| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Емкость | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Глубина | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Мощность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество каналов | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходная мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Тестовый ток | Напряжение пробоя | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Прямое напряжение-Макс. | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Стандарты | Длина волны | Длина волны — Пик | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Спектральная полоса пропускания | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Интенсивность излучения (Ie) Мин @ Если | Темный ток-Макс. | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Неисправность | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВСМY3850-GS08 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | SurfLight™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy3850gs08-datasheets-7847.pdf | 2-SMD, J-вывод | 1,6 В | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 2 | Вид сверху | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 1 | 190мВт | Инфракрасные светодиоды | 55мВт | 100 мА | 120° | Круглый, Плоский, Круглый | 1 | 10 нс | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 5В | 2В | 850 нм | 3е-8м | 12 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСМБ294008Г | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | ВСМБ294008 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmb294008g-datasheets-8739.pdf | 2-SMD, Z-изгиб | Без свинца | 17 недель | Неизвестный | Вид сверху | 8541.40.20.00 | Инфракрасный (ИК) | 100 мА | 14° | 15 нс | 1,35 В | 940 нм | 30 мВт/ср при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТШФ6210 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tshf6210-datasheets-9213.pdf | Радиальный | 5,8 мм | 5,8 мм | 17 недель | Нет СВХК | 2 | да | Вид сверху | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 1 | 160мВт | 160мВт | 1 | 50мВт | 100 мА | 20° | Круглый, Бесцветный, Рассеянный, Круглый | 30 нс | ОДИНОКИЙ | 100 мА | 5В | 1,4 В | 890 нм | 5 мм | 120 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС9410ВА | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-ts9410va-datasheets-0206.pdf | умереть | Вид сверху | 8541.40.20.00 | 120° | 1,4 В | 70 мА | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСМФ2890ГС01-ГС08 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2-СМД, Крыло Чайки | Вид сверху | 24° | 1,4 В | 100 мА | 890 нм | 20 мВт/ср при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСФФ6210 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tsff6210-datasheets-4309.pdf | Радиальный | 17 недель | 2 | Вид сверху | Нет | 1,5 В | 20° | Круглый, Бесцветный, Рассеянный | 1 | 1,5 В | 100 мА | 870 нм | 90 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU6108-TT3 19 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6108tt319-datasheets-1323.pdf | 6 недель | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 4 Мбит/с (FIR) | ИрФИЗ 1.3 | 9,7 мм х 4,0 мм х 4,7 мм | 2мА | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ8108 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 0°К~100°К | Трубка | 4 (72 часа) | 100°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | 5,5 В | 8 | Универсальный | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 9,7 мм x 4,7 мм x 4,0 мм | 2мА | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД2523SLX01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd2523slx01-datasheets-9771.pdf | 2-СМД | Без свинца | 17 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 8541.40.80.00 | 215мВт | 1В | 70° | Прозрачный | 100 нс | 100 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 900 нм | 1нА | 350 нм ~ 1120 нм | 0,23 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW41N | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw41n-datasheets-0605.pdf | Радиальный, вид сбоку | 70пФ | 5 мм | 6,4 мм | 3 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 215мВт | 215мВт | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 850 нм | 2нА | ДА | 870 нм ~ 1050 нм | 7,5 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ82 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw82-datasheets-1235.pdf | 2-ДИП | 40пФ | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 8541.40.60.50 | 215мВт | 130° | 100 нс | 100 нс | 60В | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 950 нм | 2нА | 790 нм ~ 1050 нм | 7,5 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЕМД5510FX01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Печатная плата, поверхностное крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishay-temd5510fx01-datasheets-5809.pdf | СМД/СМТ | 5 мм | 1,08 мм | 4,25 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 130° | 16В | ПРИКОЛОТЬ | 16В | 16В | 540 нм | 2нА | 16В | 430 нм ~ 610 нм | 7,5 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД5060Х01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5060x01-datasheets-4804.pdf | 4-SMD, без свинца | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 2 | 8541.40.80.00 | 30 нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 20 В | 820 нм | 200пА | 20 В | 350 нм ~ 1070 нм | 7,5 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1123G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-DIP (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | 6 | Олово | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 4,2 мкс | 4,7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 4,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136-Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | 0°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n136x007-datasheets-4789.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | 8-СМД | 15 В | 400мВ | 25 мА | 1,33 В | Транзистор с базой | 25 мА | 5нс | 5 нс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,33 В | 25 мА | 8мА | 35 % | 8мА | 15 В | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH618A-3X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 150 мВт | 1 | 60 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 55В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25В | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n25v-datasheets-5373.pdf | 1,3 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 250 мВт | 4Н25 | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 32В | 32В | 60 мА | Транзистор с базой | 50 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,2 В | 7 мкс 6,7 мкс | 50 мА | 100 % | 20% при 10 мА | 11 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-3X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 14 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 70мВт | 1 | 70мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AGR | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 1,25 В | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136-Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n136x007-datasheets-4789.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 8 | ТТЛ-СОВМЕСТИМОСТЬ | Нет | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 15 В | 400мВ | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,33 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD55-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild55x007-datasheets-6491.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 55В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 55В | 125 мА | 1,25 В | 10 мкс 35 мкс | 60 мА | 125 мА | 400 % | 125 мА | 55В | 100% при 10 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 11 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,35 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС615А-4Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos615a3t-datasheets-7071.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 11 недель | 4 | 1 | 170 мВт | 1 | 4-ССОП | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС617А-2X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos617a4x001t-datasheets-7325.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 6 недель | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,18 В | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 63% при 5 мА | 125% при 5 мА | 6 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-8Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 100 мА | 50 мА | 130% при 1 мА | 260% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-3Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 100 мА | 50 мА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС628А-2Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos628at-datasheets-8823.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 11 недель | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | 150 мВт | 1 | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,16 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 80В | 200нА | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.