Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код HTS Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Прямой ток Прямое напряжение Максимальный импульсный ток Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Приложение DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Скорость Мощность - Макс. Материал диодного элемента Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) Пиковый обратный ток Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) Пиковый неповторяющийся импульсный ток Обратное напряжение Код JEDEC-95 Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Средний выпрямленный ток Количество фаз Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Рабочая температура - соединение Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
DSA75-18B ДСА75-18Б ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) 180°С -40°С Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsai7516b-datasheets-8519.pdf ДО-203АБ, ДО-5, шпилька Без свинца 1 6 недель Нет СВХК 2 да EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ НЕ УКАЗАН 1 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован О-МУПМ-Д1 110А 1,17 В 1,4 кА АНОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 1,5 кА 6мА 1,8 кВ 1,5 кА 1,8 кВ лавина 1,8 кВ 110А 1 1800В 6 мА при 1800 В 1,17 В при 150 А -40°К~180°К
MDO1200-16N1 МДО1200-16Н1 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Поднос 1 (без ограничений) Соответствует RoHS Y1-CU МДО1200 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 1,6 кВ 1600В
IXTA1N200P3HV ИКСТА1Н200П3ХВ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n200p3hv-datasheets-1754.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 24 недели не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2000В 125 Вт Тс N-канал 646пФ при 25 В 40 Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 1А Тк 23,5 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH170N25X3 IXFH170N25X3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh170n25x3-datasheets-2189.pdf ТО-247-3 19 недель да 250В 960 Вт Тс N-канал 13500пФ при 25В 7,4 мОм при 85 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 170А Тс 190 нК при 10 В 10 В ±20 В
MMIX2F60N50P3 ММИКС2Ф60Н50П3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей /files/ixys-mmix2f60n50p3-datasheets-0394.pdf Модуль 24-SMD, 9 выводов 30 недель совместимый 500В 320 Вт 2 N-канала (двойной) 6250пФ при 25 В 110 мОм при 30 А, 10 В 5 В при 4 мА 30А Тс 96 нК при 10 В Стандартный
IXFN32N100P IXFN32N100P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn32n100p-datasheets-0268.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК Без свинца 30 недель 320мОм 4 Нет 690 Вт 1 СОТ-227Б 14,2 нФ 55нс 43 нс 76 нс 27А 30В 1000В 690 Вт Тс 320мОм 1кВ N-канал 14200пФ при 25В 320 мОм при 16 А, 10 В 6,5 В @ 1 мА 27А ТЦ 225 нК при 10 В 320 мОм 10 В ±30 В
IXFK140N25T IXFK140N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ГигаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk140n25t-datasheets-4863.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 30 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 140А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 250В 250В 960 Вт Тс 380А 0,017Ом 3000 мДж N-канал 19000пФ при 25В 17 мОм при 60 А, 10 В 5 В при 4 мА 140А Тс 255 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA6N50D2-TRL IXTA6N50D2-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 24 недели 500В 300 Вт Тс N-канал 2800пФ при 25В 500 мОм при 3 А, 0 В 4,5 В @ 250 мкА 6А Тиджей 96 нК при 5 В 0 В ±20 В
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 ИКСИС $42,08
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r6n50d2-datasheets-1609.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 24 недели 3 да UL ПРИЗНАЛ е3 Олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 100 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 1,6А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ УСИЛИТЕЛЬ 500В 100 Вт Тс N-канал 645пФ при 25В 2,3 Ом при 800 мА, 0 В 1,6 А Тс 23,7 нК при 5 В Режим истощения ±20 В
IXFK400N15X3 IXFK400N15X3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk400n15x3-datasheets-2388.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 19 недель совместимый 150 В 1250 Вт Тс N-канал 23,7 нФ при 25 В 3 м Ом при 200 А, 10 В 4,5 В @ 8 мА 400А Тс 365 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFP4N85XM IXFP4N85XM ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp4n85xm-datasheets-5212.pdf ТО-220-3 Полный пакет 19 недель да 850В 35 Вт Тс N-канал 247пФ при 25В 2,5 Ом при 2 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 3,5 А Тс 7 нК @ 10 В 10 В ±30 В
IXTH36N50P IXTH36N50P ИКСИС $36,88
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth36n50p-datasheets-5556.pdf 500В 36А ТО-247-3 Без свинца 3 Нет СВХК 170МОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 540 Вт 1 Не квалифицирован 27нс 21 нс 75 нс 36А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 540 Вт Тс ТО-247АД 108А 1500 мДж 500В N-канал 5500пФ при 25В 5 В 170 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 36А Тк 85 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTT240N15X4HV IXTT240N15X4HV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth240n15x4-datasheets-5560.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 15 недель 150 В 940 Вт Тс N-канал 8900пФ при 25В 4,4 мОм при 120 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 240А Тс 195 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA3N100D2 ИКСТА3N100D2 ИКСИС $8,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp3n100d2-datasheets-2865.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 24 недели да не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 125 Вт Тс ТО-263АА N-канал 1020пФ при 25В 5,5 Ом при 1,5 А, 0 В 3А Тк 37,5 нК при 5 В Режим истощения ±20 В
IXTA120P065T ИКСТА120P065T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp120p065t-datasheets-5518.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель 10МОм да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 298 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 28нс 21 нс 120А 15 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 65В 298 Вт Тс 0,12 А 360А 1000 мДж -65В P-канал 13200пФ при 25В 10 м Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 120А Тс 185 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFX420N10T IXFX420N10T ИКСИС 2,14 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать GigaMOS™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx420n10t-datasheets-7144.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 420А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100В 1670 Вт Тс 0,0026Ом 5000 мДж N-канал 47000пФ при 25В 2,6 мОм при 60 А, 10 В 5 В @ 8 мА 420А Тс 670 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTY8N70X2 IXTY8N70X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty8n70x2-datasheets-0423.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 15 недель да 700В 150 Вт Тс N-канал 800пФ при 10В 500 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 8А Тк 12 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFH6N100Q IXFH6N100Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n100q-datasheets-1418.pdf ТО-247-3 3 8 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 180 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 15нс 12 нс 22 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 180 Вт Тс 24А 2Ом 700 мДж 1кВ N-канал 2200пФ при 25В 1,9 Ом при 3 А, 10 В 4,5 В @ 2,5 мА 6А Тк 48 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFP5N100PM IXFP5N100PM ИКСИС $7,20
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100pm-datasheets-2755.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 26 недель 2,3А 1000В 42 Вт Тс N-канал 1830пФ при 25В 2,8 Ом при 2,5 А, 10 В 6 В при 250 мкА 2,3 А Тс 33,4 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTU64N055T IXTU64N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA 64А 55В N-канал 4 В при 25 мкА 64А Тк
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp8n70x2m-datasheets-1751.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 15 недель да 700В 32 Вт Тс N-канал 800пФ при 10В 550 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 12 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA36P15P-TRL ИКСТА36П15П-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta36p15ptrl-datasheets-9545.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 28 недель 150 В 300 Вт Тс P-канал 3100пФ при 25 В 110 мОм при 18 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 36А Тк 55 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA72N20X3 IXFA72N20X3 ИКСИС $8,42
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp72n20x3-datasheets-4593.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель 200В 320 Вт Тс N-канал 3780пФ при 25В 20 мОм при 36 А, 10 В 4,5 В @ 1,5 мА 72А Тк 55 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH1N300P3HV IXTH1N300P3HV ИКСИС $33,68
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt1n300p3hv-datasheets-7175.pdf ТО-247-3 Вариант 24 недели 3000В 195 Вт Тс N-канал 895пФ при 25 В 50 Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 1А Тк 30,6 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTK8N150L IXTK8N150L ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk8n150l-datasheets-3766.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 24 недели 3 да UL ПРИЗНАЛ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1500В 1500В 700 Вт Тс 20А N-канал 8000пФ при 25В 3,6 Ом при 4 А, 20 В 8 В @ 250 мкА 8А Тк 250 нК при 15 В 20 В ±30 В
IXFP18N60X IXFP18N60X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf ТО-220-3 19 недель 18А 600В 320 Вт Тс N-канал 1440пФ при 25В 230 мОм при 9 А, 10 В 4,5 В @ 1,5 мА 18А Тк 35 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTV60N30T IXTV60N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3, короткая вкладка 60А 300В N-канал 60А Тс
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 23 недели
IXTT36P10 IXTT36P10 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 36А 100В P-канал 36А Тк
IXFH30N60P IXFH30N60P ИКСИС $15,84
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf 600В 30А ТО-247-3 Без свинца 3 30 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 500 Вт 1 20 нс 25 нс 80 нс 30А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс ТО-247АД 80А 0,24 Ом 600В N-канал 4000пФ при 25В 240 мОм при 15 А, 10 В 5 В при 4 мА 30А Тс 82 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.