Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Напряжение изоляции Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXFQ50N60X IXFQ50N60X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 19 недель 50А 600В 660 Вт Тс N-канал 4660пФ при 25В 73 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 50А Тс 116 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTT11P50-TRL IXTT11P50-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 24 недели 500В 300 Вт Тс P-канал 4700пФ при 25В 750 мОм при 5,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 11А Тк 130 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT50P10 IXTT50P10 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth50p10-datasheets-2723.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 24 недели 55МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 39нс 38 нс 86 нс 50А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100В 300 Вт Тс 200А -100В P-канал 4350пФ при 25 В 55 мОм при 25 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 50А Тс 140 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFQ24N50Q IXFQ24N50Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-3П-3, СК-65-3 24А 500В N-канал 24А Тк
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 ИКСИС $10,62
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n65x24-datasheets-4207.pdf ТО-247-4 19 недель совместимый 650В 780 Вт Тс N-канал 6300пФ при 25 В 52 мОм при 30 А, 10 В 5 В при 4 мА 60А Тс 108 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTR20P50P IXTR20P50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларП™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr20p50p-datasheets-4245.pdf ISOPLUS247™ 3 28 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 13А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 190 Вт Тс 60А 0,49 Ом 2500 мДж P-канал 5120пФ при 25 В 490 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 13А Тк 103 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH2N150L IXTH2N150L ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Линейный L2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth2n150l-datasheets-4279.pdf ТО-247-3 24 недели 1500В 290 Вт Тс N-канал 1470пФ при 25В 15 Ом при 1 А, 20 В 8,5 В @ 250 мкА 2А Тк 72 нК при 20 В 20 В ±30 В
IXFX120N30T IXFX120N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ГигаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk120n30t-datasheets-4284.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 120А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300В 960 Вт Тс 0,024 Ом 2500 мДж N-канал 20000пФ при 25В 24 мОм при 60 А, 10 В 5 В при 4 мА 120А Тс 265 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFX62N25 IXFX62N25 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx62n25-datasheets-4351.pdf ТО-247-3 3 3 да EAR99 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 390 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 25нс 15 нс 115 нс 62А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 390 Вт Тс 248А 1500 мДж 250 В N-канал 6600пФ при 25В 35 мОм при 31 А, 10 В 4 В @ 4 мА 62А Тс 240 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH30N60Q IXFH30N60Q ИКСИС $12,31
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60q-datasheets-4376.pdf ТО-247-3 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 32нс 16 нс 80 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 500 Вт Тс ТО-247АД 120А 1500 мДж 600В N-канал 4700пФ при 25В 230 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В при 4 мА 30А Тс 125 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16n50d2-datasheets-4362.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 24 недели Одинокий 695 Вт ТО-268 5,25 нФ 173 нс 220 нс 203 нс 16А 20 В 500В 695 Вт Тс 300мОм 500В N-канал 5250пФ при 25В 240 мОм при 8 А, 0 В 16А Тс 199 нК при 5 В Режим истощения 240 мОм 0 В ±20 В
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft70n20q3-datasheets-4448.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 16,05 мм 5,1 мм 14 мм 2 26 недель 3 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 690 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 17 нс 10 нс 9 нс 24 нс 70А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 690 Вт Тс 210А 0,04 Ом 1500 мДж 200В N-канал 3150пФ при 25В 40 мОм при 35 А, 10 В 6,5 В @ 4 мА 70А Тс 67 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFN32N120P IXFN32N120P ИКСИС $42,18
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn32n120p-datasheets-4502.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 20 недель 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Нет Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 830 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 62нс 48 нс 88 нс 32А 30В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1200В 1000 Вт Тс 2000 мДж 1,2 кВ N-канал 21000пФ при 25В 310 мОм при 500 мА, 10 В 6,5 В при 1 мА 32А Тк 360 нК при 10 В 10 В ±30 В
VMO650-01F ВМО650-01Ф ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси Крепление на шасси -40°C~150°C ТДж Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-vmo65001f-datasheets-4673.pdf 100В 690А Y3-DCB Без свинца 4 28 недель 4 да EAR99 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН ВМО НЕ УКАЗАН 2,5 кВт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 500 нс 200 нс 800 нс 690А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2500 Вт Тс 2780А 0,0018Ом 100В N-канал 59000пФ при 25В 1,8 мОм при 500 мА, 10 В 6 В @ 130 мА 690А Тс 2300 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFN180N20 IXFN180N20 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный Винт МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. /files/ixys-ixfn180n20-datasheets-8096.pdf 200В 180А СОТ-227-4, миниБЛОК 4 46 г Нет СВХК 10МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 700 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПУФМ-X4 2,5 кВ 85нс 56 нс 180 нс 180А 20 В 200В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 700 Вт Тс 720А 4000 мДж 200В N-канал 22000пФ при 25В 4 В 10 м Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 8 мА 180А Тс 660 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP62N15P IXTP62N15P ИКСИС $16,20
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta62n15p-datasheets-5532.pdf ТО-220-3 10,66 мм 9,15 мм 4,83 мм 3 24 недели 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 350 Вт 1 Не квалифицирован 27 нс 38нс 35 нс 76 нс 62А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 350 Вт Тс ТО-220АБ 150А 0,04 Ом 1000 мДж 150 В N-канал 2250пФ при 25В 40 мОм при 31 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 62А Тс 70 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH48N20T IXTH48N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-247-3 48А 200В 275 Вт Тс N-канал 48А ТЦ
IXTA2R4N120P-TRL IXTA2R4N120P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 1200В 125 Вт Тс N-канал 1207пФ при 25 В 7,5 Ом при 1,2 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 2,4 А Тс 37 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA340N04T4 ИКСТА340N04T4 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчT4™ Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta340n04t4-datasheets-9966.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель да 40В 480 Вт Тс N-канал 13000пФ при 25В 1,7 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 340А Тк 256 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 ИКСИС $6,06
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq20n50p3-datasheets-3225.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм 3 20 недель Нет СВХК 3 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ 3 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 10 нс 43 нс 20А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 380 Вт Тс ТО-247АД 40А N-канал 1800пФ при 25В 300 мОм при 10 А, 10 В 5 В @ 1,5 мА 20А Тс 36 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFA102N15T IXFA102N15T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 102А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В 455 Вт Тс ТО-263АА 300А 0,018Ом 750 мДж N-канал 5220пФ при 25В 18 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 1 мА 102А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP2N100 IXTP2N100 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n100-datasheets-9903.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 7,5 МОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 100 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 15нс 30 нс 60 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 100 Вт Тс ТО-220АБ 150 мДж 1кВ N-канал 825пФ при 25В 7 Ом при 1 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 2А Тк 40 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ98N20T IXTQ98N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-3П-3, СК-65-3 98А 200В N-канал 98А Тц
IXTQ96N25T IXTQ96N25T ИКСИС $10,97
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчHV™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 625 Вт 1 Не квалифицирован 22нс 28 нс 59 нс 96А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 625 Вт Тс 250А 0,029 Ом 2000 мДж 250 В N-канал 6100пФ при 25В 29 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 1 мА 96А Тк 114 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth24n65x2-datasheets-0403.pdf ТО-220-3 15 недель совместимый 650В 390 Вт Тс N-канал 2060пФ при 25В 145 мОм при 12 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 24А Тк 36 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFH46N30T IXFH46N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 30 недель совместимый 300В 460 Вт Тс N-канал 4770пФ при 25В 80 мОм при 23 А, 10 В 5 В при 4 мА 46А Тц 86 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ32N65X IXTQ32N65X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth32n65x-datasheets-3818.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 15 недель 32А 650В 500 Вт Тс N-канал 2205пФ при 25В 135 мОм при 16 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 32А Тк 54 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH102N15T IXTH102N15T ИКСИС $12,97
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth102n15t-datasheets-0597.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 455 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 14 нс 22 нс 25 нс 102А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 455 Вт Тс 300А 0,018Ом 750 мДж 150 В N-канал 5220пФ при 25В 18 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 1 мА 102А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXKC25N80C IXKC25N80C ИКСИС $43,47
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать CoolMOS™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkc25n80c-datasheets-0643.pdf ISOPLUS220™ Без свинца 3 32 недели 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 140 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 25нс 10 нс 75 нс 25А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТО-220АБ 20А 0,15 Ом 690 мДж 800В N-канал 4600пФ при 25В 150 мОм при 18 А, 10 В 4 В при 2 мА 25А Тс 180 нК при 10 В Супер Джанкшн 10 В ±20 В
IXTR90P20P IXTR90P20P ИКСИС $20,62
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларП™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr90p20p-datasheets-0695.pdf ISOPLUS247™ 3 28 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 53А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 312 Вт Тс 270А 0,048Ом P-канал 12000пФ при 25В 48 мОм при 45 А, 10 В 4 В при 1 мА 53А Тк 205 нК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.