Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXTA16N50P-TRL IXTA16N50P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 500В 300 Вт Тс N-канал 2250пФ при 25В 400 мОм при 8 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 16А Тс 43 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA27N20T ИКСТА27Н20Т ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 27А 20 В N-канал 27А ТЦ
IXTY1N120P IXTY1N120P ИКСИС $13,28
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 24 недели 150°С Полевой транзистор общего назначения Одинокий 63 Вт 1200В N-канал 1А Тк
IXTU05N100 IXTU05N100 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu05n100-datasheets-2119.pdf TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 40 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 750 мА 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 40 Вт Тс 0,75 А 100 мДж 1кВ N-канал 260пФ при 25В 17 Ом при 375 мА, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 750 мА Тс 7,8 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTP74N15T IXTP74N15T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3 74А 150 В N-канал 74А Тк
IXTA130N065T2 ИКСТА130N065T2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчТ2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n065t2-datasheets-2316.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 24 недели да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 130А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 65В 65В 250 Вт Тс 330А 0,0066Ом 600 мДж N-канал 4800пФ при 25В 6,6 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 130А Тс 79 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчT4™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth270n04t4-datasheets-0011.pdf ТО-220-3 24 недели 270А 40В 375 Вт Тс N-канал 9140пФ при 25В 2,4 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 270А Тс 182 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTH36N20T IXTH36N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-247-3 36А 200В N-канал 36А Тк
IXTA90N075T2-TRL IXTA90N075T2-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 75В 180 Вт Тс N-канал 3290пФ при 25 В 10 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Тс 54 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 ИКСИС 2,72 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2n65x2-datasheets-9221.pdf ТО-220-3 15 недель EAR99 не_совместимо НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 650В 55 Вт Тс N-канал 180пФ при 25В 2,3 Ом при 1 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 2А Тк 4,3 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA18P10T ИКСТА18П10Т ИКСИС 0,85 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp18p10t-datasheets-2547.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 28 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 18А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100В 100В 83 Вт Тс 60А 0,12 Ом 200 мДж P-канал 2100пФ при 25В 120 мОм при 9 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 18А Тк 39 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTA08N120P-TRL IXTA08N120P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 1200В 50 Вт Тс N-канал 333пФ при 25 В 25 Ом при 400 мА, 10 В 4,5 В @ 50 мкА 800 мА Тс 14 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP3N50P IXTP3N50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty3n50p-datasheets-5773.pdf 500В ТО-220-3 Без свинца 3 8 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 70 Вт 1 Не квалифицирован 15нс 12 нс 38 нс 3,6А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 70 Вт Тс ТО-220АБ 2Ом 180 мДж 500В N-канал 409пФ при 25В 2 Ом при 1,8 А, 10 В 5,5 В @ 50 мкА 3,6 А Тс 9,3 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV26N50PS IXFV26N50PS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n50p-datasheets-9078.pdf 500В 26А ПЛЮС-220СМД Без свинца 2 Нет СВХК 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 25нс 20 нс 58 нс 26А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 5,5 В 400 Вт Тс 78А 1000 мДж 500В N-канал 3600пФ при 25В 230 мОм при 13 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 26А Тк 60 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTI10N60P IXTI10N60P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixti10n60p-datasheets-5893.pdf 600В 10А ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА Без свинца 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 200 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 24 нс 18 нс 55 нс 10А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200 Вт Тс ТО-263 30А 0,74 Ом 500 мДж 600В N-канал 1610пФ при 25В 740 мОм при 5 А, 10 В 5 В @ 100 мкА 10А Тс 32 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV30N60PS IXFV30N60PS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf 600В 30А ПЛЮС-220СМД Без свинца 2 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 20 нс 25 нс 80 нс 30А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 80А 0,24 Ом 1500 мДж 600В N-канал 4000пФ при 25В 240 мОм при 15 А, 10 В 5 В при 4 мА 30А Тс 82 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFR50N50 IXFR50N50 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°C~150°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr50n50-datasheets-7374.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 60нс 45 нс 120 нс 43А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 200А 0,1 Ом 500В N-канал 9400пФ при 25 В 100 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 8 мА 43А Тц 330 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT17N80Q IXFT17N80Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh17n80q-datasheets-0604.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 27нс 16 нс 53 нс 17А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 68А 0,6 Ом 1000 мДж 800В N-канал 3600пФ при 25В 600 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В при 4 мА 17А Тк 95 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT20N60Q IXFT20N60Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft20n60q-datasheets-7472.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 20 нс 20 нс 45 нс 20А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 80А 0,35 Ом 1500 мДж 600В N-канал 3300пФ при 25В 350 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 20А Тс 90 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTC220N055T IXTC220N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc220n055t-datasheets-7515.pdf ISOPLUS220™ 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 150 Вт 1 Не квалифицирован 62нс 53 нс 53 нс 130А КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 Вт Тс 600А 0,0044Ом 500 мДж 55В N-канал 7200пФ при 25В 4,4 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 130А Тс 158 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTC240N055T IXTC240N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc240n055t-datasheets-7548.pdf ISOPLUS220™ 3 3 да EAR99 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 150 Вт 1 Не квалифицирован 54нс 75 нс 63 нс 132А КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 Вт Тс 650А 0,004 Ом 500 мДж 55В N-канал 7600пФ при 25 В 4 м Ом при 50 А, 10 В 4 В при 1 мА 132А Тс 170 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH280N055T IXTH280N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth280n055t-datasheets-7581.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 3,2 МОм да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 55нс 37 нс 49 нс 280А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс 600А 1500 мДж 55В N-канал 9700пФ при 25 В 3,2 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 280А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ180N085T IXTQ180N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth180n085t-datasheets-7552.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 Без свинца 3 5,5 МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 70нс 65 нс 55 нс 180А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс 480А 1000 мДж 85В N-канал 7500пФ при 25В 5,5 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 180А Тс 170 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTV200N10TS IXTV200N10TS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv200n10ts-datasheets-7656.pdf ПЛЮС-220СМД 2 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 31 нс 34 нс 45 нс 200А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс 500А 0,0055Ом 1500 мДж 100В N-канал 9400пФ при 25 В 5,5 мОм при 50 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 200А Тс 152 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTV280N055T IXTV280N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv280n055ts-datasheets-7688.pdf ТО-220-3, короткая вкладка 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Не квалифицирован 55нс 37 нс 49 нс 280А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс 600А 1500 мДж 55В N-канал 9800пФ при 25В 3,2 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 280А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP160N085T IXTP160N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n085t-datasheets-7462.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 61нс 36 нс 65 нс 160А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 360 Вт Тс ТО-220АБ 350А 0,006Ом 1000 мДж 85В N-канал 6400пФ при 25В 6 м Ом при 50 А, 10 В 4 В при 1 мА 160А Тс 164 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFX34N80 IXFX34N80 ИКСИС $3,57
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk34n80-datasheets-5290.pdf 800В 34А ТО-247-3 Без свинца 3 8 недель 240МОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 560 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 45нс 40 нс 100 нс 34А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 560 Вт Тс 800В N-канал 7500пФ при 25В 240 мОм при 17 А, 10 В 5 В @ 8 мА 34А Тк 270 нК при 10 В 10 В ±20 В
IRFP250 ИРФП250 ИКСИС 0,51 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-irfp250-datasheets-8428.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 3 EAR99 3 Одинокий 190 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 130 нс 98 нс 110 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 190 Вт Тс ТО-247АД 120А 0,085 Ом 200В N-канал 2970пФ при 25В 85 мОм при 18 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 30А Тс 140 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH30N50 IXFH30N50 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) Сквозное отверстие МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft30n50-datasheets-4425.pdf ТО-247-3 3 Нет СВХК 160мОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 42нс 26 нс 110 нс 30А 20 В 500В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 360 Вт Тс 250 нс 120А 1500 мДж 500В N-канал 5700пФ при 25В 4 В 160 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 4 мА 30А Тс 300 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFK30N50Q IXFK30N50Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk30n50q-datasheets-8591.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 416 Вт 1 Не квалифицирован 42нс 20 нс 75 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 416 Вт Тс 120А 0,16 Ом 1500 мДж 500В N-канал 3950пФ при 25В 160 мОм при 15 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 30А Тс 150 нК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.