Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA36N30P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 300В | 300 Вт Тс | N-канал | 2250пФ при 25В | 110 мОм при 18 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA14N60P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 600В | 300 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 25В | 550 мОм при 7 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 14А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP12N50PM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp12n50pm-datasheets-2059.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 20 нс | 65 нс | 6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 30А | 0,5 Ом | 600 мДж | 500В | N-канал | 1830пФ при 25В | 500 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 1 мА | 6А Тк | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ60N10T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 176 Вт Тс | 60А | 180А | 0,018Ом | 500 мДж | N-канал | 2650пФ при 25В | 18 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 60А Тс | 49 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA60N20T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 200В | 500 Вт Тс | N-канал | 4530пФ при 25В | 40 мОм при 30 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 73 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA12N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp12n65x2-datasheets-2135.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 650В | 180 Вт Тс | N-канал | 1134пФ при 25В | 310 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 18,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА26П10Т | ИКСИС | $6,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty26p10t-datasheets-9365.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 26А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 150 Вт Тс | ТО-263АА | 80А | 0,09 Ом | 300 мДж | P-канал | 3820пФ при 25В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 52 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA110N15T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp110n15t2-datasheets-0040.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 150 В | 480 Вт Тс | N-канал | 8600пФ при 25В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n100p-datasheets-1536.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 26нс | 24 нс | 55 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 50 Вт Тс | ТО-252АА | 1А | 1,8 А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 331пФ при 25 В | 15 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 1А Тк | 15,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFP5N50P3 | ИКСИС | $6,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa5n50p3-datasheets-1424.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,83 мм | 24 недели | 3 | Одинокий | Мощность FET общего назначения | 14 нс | 28 нс | 5А | 30 В | 500В | 114 Вт Тс | 5А | N-канал | 370пФ при 25В | 1,65 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 5А Тс | 6,9 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY90N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 150 Вт Тс | ТО-252АА | 90А | 230А | 0,0084Ом | 300 мДж | N-канал | 2770пФ при 25 В | 8,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 90А Тс | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA08N100D2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 1000В | 60 Вт Тс | N-канал | 325пФ при 25В | 21 Ом при 400 мА, 0 В | 4 В @ 25 мкА | 800 мА Тдж | 14,6 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R4N60P | ИКСИС | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60p-datasheets-5843.pdf | 600В | 1,4 А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 16 нс | 25 нс | 1,4 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 50 Вт Тс | ТО-252АА | 9Ом | 75 мДж | 600В | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFV18N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n60p-datasheets-2073.pdf | 600В | 18А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22нс | 22 нс | 62 нс | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 45А | 0,4 Ом | 1000 мДж | 600В | N-канал | 2500пФ при 25В | 400 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 18А Тк | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV30N50PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ixys-ixfh30n50p-datasheets-3825.pdf | 500В | 30А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 24 нс | 82 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 75А | 0,2 Ом | 1200 мДж | 500В | N-канал | 4150пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 70 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV30N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf | 600В | 30А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 4000пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV52N30PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n30p-datasheets-7139.pdf | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 22нс | 20 нс | 60 нс | 52А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 150А | 0,066Ом | 1000 мДж | 300В | N-канал | 3490пФ при 25В | 66 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 52А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА152N085T7 | ИКСИС | $2,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta152n085t7-datasheets-7458.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Г6 | 50 нс | 45 нс | 50 нс | 152А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 410А | 0,007Ом | 750 мДж | 85В | N-канал | 5500пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 152А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА200N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n085t-datasheets-7501.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 80нс | 64 нс | 65 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 540А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC230N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc230n085t-datasheets-7537.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | 120А | 5,3 мОм | 85В | N-канал | 120А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH182N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth182n055t-datasheets-7569.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 38 нс | 53 нс | 182А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-247АД | 490А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 4850пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 182А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ182N055T | ИКСИС | 15,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth182n055t-datasheets-7569.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 35 нс | 38 нс | 53 нс | 182А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 490А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 4850пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 182А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV230N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv230n085t-datasheets-7645.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | 49нс | 39 нс | 56 нс | 230А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 520А | 0,0044Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 230А Тс | 187 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ240N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth240n055t-datasheets-7605.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | 54нс | 75 нс | 63 нс | 240А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 650А | 1000 мДж | 55В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 3,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 240А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ250N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth250n075t-datasheets-7601.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | 50 нс | 45 нс | 58 нс | 250А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 560А | 0,004 Ом | 1500 мДж | 75В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 250А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH13N110 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth13n110-datasheets-5222.pdf | 1,1 кВ | 13А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 920 мОм | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 21нс | 36 нс | 80 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1100В | 360 Вт Тс | ТО-247АД | 52А | 1,1 кВ | N-канал | 5650пФ при 25 В | 920 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 13А Тк | 195 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH80N20Q | ИКСИС | $2,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n20q-datasheets-5589.pdf | 200В | 80А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 28МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 50 нс | 20 нс | 75 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 200В | N-канал | 4600пФ при 25В | 28 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc26n50-datasheets-8452.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33нс | 30 нс | 65 нс | 21А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 84А | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 21А Тц | 135 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK48N55 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk48n55-datasheets-8541.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 48А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550В | 550В | 560 Вт Тс | 192А | 0,11 Ом | N-канал | 8900пФ при 25 В | 110 мОм при 24 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 48А ТЦ | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK60N25Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft60n25q-datasheets-7464.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 60нс | 25 нс | 80 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 360 Вт Тс | 240А | 0,047Ом | 1500 мДж | 250 В | N-канал | 5100пФ при 25 В | 47 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 60А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
