| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFQ50N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 19 недель | 50А | 600В | 660 Вт Тс | N-канал | 4660пФ при 25В | 73 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 50А Тс | 116 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT11P50-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 500В | 300 Вт Тс | P-канал | 4700пФ при 25В | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT50P10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth50p10-datasheets-2723.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 55МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 39нс | 38 нс | 86 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 300 Вт Тс | 200А | -100В | P-канал | 4350пФ при 25 В | 55 мОм при 25 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ24N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 24А | 500В | N-канал | 24А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH60N65X2-4 | ИКСИС | $10,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n65x24-datasheets-4207.pdf | ТО-247-4 | 19 недель | совместимый | 650В | 780 Вт Тс | N-канал | 6300пФ при 25 В | 52 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 60А Тс | 108 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR20P50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr20p50p-datasheets-4245.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 13А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 190 Вт Тс | 60А | 0,49 Ом | 2500 мДж | P-канал | 5120пФ при 25 В | 490 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 13А Тк | 103 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH2N150L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth2n150l-datasheets-4279.pdf | ТО-247-3 | 24 недели | 2А | 1500В | 290 Вт Тс | N-канал | 1470пФ при 25В | 15 Ом при 1 А, 20 В | 8,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 72 нК при 20 В | 20 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX120N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk120n30t-datasheets-4284.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 960 Вт Тс | 0,024 Ом | 2500 мДж | N-канал | 20000пФ при 25В | 24 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 265 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX62N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx62n25-datasheets-4351.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25нс | 15 нс | 115 нс | 62А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 390 Вт Тс | 248А | 1500 мДж | 250 В | N-канал | 6600пФ при 25В | 35 мОм при 31 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 62А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N60Q | ИКСИС | $12,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60q-datasheets-4376.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 32нс | 16 нс | 80 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 120А | 1500 мДж | 600В | N-канал | 4700пФ при 25В | 230 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 30А Тс | 125 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT16N50D2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16n50d2-datasheets-4362.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 24 недели | Одинокий | 695 Вт | ТО-268 | 5,25 нФ | 173 нс | 220 нс | 203 нс | 16А | 20 В | 500В | 695 Вт Тс | 300мОм | 500В | N-канал | 5250пФ при 25В | 240 мОм при 8 А, 0 В | 16А Тс | 199 нК при 5 В | Режим истощения | 240 мОм | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT70N20Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft70n20q3-datasheets-4448.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 690 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 10 нс | 9 нс | 24 нс | 70А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 690 Вт Тс | 210А | 0,04 Ом | 1500 мДж | 200В | N-канал | 3150пФ при 25В | 40 мОм при 35 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 70А Тс | 67 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN32N120P | ИКСИС | $42,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn32n120p-datasheets-4502.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 20 недель | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 830 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 62нс | 48 нс | 88 нс | 32А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 1000 Вт Тс | 2000 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 21000пФ при 25В | 310 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 32А Тк | 360 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВМО650-01Ф | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-vmo65001f-datasheets-4673.pdf | 100В | 690А | Y3-DCB | Без свинца | 4 | 28 недель | 4 | да | EAR99 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | ВМО | НЕ УКАЗАН | 2,5 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 500 нс | 200 нс | 800 нс | 690А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500 Вт Тс | 2780А | 0,0018Ом | 100В | N-канал | 59000пФ при 25В | 1,8 мОм при 500 мА, 10 В | 6 В @ 130 мА | 690А Тс | 2300 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN180N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixfn180n20-datasheets-8096.pdf | 200В | 180А | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 46 г | Нет СВХК | 10МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 2,5 кВ | 85нс | 56 нс | 180 нс | 180А | 20 В | 200В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 700 Вт Тс | 720А | 4000 мДж | 200В | N-канал | 22000пФ при 25В | 4 В | 10 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 180А Тс | 660 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP62N15P | ИКСИС | $16,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta62n15p-datasheets-5532.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 9,15 мм | 4,83 мм | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27 нс | 38нс | 35 нс | 76 нс | 62А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350 Вт Тс | ТО-220АБ | 150А | 0,04 Ом | 1000 мДж | 150 В | N-канал | 2250пФ при 25В | 40 мОм при 31 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 62А Тс | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH48N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 48А | 200В | 275 Вт Тс | N-канал | 48А ТЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA2R4N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1200В | 125 Вт Тс | N-канал | 1207пФ при 25 В | 7,5 Ом при 1,2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,4 А Тс | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА340N04T4 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчT4™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta340n04t4-datasheets-9966.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | да | 40В | 480 Вт Тс | N-канал | 13000пФ при 25В | 1,7 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 340А Тк | 256 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH20N50P3 | ИКСИС | $6,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq20n50p3-datasheets-3225.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 20 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 43 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 5В | 380 Вт Тс | ТО-247АД | 40А | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 20А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA102N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 102А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 455 Вт Тс | ТО-263АА | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n100-datasheets-9903.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 7,5 МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15нс | 30 нс | 60 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 100 Вт Тс | ТО-220АБ | 2А | 8А | 150 мДж | 1кВ | N-канал | 825пФ при 25В | 7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 40 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ98N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 98А | 200В | N-канал | 98А Тц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ96N25T | ИКСИС | $10,97 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22нс | 28 нс | 59 нс | 96А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | 250А | 0,029 Ом | 2000 мДж | 250 В | N-канал | 6100пФ при 25В | 29 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 96А Тк | 114 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP24N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth24n65x2-datasheets-0403.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | совместимый | 650В | 390 Вт Тс | N-канал | 2060пФ при 25В | 145 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH46N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 30 недель | совместимый | 300В | 460 Вт Тс | N-канал | 4770пФ при 25В | 80 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 46А Тц | 86 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ32N65X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth32n65x-datasheets-3818.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15 недель | 32А | 650В | 500 Вт Тс | N-канал | 2205пФ при 25В | 135 мОм при 16 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH102N15T | ИКСИС | $12,97 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth102n15t-datasheets-0597.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 14 нс | 22 нс | 25 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | 150 В | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKC25N80C | ИКСИС | $43,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkc25n80c-datasheets-0643.pdf | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 32 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 140 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25нс | 10 нс | 75 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 20А | 0,15 Ом | 690 мДж | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 150 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 2 мА | 25А Тс | 180 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR90P20P | ИКСИС | $20,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr90p20p-datasheets-0695.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 53А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 312 Вт Тс | 270А | 0,048Ом | P-канал | 12000пФ при 25В | 48 мОм при 45 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 53А Тк | 205 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.