| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA16N50P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 500В | 300 Вт Тс | N-канал | 2250пФ при 25В | 400 мОм при 8 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА27Н20Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 27А | 20 В | N-канал | 27А ТЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1N120P | ИКСИС | $13,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 150°С | Полевой транзистор общего назначения | 1А | Одинокий | 63 Вт | 1200В | 1А | N-канал | 1А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU05N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu05n100-datasheets-2119.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 750 мА | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 40 Вт Тс | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 260пФ при 25В | 17 Ом при 375 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 750 мА Тс | 7,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА130N065T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n065t2-datasheets-2316.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 130А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 65В | 65В | 250 Вт Тс | 330А | 0,0066Ом | 600 мДж | N-канал | 4800пФ при 25В | 6,6 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 130А Тс | 79 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP270N04T4 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчT4™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth270n04t4-datasheets-0011.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | 270А | 40В | 375 Вт Тс | N-канал | 9140пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270А Тс | 182 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH36N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 36А | 200В | N-канал | 36А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA90N075T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 75В | 180 Вт Тс | N-канал | 3290пФ при 25 В | 10 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Тс | 54 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2N65X2 | ИКСИС | 2,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2n65x2-datasheets-9221.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2А | 650В | 55 Вт Тс | N-канал | 180пФ при 25В | 2,3 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 4,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА18П10Т | ИКСИС | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp18p10t-datasheets-2547.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 83 Вт Тс | 60А | 0,12 Ом | 200 мДж | P-канал | 2100пФ при 25В | 120 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTA08N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1200В | 50 Вт Тс | N-канал | 333пФ при 25 В | 25 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 800 мА Тс | 14 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP3N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty3n50p-datasheets-5773.pdf | 500В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | 15нс | 12 нс | 38 нс | 3,6А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-220АБ | 8А | 2Ом | 180 мДж | 500В | N-канал | 409пФ при 25В | 2 Ом при 1,8 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 3,6 А Тс | 9,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFV26N50PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n50p-datasheets-9078.pdf | 500В | 26А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 25нс | 20 нс | 58 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 400 Вт Тс | 78А | 1000 мДж | 500В | N-канал | 3600пФ при 25В | 230 мОм при 13 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 26А Тк | 60 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXTI10N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixti10n60p-datasheets-5893.pdf | 600В | 10А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 24 нс | 18 нс | 55 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 Вт Тс | ТО-263 | 30А | 0,74 Ом | 500 мДж | 600В | N-канал | 1610пФ при 25В | 740 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 10А Тс | 32 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFV30N60PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf | 600В | 30А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 4000пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFR50N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr50n50-datasheets-7374.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 60нс | 45 нс | 120 нс | 43А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 200А | 0,1 Ом | 500В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 100 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 43А Тц | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT17N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh17n80q-datasheets-0604.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 16 нс | 53 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 68А | 0,6 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 3600пФ при 25В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 17А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT20N60Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft20n60q-datasheets-7472.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 20 нс | 45 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 80А | 0,35 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 3300пФ при 25В | 350 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 20А Тс | 90 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC220N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc220n055t-datasheets-7515.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | 62нс | 53 нс | 53 нс | 130А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 600А | 0,0044Ом | 500 мДж | 55В | N-канал | 7200пФ при 25В | 4,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 130А Тс | 158 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC240N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc240n055t-datasheets-7548.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | 54нс | 75 нс | 63 нс | 132А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 650А | 0,004 Ом | 500 мДж | 55В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 4 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 132А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH280N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth280n055t-datasheets-7581.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3,2 МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 55нс | 37 нс | 49 нс | 280А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 600А | 1500 мДж | 55В | N-канал | 9700пФ при 25 В | 3,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 280А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ180N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth180n085t-datasheets-7552.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 5,5 МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 430 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 70нс | 65 нс | 55 нс | 180А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 430 Вт Тс | 480А | 1000 мДж | 85В | N-канал | 7500пФ при 25В | 5,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV200N10TS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv200n10ts-datasheets-7656.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 31 нс | 34 нс | 45 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 500А | 0,0055Ом | 1500 мДж | 100В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV280N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv280n055ts-datasheets-7688.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | 55нс | 37 нс | 49 нс | 280А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 600А | 1500 мДж | 55В | N-канал | 9800пФ при 25В | 3,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 280А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP160N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n085t-datasheets-7462.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 61нс | 36 нс | 65 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 350А | 0,006Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 6400пФ при 25В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 160А Тс | 164 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX34N80 | ИКСИС | $3,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk34n80-datasheets-5290.pdf | 800В | 34А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 240МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 45нс | 40 нс | 100 нс | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | 800В | N-канал | 7500пФ при 25В | 240 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 34А Тк | 270 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИРФП250 | ИКСИС | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-irfp250-datasheets-8428.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | 3 | Одинокий | 190 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 130 нс | 98 нс | 110 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 190 Вт Тс | ТО-247АД | 120А | 0,085 Ом | 200В | N-канал | 2970пФ при 25В | 85 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft30n50-datasheets-4425.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6г | Нет СВХК | 160мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 42нс | 26 нс | 110 нс | 30А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 360 Вт Тс | 250 нс | 120А | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 4 В | 160 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 30А Тс | 300 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFK30N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk30n50q-datasheets-8591.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 1 | Не квалифицирован | 42нс | 20 нс | 75 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 120А | 0,16 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3950пФ при 25В | 160 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 30А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.