| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Рабочая температура - соединение | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДСА75-18Б | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 180°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsai7516b-datasheets-8519.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | Без свинца | 1 | 6 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д1 | 110А | 1,17 В | 1,4 кА | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 кА | 6мА | 1,8 кВ | 1,5 кА | 1,8 кВ | лавина | 1,8 кВ | 110А | 1 | 1800В | 6 мА при 1800 В | 1,17 В при 150 А | -40°К~180°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДО1200-16Н1 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Y1-CU | МДО1200 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 1600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1Н200П3ХВ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n200p3hv-datasheets-1754.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1А | 2000В | 125 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 25 В | 40 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1А Тк | 23,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH170N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh170n25x3-datasheets-2189.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 250В | 960 Вт Тс | N-канал | 13500пФ при 25В | 7,4 мОм при 85 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 170А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС2Ф60Н50П3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | /files/ixys-mmix2f60n50p3-datasheets-0394.pdf | Модуль 24-SMD, 9 выводов | 30 недель | совместимый | 500В | 320 Вт | 2 N-канала (двойной) | 6250пФ при 25 В | 110 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 96 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN32N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn32n100p-datasheets-0268.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 30 недель | 320мОм | 4 | Нет | 690 Вт | 1 | СОТ-227Б | 14,2 нФ | 55нс | 43 нс | 76 нс | 27А | 30В | 1000В | 690 Вт Тс | 320мОм | 1кВ | N-канал | 14200пФ при 25В | 320 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 27А ТЦ | 225 нК при 10 В | 320 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK140N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk140n25t-datasheets-4863.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 140А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250В | 250В | 960 Вт Тс | 380А | 0,017Ом | 3000 мДж | N-канал | 19000пФ при 25В | 17 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 140А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA6N50D2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 500В | 300 Вт Тс | N-канал | 2800пФ при 25В | 500 мОм при 3 А, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Тиджей | 96 нК при 5 В | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2 | ИКСИС | $42,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r6n50d2-datasheets-1609.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | да | UL ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 1,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | 100 Вт Тс | N-канал | 645пФ при 25В | 2,3 Ом при 800 мА, 0 В | 1,6 А Тс | 23,7 нК при 5 В | Режим истощения | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK400N15X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk400n15x3-datasheets-2388.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19 недель | совместимый | 150 В | 1250 Вт Тс | N-канал | 23,7 нФ при 25 В | 3 м Ом при 200 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 400А Тс | 365 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP4N85XM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp4n85xm-datasheets-5212.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 19 недель | да | 850В | 35 Вт Тс | N-канал | 247пФ при 25В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 7 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH36N50P | ИКСИС | $36,88 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth36n50p-datasheets-5556.pdf | 500В | 36А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 170МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 21 нс | 75 нс | 36А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 540 Вт Тс | ТО-247АД | 108А | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 5 В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 85 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT240N15X4HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth240n15x4-datasheets-5560.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 15 недель | 150 В | 940 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25В | 4,4 мОм при 120 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 240А Тс | 195 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА3N100D2 | ИКСИС | $8,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp3n100d2-datasheets-2865.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 24 недели | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 3А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 125 Вт Тс | ТО-263АА | N-канал | 1020пФ при 25В | 5,5 Ом при 1,5 А, 0 В | 3А Тк | 37,5 нК при 5 В | Режим истощения | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА120P065T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp120p065t-datasheets-5518.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 10МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 298 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 21 нс | 120А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 65В | 298 Вт Тс | 0,12 А | 360А | 1000 мДж | -65В | P-канал | 13200пФ при 25В | 10 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120А Тс | 185 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX420N10T | ИКСИС | 2,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx420n10t-datasheets-7144.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 420А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 1670 Вт Тс | 0,0026Ом | 5000 мДж | N-канал | 47000пФ при 25В | 2,6 мОм при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 420А Тс | 670 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY8N70X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty8n70x2-datasheets-0423.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 15 недель | да | 700В | 150 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 10В | 500 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH6N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n100q-datasheets-1418.pdf | ТО-247-3 | 3 | 8 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15нс | 12 нс | 22 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 180 Вт Тс | 6А | 24А | 2Ом | 700 мДж | 1кВ | N-канал | 2200пФ при 25В | 1,9 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В @ 2,5 мА | 6А Тк | 48 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP5N100PM | ИКСИС | $7,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100pm-datasheets-2755.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 26 недель | 2,3А | 1000В | 42 Вт Тс | N-канал | 1830пФ при 25В | 2,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 6 В при 250 мкА | 2,3 А Тс | 33,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU64N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 64А | 55В | N-канал | 4 В при 25 мкА | 64А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP8N70X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp8n70x2m-datasheets-1751.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 15 недель | да | 700В | 32 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 10В | 550 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА36П15П-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta36p15ptrl-datasheets-9545.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 28 недель | 150 В | 300 Вт Тс | P-канал | 3100пФ при 25 В | 110 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 55 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA72N20X3 | ИКСИС | $8,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp72n20x3-datasheets-4593.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 200В | 320 Вт Тс | N-канал | 3780пФ при 25В | 20 мОм при 36 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 72А Тк | 55 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH1N300P3HV | ИКСИС | $33,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt1n300p3hv-datasheets-7175.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | 1А | 3000В | 195 Вт Тс | N-канал | 895пФ при 25 В | 50 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1А Тк | 30,6 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK8N150L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk8n150l-datasheets-3766.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | UL ПРИЗНАЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 700 Вт Тс | 8А | 20А | N-канал | 8000пФ при 25В | 3,6 Ом при 4 А, 20 В | 8 В @ 250 мкА | 8А Тк | 250 нК при 15 В | 20 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP18N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 18А | 600В | 320 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 25В | 230 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 18А Тк | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV60N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3, короткая вкладка | 60А | 300В | N-канал | 60А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP26N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 23 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT36P10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 36А | 100В | P-канал | 36А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N60P | ИКСИС | $15,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf | 600В | 30А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 500 Вт | 1 | 20 нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 80А | 0,24 Ом | 600В | N-канал | 4000пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.