| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFH270N06T3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiperFET™, TrenchT3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh270n06t3-datasheets-1458.pdf | ТО-247-3 | 30 недель | да | 270А | 60В | 480 Вт Тс | N-канал | 12600пФ при 25В | 3,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R6N100D2-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 1000В | 100 Вт Тс | N-канал | 645пФ при 25В | 10 Ом при 800 мА, 0 В | 4,5 В @ 100 мкА | 1,6 А ТДж | 27 нК при 5 В | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY32P05T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 50В | 83 Вт Тс | P-канал | 1975 пФ при 25 В | 39 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA4N85X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n85x-datasheets-2710.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | да | 850В | 150 Вт Тс | N-канал | 247пФ при 25В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 7 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA4N100Q-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n100q-datasheets-5554.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 8 недель | ТО-263 (IXFA) | 1,05 нФ | 4А | 1000В | 150 Вт Тс | N-канал | 1050пФ при 25В | 3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 4А Тк | 39 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR15N100Q3 | ИКСИС | $17,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr15n100q3-datasheets-3652.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | 3 | Одинокий | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 28 нс | 250 нс | 30 нс | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 400 Вт Тс | 45А | 1000 мДж | 1кВ | N-канал | 3250пФ при 25В | 1,2 Ом при 7,5 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 10А Тс | 64 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK55N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 500В | 55А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 8 недель | 90МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 60нс | 45 нс | 120 нс | 55А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | 220А | 500В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 90 мОм при 27,5 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 55А Тс | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT140N10P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 1 недели | 100В | 600 Вт Тс | N-канал | 4700пФ при 25В | 11 мОм при 70 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 140А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT52N30P | ИКСИС | $35,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt52n30p-datasheets-3827.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 22нс | 20 нс | 60 нс | 52А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 0,066Ом | 300В | N-канал | 3490пФ при 25В | 66 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 52А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT110N10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt110n10p-datasheets-3867.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 110А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 480 Вт Тс | 250А | 0,015 Ом | 1000 мДж | N-канал | 3550пФ при 25В | 15 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP16N85X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 23 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP20N65X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp20n65x-datasheets-3922.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | 20А | 650В | 320 Вт Тс | N-канал | 1390пФ при 25В | 210 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH80N30P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 24 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT6N120-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 1200В | 300 Вт Тс | N-канал | 1950пФ при 25В | 2,6 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 6А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH69N30P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh69n30p-datasheets-4070.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25 нс | 25нс | 27 нс | 75 нс | 69А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 200А | 0,049 Ом | 1500 мДж | 300В | N-канал | 4960пФ при 25 В | 49 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 69А Тк | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTR62N15P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr62n15p-datasheets-4107.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 36А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 150 Вт Тс | 150А | 0,045 Ом | 1000 мДж | N-канал | 2250пФ при 25В | 45 мОм при 31 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT24N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n80p-datasheets-4174.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 26 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 650 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 24 нс | 75 нс | 24А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650 Вт Тс | 55А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25 В | 400 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 24А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH5N100A | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth5n100a-datasheets-4210.pdf | 1кВ | 5А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 2,4 Ом | 3 | да | Нет | 3 | Одинокий | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20нс | 30 нс | 100 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 180 Вт Тс | ТО-247АД | 5А | 20А | 1кВ | N-канал | 2600пФ при 25В | 2 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK150N15P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n15p-datasheets-4247.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 28 нс | 100 нс | 150А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | 340А | 2500 мДж | 150 В | N-канал | 5800пФ при 25 В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT88N30P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh88n30p-datasheets-7053.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 88А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 600 Вт Тс | 220А | 0,04 Ом | 2000 мДж | N-канал | 6300пФ при 25 В | 40 мОм при 44 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 88А Тк | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА20N65X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp20n65x-datasheets-3922.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | 20А | 650В | 320 Вт Тс | N-канал | 1390пФ при 25В | 210 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH50N30 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth50n30-datasheets-4352.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 400 Вт | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 33нс | 17 нс | 70 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | ТО-247АД | 200А | 0,065 Ом | 300В | N-канал | 4400пФ при 25В | 65 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Тс | 165 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N25X3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n25x3hv-datasheets-4378.pdf | 24 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH36N55Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n55q-datasheets-4420.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 18нс | 15 нс | 54 нс | 36А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 148А | 0,16 Ом | 2 мДж | 550В | N-канал | 4500пФ при 25В | 160 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 36А Тк | 128 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT12N100F | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerRF™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft12n100f-datasheets-4455.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 9,8 нс | 12 нс | 31 нс | 12А | 20 В | 1кВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 300 Вт Тс | 48А | 1000 мДж | 1кВ | N-канал | 2700пФ при 25В | 5,5 В | 1,05 Ом при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 12А Тс | 77 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX90N60X | ИКСИС | $105,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx90n60x-datasheets-4513.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 90А | 600В | 1100 Вт Тс | N-канал | 8500пФ при 25В | 38 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 90А Тс | 210 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ30N60L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60l2-datasheets-2140.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 2,5 В | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10700пФ при 25В | 2,5 В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 335 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH58N20Q | ИКСИС | 3,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh58n20q-datasheets-8100.pdf | 200В | 58А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 40МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 40 нс | 13 нс | 40 нс | 58А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 1000 мДж | 200В | N-канал | 3600пФ при 25В | 40 мОм при 29 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 58А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА110N055P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp110n055p-datasheets-9421.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 9,9 мм | 4,5 мм | 9,2 мм | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27 нс | 53нс | 45 нс | 66 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 390 Вт Тс | 80 нс | 250А | 1000 мДж | 55В | N-канал | 2210пФ при 25 В | 13,5 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 76 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFP18N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | 19 недель | совместимый | 650В | 290 Вт Тс | N-канал | 1520пФ при 25В | 200 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 18А Тк | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.