Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXFH270N06T3 IXFH270N06T3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiperFET™, TrenchT3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh270n06t3-datasheets-1458.pdf ТО-247-3 30 недель да 270А 60В 480 Вт Тс N-канал 12600пФ при 25В 3,1 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 270А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTY1R6N100D2-TRL IXTY1R6N100D2-TRL ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) 2011 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 24 недели 1000В 100 Вт Тс N-канал 645пФ при 25В 10 Ом при 800 мА, 0 В 4,5 В @ 100 мкА 1,6 А ТДж 27 нК при 5 В 0 В ±20 В
IXTY32P05T-TRL IXTY32P05T-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 24 недели 50В 83 Вт Тс P-канал 1975 пФ при 25 В 39 мОм при 16 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 32А Тк 46 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFA4N85X IXFA4N85X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n85x-datasheets-2710.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель да 850В 150 Вт Тс N-канал 247пФ при 25В 2,5 Ом при 2 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 3,5 А Тс 7 нК @ 10 В 10 В ±30 В
IXFA4N100Q-TRL IXFA4N100Q-TRL ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n100q-datasheets-5554.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 8 недель ТО-263 (IXFA) 1,05 нФ 1000В 150 Вт Тс N-канал 1050пФ при 25В 3 Ом при 2 А, 10 В 4,5 В @ 1,5 мА 4А Тк 39 нК при 10 В 3 Ом 10 В ±20 В
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 ИКСИС $17,46
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr15n100q3-datasheets-3652.pdf ТО-247-3 16,13 мм 21,34 мм 5,21 мм 3 30 недель 247 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL неизвестный 3 Одинокий 400 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПСИП-Т3 28 нс 250 нс 30 нс 10А 30 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 400 Вт Тс 45А 1000 мДж 1кВ N-канал 3250пФ при 25В 1,2 Ом при 7,5 А, 10 В 6,5 В @ 4 мА 10А Тс 64 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFK55N50 IXFK55N50 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. 500В 55А ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 8 недель 90МОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет 3 Одинокий 560 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 60нс 45 нс 120 нс 55А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 625 Вт Тс 220А 500В N-канал 9400пФ при 25 В 90 мОм при 27,5 А, 10 В 4,5 В @ 8 мА 55А Тс 330 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT140N10P-TRL IXFT140N10P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 1 недели 100В 600 Вт Тс N-канал 4700пФ при 25В 11 мОм при 70 А, 10 В 5 В при 4 мА 140А Тс 155 нК при 10 В 10 В 15 В ±20 В
IXTT52N30P IXTT52N30P ИКСИС $35,36
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt52n30p-datasheets-3827.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 24 недели да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 400 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 22нс 20 нс 60 нс 52А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 0,066Ом 300В N-канал 3490пФ при 25В 66 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 52А Тс 110 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT110N10P IXTT110N10P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt110n10p-datasheets-3867.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 110А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100В 100В 480 Вт Тс 250А 0,015 Ом 1000 мДж N-канал 3550пФ при 25В 15 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 110А Тс 110 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFP16N85X IXFP16N85X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 23 недели
IXTP20N65X IXTP20N65X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp20n65x-datasheets-3922.pdf ТО-220-3 15 недель 20А 650В 320 Вт Тс N-канал 1390пФ при 25В 210 мОм при 10 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 20А Тс 35 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFH80N30P3 IXFH80N30P3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 24 недели
IXTT6N120-TRL IXTT6N120-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 24 недели 1200В 300 Вт Тс N-канал 1950пФ при 25В 2,6 Ом при 3 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 6А Тк 56 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH69N30P IXFH69N30P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh69n30p-datasheets-4070.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм Без свинца 3 20 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 25 нс 25нс 27 нс 75 нс 69А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс ТО-247АД 200А 0,049 Ом 1500 мДж 300В N-канал 4960пФ при 25 В 49 мОм при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 69А Тк 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTR62N15P IXTR62N15P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr62n15p-datasheets-4107.pdf ISOPLUS247™ 3 26 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 36А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В 150 Вт Тс 150А 0,045 Ом 1000 мДж N-канал 2250пФ при 25В 45 мОм при 31 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 36А Тк 70 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT24N80P IXFT24N80P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n80p-datasheets-4174.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 26 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 650 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 27нс 24 нс 75 нс 24А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 650 Вт Тс 55А 0,4 Ом 1500 мДж 800В N-канал 7200пФ при 25 В 400 мОм при 12 А, 10 В 5 В при 4 мА 24А Тк 105 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH5N100A IXTH5N100A ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth5n100a-datasheets-4210.pdf 1кВ ТО-247-3 Без свинца 3 28 недель 2,4 Ом 3 да Нет 3 Одинокий 180 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 20нс 30 нс 100 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 180 Вт Тс ТО-247АД 20А 1кВ N-канал 2600пФ при 25В 2 Ом при 2,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 5А Тс 130 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFK150N15P IXFK150N15P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n15p-datasheets-4247.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 714 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 33нс 28 нс 100 нс 150А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 714 Вт Тс 340А 2500 мДж 150 В N-канал 5800пФ при 25 В 13 м Ом при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 150А Тс 190 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT88N30P IXFT88N30P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh88n30p-datasheets-7053.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 26 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 600 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 88А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300В 300В 600 Вт Тс 220А 0,04 Ом 2000 мДж N-канал 6300пФ при 25 В 40 мОм при 44 А, 10 В 5 В при 4 мА 88А Тк 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA20N65X ИКСТА20N65X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp20n65x-datasheets-3922.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель 20А 650В 320 Вт Тс N-канал 1390пФ при 25В 210 мОм при 10 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 20А Тс 35 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH50N30 IXTH50N30 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth50n30-datasheets-4352.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 400 Вт 1 Р-ПСИП-Т3 33нс 17 нс 70 нс 50А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс ТО-247АД 200А 0,065 Ом 300В N-канал 4400пФ при 25В 65 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 50А Тс 165 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFH150N25X3HV IXFH150N25X3HV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n25x3hv-datasheets-4378.pdf 24 недели
IXFH36N55Q IXFH36N55Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n55q-datasheets-4420.pdf ТО-247-3 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 18нс 15 нс 54 нс 36А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс ТО-247АД 148А 0,16 Ом 2 мДж 550В N-канал 4500пФ при 25В 160 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В при 4 мА 36А Тк 128 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFT12N100F IXFT12N100F ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerRF™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) СМД/СМТ МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft12n100f-datasheets-4455.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 10 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) ДА КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 9,8 нс 12 нс 31 нс 12А 20 В 1кВ КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 300 Вт Тс 48А 1000 мДж 1кВ N-канал 2700пФ при 25В 5,5 В 1,05 Ом при 6 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 12А Тс 77 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFX90N60X IXFX90N60X ИКСИС $105,70
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx90n60x-datasheets-4513.pdf ТО-247-3 19 недель 90А 600В 1100 Вт Тс N-канал 8500пФ при 25В 38 мОм при 45 А, 10 В 4,5 В @ 8 мА 90А Тс 210 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Линейный L2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60l2-datasheets-2140.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 24 недели Нет СВХК 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 540 Вт 1 Не квалифицирован 30А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 2,5 В 540 Вт Тс 80А 0,24 Ом 2000 мДж N-канал 10700пФ при 25В 2,5 В 240 мОм при 15 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 30А Тс 335 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH58N20Q IXFH58N20Q ИКСИС 3,91 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh58n20q-datasheets-8100.pdf 200В 58А ТО-247-3 Без свинца 3 8 недель 40МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 40 нс 13 нс 40 нс 58А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 1000 мДж 200В N-канал 3600пФ при 25В 40 мОм при 29 А, 10 В 4 В @ 4 мА 58А Тс 140 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA110N055P ИКСТА110N055P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp110n055p-datasheets-9421.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 9,9 мм 4,5 мм 9,2 мм 2 8 недель Нет СВХК 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 390 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 27 нс 53нс 45 нс 66 нс 110А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 390 Вт Тс 80 нс 250А 1000 мДж 55В N-канал 2210пФ при 25 В 13,5 мОм при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 110А Тс 76 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFP18N65X2 IXFP18N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 19 недель совместимый 650В 290 Вт Тс N-канал 1520пФ при 25В 200 мОм при 9 А, 10 В 5 В @ 1,5 мА 18А Тк 29 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.