X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ1615-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild16154-datasheets-6370.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 мА | 6 недель | 16 | Нет | 500мВт | 4 | 500мВт | 4 | 16-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 100 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-3X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС615А-2X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vos615a3t-datasheets-7071.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | 170 мВт | 1 | 4-ССОП | 80В | 50 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-7Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 60 мА | 2 мм | 3,85 мм | Без свинца | 11 недель | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 80В | 5мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 6В | 100 мА | 50 мА | 80% при 1 мА | 160% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС618А-3Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos618a3t-datasheets-8401.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 11 недель | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 170 мВт | 1 | 1 | 50 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 80В | 200нА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОЛ628А-2Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vol628a-datasheets-5235.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3,5 мкс | 5 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,16 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 200нА | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ222АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il222at-datasheets-9213.pdf | 1В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 мА | 6 недель | Неизвестный | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 240мВт | 1 | 8-СОИК | 30 В | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мА | 1В | 60 мА | 30 В | 200% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил755-2Х007Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il7551x001-datasheets-4718.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 60В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 60В | 1,2 В | 70 мкс 70 мкс | 60 мА | 60В | 1000% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ617А-8Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom617a8t-datasheets-7079.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 7 мкс | 12 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 3 мкс 3 мкс | 100 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 6 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH1690CT | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1690at-datasheets-8479.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 5мА | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 4 | Олово | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СОП | 70В | 70В | 50 мА | 1,15 В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1124G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-DIP (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 14 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 50 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 4 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 4 мкс, 4,7 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 1,25 В | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Олово | Нет | 6В | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 2 мкс | 2 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620AGB | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620aa-datasheets-5753.pdf | 1,25 В | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | 4 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | 400мВ |
