Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код HTS Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Прямой ток Прямое напряжение Включить время задержки Максимальный импульсный ток Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Приложение DS Напряжение пробоя-мин. Технология полевых транзисторов Скорость Материал диодного элемента Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) Пиковый обратный ток Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) Пиковый неповторяющийся импульсный ток Обратное напряжение Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Время восстановления Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Средний выпрямленный ток Количество фаз Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Рабочая температура - соединение Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
DSEP29-03A ДСЭП29-03А ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ХиПерФРЕД™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) Сквозное отверстие 175°С -55°С ЛАВИНА Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsep2903a-datasheets-1849.pdf ТО-220-2 2 Нет СВХК 2 EAR99 СНАББЕРНЫЙ ДИОД, СВОБОДНЫЙ ДИОД 8541.10.00.80 е3 Матовый олово (Sn) 260 3 Одинокий 35 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован 30А 930 мВ 300А КАТОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 170 Вт 300А 250 мкА 300В 300А 300В 30 нс 30 нс Стандартный 300В 30А 1 10 мкА при 300 В 1,26 В при 30 А -55°К~175°К
MDO1200-20N1 МДО1200-20Н1 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Поднос 1 (без ограничений) Соответствует RoHS Y1-CU МДО1200 Y1-CU Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 2кВ 2000В
IXTP140P05T IXTP140P05T ИКСИС $3,34
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp140p05t-datasheets-1699.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 24 недели да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 140А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 50В 298 Вт Тс ТО-220АБ 420А 0,009 Ом 1000 мДж P-канал 13500пФ при 25В 9 м Ом при 70 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 140А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFX230N20T IXFX230N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ГигаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx230n20t-datasheets-3117.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 20 недель 247 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 3 Одинокий 1,67 кВт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПСИП-Т3 230А 20 В ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1670 Вт Тс 630А 0,0075Ом 3000 мДж 200В N-канал 28000пФ при 25В 7,5 мОм при 60 А, 10 В 5 В @ 8 мА 230А Тс 378 нК при 10 В 10 В ±20 В
GMM3X60-015X2-SMD ГММ3Х60-015Х2-СМД ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Поднос 1 (без ограничений) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/ixys-gmm3x60015x2smd-datasheets-0346.pdf ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ 24 EAR99 е2 ОЛОВО СЕРЕБРО ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 6 Полевой транзистор общего назначения Р-ПДСО-Г24 50А КРЕМНИЙ 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 57А 0,024 Ом 6 N-каналов (3-фазный мост) 5800пФ при 25 В 24 мОм при 38 А, 10 В 4,5 В @ 1 мА 97 нК при 10 В Стандартный
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 ИКСИС $5,49
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp130n15x4-datasheets-7535.pdf ТО-220-3 15 недель 150 В 400 Вт Тс N-канал 4770пФ при 25В 8,5 мОм при 70 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 130А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA26N30X3 IXFA26N30X3 ИКСИС $3,95
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy26n30x3-datasheets-3776.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель 300В 170 Вт Тс N-канал 1,465 нФ при 25 В 66 мОм при 13 А, 10 В 4,5 В @ 500 мкА 26А Тк 22 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 ИКСИС $5,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Линейный L2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp80n075l2-datasheets-0936.pdf ТО-220-3 24 недели 80А 75В 357 Вт Тс N-канал 3600пФ при 25В 24 мОм при 40 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 80А Тс 103 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTX4N300P3HV IXTX4N300P3HV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx4n300p3hv-datasheets-8647.pdf ТО-247-3 Вариант 24 недели неизвестный 3000В 960 Вт Тс N-канал 3680пФ при 25В 12,5 Ом при 2 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 139 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA80N10T ИКСТА80Н10Т ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp80n10t-datasheets-0277.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 230 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 54нс 48 нс 40 нс 80А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 230 Вт Тс 220А 400 мДж 100В N-канал 3040пФ при 25В 14 мОм при 25 А, 10 В 5 В @ 100 мкА 80А Тс 60 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA60N10T ИКСТА60Н10Т ИКСИС 2,41 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp60n10t-datasheets-3593.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 176 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 40 нс 37 нс 43 нс 60А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 176 Вт Тс 500 мДж 100В N-канал 2650пФ при 25В 18 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 50 мкА 60А Тс 49 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA130N15X4 ИКСТА130N15X4 ИКСИС $11,32
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n15x4-datasheets-5545.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель 150 В 400 Вт Тс N-канал 4770пФ при 25В 8 мОм при 65 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 130А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR48N60P IXFR48N60P ИКСИС $17,07
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr48n60p-datasheets-5650.pdf 600В 48А ISOPLUS247™ Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Не квалифицирован 25нс 22 нс 85 нс 32А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 110А 0,15 Ом 2000 мДж 600В N-канал 8860пФ при 25 В 150 мОм при 24 А, 10 В 5 В @ 8 мА 32А Тк 150 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFT26N100XHV IXFT26N100XHV ИКСИС $19,98
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n100x-datasheets-5605.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 19 недель 1000В 860мВт Та N-канал 3290пФ при 25 В 320 мОм при 500 мА, 10 В 1 В @ 4 мА 26А Та 113 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA32P05T IXTA32P05T ИКСИС 2,95 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32p05t-datasheets-4440.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель 39МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 83 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 32А 15 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 83 Вт Тс 110А 200 мДж -50В P-канал 1975 пФ при 25 В 39 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 32А Тк 46 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFH52N30P IXFH52N30P ИКСИС $9,32
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n30p-datasheets-7139.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 24 нс 22нс 20 нс 60 нс 52А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 0,066Ом 300В N-канал 3490пФ при 25В 66 мОм при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 52А Тс 110 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT68P20T IXTT68P20T ИКСИС $17,77
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 24 недели 3 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 4 568 Вт 1 Другие транзисторы Р-ПССО-Г2 68А 15 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 568 Вт Тс 200А 0,055 Ом 2500 мДж P-канал 33400пФ при 25В 55 мОм при 34 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 68А Тк 380 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFX160N30T IXFX160N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ГигаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk160n30t-datasheets-2061.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 160А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300В 1390 Вт Тс 440А 0,019 Ом N-канал 28000пФ при 25В 19 мОм при 60 А, 10 В 5 В @ 8 мА 160А Тс 335 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh34n65x2-datasheets-1475.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель неизвестный 34А 650В 540 Вт Тс N-канал 3330пФ при 25В 105 мОм при 17 А, 10 В 5,5 В @ 2,5 мА 34А Тк 56 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTU50N085T IXTU50N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA 50А 85В N-канал 4 В при 25 мкА 50А Тс
IXTY02N120P-TRL IXTY02N120P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 24 недели 1200В 33 Вт Тс N-канал 104пФ при 25В 75 Ом при 100 мА, 10 В 4 В при 100 мкА 200 мА Тс 4,7 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 ИКСИС $4,76
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq20n50p3-datasheets-3225.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 15,8 мм 20,3 мм 4,9 мм 3 26 недель 3 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ 3 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 10 нс 43 нс 20А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 380 Вт Тс 40А N-канал 1800пФ при 25В 300 мОм при 10 А, 10 В 5 В @ 1,5 мА 20А Тс 36 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA3N120HV ИКСТА3Н120ХВ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta3n120hv-datasheets-3615.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 24 недели не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) 1200В 200 Вт Тс N-канал 1100пФ при 25В 4,5 Ом при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 3А Тк 42 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV ИКСИС $12,31
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh140n20x3-datasheets-4865.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 19 недель 200В 520 Вт Тс N-канал 7660пФ при 25В 9,6 мОм при 70 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 140А Тс 127 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH3N200P3HV IXTH3N200P3HV ИКСИС $27,36
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth3n200p3hv-datasheets-3758.pdf ТО-247-3 Без свинца 24 недели 2000В 520 Вт Тс N-канал 1860пФ при 25В 8 Ом при 1,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 3А Тк 70 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa8n85xhv-datasheets-3817.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель совместимый 850В 200 Вт Тс N-канал 654пФ при 25В 850 мОм при 4 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 8А Тк 17 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFB40N110Q3 IXFB40N110Q3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb40n110q3-datasheets-3846.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 20 недель 40А 1100В 1560 Вт Тс N-канал 14000пФ при 25В 260 мОм при 20 А, 10 В 6,5 В @ 8 мА 40А Тс 300 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTT34N65X2HV IXTT34N65X2HV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt34n65x2hv-datasheets-3878.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 15 недель совместимый 650В 540 Вт Тс N-канал 3000пФ при 25В 96 мОм при 17 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 34А Тк 54 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFH34N50P3 IXFH34N50P3 ИКСИС $4,09
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq34n50p3-datasheets-3778.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм 30 недель 3 Одинокий 23 нс 40 нс 34А 30В 500В 695 Вт Тс N-канал 3260пФ при 25В 170 мОм при 17 А, 10 В 5 В при 4 мА 34А Тк 60 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV20N80P IXFV20N80P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n80p-datasheets-5587.pdf ТО-220-3, короткая вкладка 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 24 нс 24 нс 85 нс 20А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 0,52 Ом 1000 мДж 800В N-канал 4685пФ при 25 В 520 мОм при 10 А, 10 В 5 В при 4 мА 20А Тс 86 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.