Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTY90N055T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 55В | 150 Вт Тс | N-канал | 2770пФ при 25 В | 8,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Тс | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY18P10T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 100 В | 83 Вт Тс | P-канал | 2100пФ при 25В | 120 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA36N20X3 | ИКСИС | $4,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy36n20x3-datasheets-3750.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 19 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 176 Вт Тс | 36А | 50А | 0,045 Ом | 300 мДж | N-канал | 1425пФ при 25В | 45 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 36А Тк | 21 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ80N25X3 | ИКСИС | $11,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/ixysintegratedcircuitsdivision-ix4424g-datasheets-3359.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 250В | 104 Вт Тс | N-канал | 5430пФ при 25В | 18 мОм при 40 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 44А Тк | 83 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT4N150HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt4n150hv-datasheets-3671.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 4А | 1500В | 280 Вт Тс | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ60N20L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt60n20l2-datasheets-3662.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Чистое олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 90 нс | 60А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 540 Вт Тс | 150А | 0,045 Ом | 2000 мДж | 200В | N-канал | 10500пФ при 25В | 45 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH72N30T | ИКСИС | $6,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 72А | 300В | N-канал | 72А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB100N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ixys-ixfb100n50q3-datasheets-3839.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 20 недель | 49МОм | 264 | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 1,56 кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 40 нс | 250 нс | 50 нс | 100А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1560 Вт Тс | 300А | 5000 мДж | 500В | N-канал | 13800пФ при 25В | 49 мОм при 50 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 100А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXTQ3N150M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-3П-3 Полный пакет | 24 недели | совместимый | 1500В | 73 Вт Тс | N-канал | 1375пФ при 25В | 7,3 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 1,83 А Тс | 38,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ130N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-3П-3, СК-65-3 | 26 недель | совместимый | 200В | 830 Вт Тс | N-канал | 8800пФ при 25В | 16 мОм при 65 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 130А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH4N150 | ИКСИС | $28,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth4n150-datasheets-3936.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 280 Вт Тс | 4А | 12А | 6Ом | 350 мДж | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP130N15X3 | ИКСИС | $9,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa130n15x3-datasheets-3968.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | совместимый | 150 В | 390 Вт Тс | N-канал | 5230пФ при 25 В | 9 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 130А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT26N60P | ИКСИС | $13,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth26n60p-datasheets-3794.pdf | 600В | 26А | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 21 нс | 75 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 65А | 0,27 Ом | 1200 мДж | 600В | N-канал | 4150пФ при 25В | 270 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 72 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| IXFT80N30P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ТО-268 | 14 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH9N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh9n80q-datasheets-4148.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 13 нс | 42 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | 9А | 700 мДж | 800В | N-канал | 2200пФ при 25В | 1,1 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 9А Тц | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH6N120 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n120-datasheets-4191.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33нс | 18 нс | 42 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 6А | 24А | 500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 1950пФ при 25В | 2,6 Ом при 3 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 6А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFR24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr24n50-datasheets-4223.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 33нс | 30 нс | 65 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 22А | 96А | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 24А Тк | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT15N100Q3-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 26 недель | 1000В | 690 Вт Тс | N-канал | 3250пФ при 25В | 1,05 Ом при 7,5 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 15А Тс | 64 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK74N50P2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk74n50p2-datasheets-4293.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 26 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,4 кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 74А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1400 Вт Тс | 185А | 0,077Ом | 3000 мДж | 500В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 77 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 74А Тк | 165 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ60N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n60x-datasheets-4330.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 19 недель | 60А | 600В | 890 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 25 В | 55 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 60А Тс | 143 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT40N50L2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 24 недели | 500В | 540 Вт Тс | N-канал | 10400пФ при 25В | 170 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 40А Тс | 320 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR13N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ISOPLUS247™ | 13А | 500В | N-канал | 13А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH30N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n50-datasheets-4431.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 42нс | 26 нс | 110 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-247АД | 120А | 0,17 Ом | 500В | N-канал | 5680пФ при 25 В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Тс | 227 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX120N30P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk120n30p3-datasheets-1840.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 30 недель | 247 | Одинокий | 26 нс | 60 нс | 120А | 20 В | 300В | 1130 Вт Тс | N-канал | 8630пФ при 25 В | 27 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX5N250 | ИКСИС | $121,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx5n250-datasheets-4542.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 960 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 20нс | 44 нс | 90 нс | 5А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500В | 960 Вт Тс | 5А | 20А | 2500 мДж | 2,5 кВ | N-канал | 8560пФ при 25В | 8,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 5А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH15N60 | ИКСИС | $62,40 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n60-datasheets-7594.pdf | 600В | 15А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 43нс | 40 нс | 70 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 60А | 0,05 Ом | 600В | N-канал | 4500пФ при 25В | 500 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 15А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXTQ74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ10N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa10n80p-datasheets-2794.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 22нс | 22 нс | 62 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 600 мДж | 800В | N-канал | 2050пФ при 25В | 1,1 Ом при 5 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1Н120П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarVHV™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp1n120p-datasheets-9423.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 27 нс | 54 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 63 Вт Тс | 1А | 1,8 А | 100 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 550пФ при 25В | 20 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 1А Тк | 17,6 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| IXTP340N04T4 | ИКСИС | $4,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчT4™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp340n04t4-datasheets-9887.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | да | неизвестный | 340А | 40В | 480 Вт Тс | N-канал | 13000пФ при 25В | 1,9 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 340А Тк | 256 нК при 10 В | 10 В | ±15 В |
