Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Цвет Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Текущий Достичь кода соответствия Код HTS Код JESD-609 Терминал отделки Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Прямой ток Прямое напряжение Максимальный импульсный ток Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Максимальный обратный ток утечки Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Приложение DS Напряжение пробоя-мин. Технология полевых транзисторов Скорость Материал диодного элемента Рассеиваемая мощность-Макс. Rep Pk Обратное напряжение-Макс. Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) Пиковый обратный ток Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) Пиковый неповторяющийся импульсный ток Обратное напряжение Обратный ток-Макс. Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Время восстановления Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Средний выпрямленный ток Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. Количество фаз Выходной ток-Макс. Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Емкость @ Вр, Ф Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – средний выпрямленный (Io) Рабочая температура - соединение Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
DSS10-01AS-TRL ДСС10-01АС-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dss1001astrl-datasheets-3905.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) Шоттки 100В 300 мкА при 100 В 840 мВ при 10 А 10А -55°К~175°К
DSS10-0045B DSS10-0045B ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dss100045b-datasheets-4600.pdf ТО-220-2 Красный Без свинца 2 28 недель да EAR99 СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ 8541.10.00.80 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т2 510 мВ 160А 5мА КАТОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 75 Вт 160А ТО-220АС Шоттки 45В 10А 1 5 мА при 45 В 510 мВ при 10 А -55°К~150°К
DSEP12-12BZ-TRL ДСЭП12-12БЗ-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 20 недель СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД, PD-CASE МЭК-60747 ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 150°С 1 Р-ПССО-Г2 ОДИНОКИЙ КАТОД БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 95 Вт 1200В 100 мкА 70нс Стандартный 90А 1 12А 5пФ @ 600В 1МГц 1200В 100 мкА при 1200 В 3,25 В при 15 А 12А -55°К~175°К
DSS16-0045B DSS16-0045B ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dss160045b-datasheets-5021.pdf ТО-220-2 2 2 да EAR99 СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ 8541.10.00.80 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован 480 мВ 320А 10 мА КАТОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 90 Вт 320А Шоттки 45В 16А 300А 1 10 мА при 45 В 480 мВ при 15 А -55°К~150°К
DLA40IM800PC-TUB DLA40IM800PC-ТУБ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Трубка ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 28 недель НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, PD-CASE МЭК-60747 ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 150°С 1 Р-ПССО-Г2 ОДИНОКИЙ КАТОД ЭФФЕКТИВНОСТЬ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 185 Вт 800В 10 мкА Стандартный 275А 1 40А 10пФ при 400В 1МГц 800В 10 мкА при 800 В 1,3 В при 40 А 40А -55°К~175°К
DS2-12A ДС2-12А ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без ограничений) 180°С -40°С ЛАВИНА Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds212a-datasheets-5798.pdf Осевой 2 16 недель 2 да EAR99 8541.10.00.80 Никель (Ni) ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован 1,25 В 120А 2мА ИЗОЛИРОВАННЫЙ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 127А Стандартный 1,2 кВ 3,6А 1 1200В 2 мА при 1200 В 1,25 В при 7 А -40°К~180°К
DSEP29-12B ДСЭП29-12Б ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Трубка ЛАВИНА ТО-220-2 2 28 недель EAR99 СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД, PD-CASE МЭК-60747 НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 150°С НЕ УКАЗАН 1 Р-ПСФМ-Т2 ОДИНОКИЙ КАТОД БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 165 Вт 1200В 100 мкА ТО-220АС 140 нс Стандартный 200А 1 12пФ @ 600В 1МГц 1200В 100 мкА при 1200 В 3,76 В при 30 А 30А -55°К~175°К
DMA30P1600HB ДМА30П1600ХБ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Трубка ТО-247-3 20 недель EAR99 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 11пФ @ 400В 1МГц 1600В 40 мкА при 1600 В 1,26 В при 30 А 30А -55°К~175°К
W1411LC360 W1411LC360 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АБ, Б-ПУК 8 недель W4 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 3600В 30 мА при 3600 В 2 В при 2870 А 1411А -55°К~160°К
M1494NK250 М1494НК250 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АС, К-ПУК 8 недель Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 3,9 мкс Стандартный 2500В 1,15 В при 1000 А 1975А
W2054NC420 W2054NC420 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АС, К-ПУК 8 недель W5 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 4200В 50 мА при 4200 В 1,7 В при 3000 А 2055А -40°К~160°К
W5282ZC240 W5282ZC240 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АЭ 8 недель W7 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 2400В 100 мА при 2400 В 1,35 В при 6000 А 5282А -55°К~160°К
W5715ED600 W5715ED600 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АЭ 2 8 недель ДА КОНЕЦ НЕТ ЛИДЕСА 150°С 1 О-CEDB-N2 ОДИНОКИЙ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 6000В 120000мкА 73 мкс Стандартный 66600А 1 5750А 6000В 120 мА при 6000 В 1,4 В при 4000 А 5750А -40°К~150°К
M0437WC140 M0437WC140 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 ДО-200АБ, Б-ПУК 8 недель П1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 1400В 20 мА при 1400 В 1,47 В при 635 А 437А -40°К~125°К
DNA120E2200KO ДНК120E2200KO ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Трубка ISOPLUS264™ 28 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 88пФ @ 700В 1МГц 2200В 100 мкА при 2200 В 1,31 В при 120 А 120А -55°К~175°К
DGS10-030A ДГС10-030А ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgs10030a-datasheets-1684.pdf ТО-220-2 2 EAR99 ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ 8541.10.00.80 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т2 20А 1,3 мА КАТОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ТО-220АС Шоттки 300В 11А 1 1,3 мА при 300 В 2 В @ 5 А -55°К~175°К
DSS2-40BB ДСС2-40ББ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dss240bb-datasheets-1748.pdf ДО-214АА, СМБ 2 2 да EAR99 СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ШУМ 8541.10.00.80 ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ НЕ УКАЗАН 2 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован 500мВ ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 110А Шоттки 40В 1 500 мкА при 40 В 420 мВ при 2 А -55°К~150°К
DSEP29-03A ДСЭП29-03А ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ХиПерФРЕД™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) Сквозное отверстие 175°С -55°С ЛАВИНА Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsep2903a-datasheets-1849.pdf ТО-220-2 2 Нет СВХК 2 EAR99 СНАББЕРНЫЙ ДИОД, СВОБОДНЫЙ ДИОД 8541.10.00.80 е3 Матовый олово (Sn) 260 3 Одинокий 35 1 Выпрямительные диоды Не квалифицирован 30А 930 мВ 300А КАТОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 170 Вт 300А 250 мкА 300В 300А 300В 30 нс 30 нс Стандартный 300В 30А 1 10 мкА при 300 В 1,26 В при 30 А -55°К~175°К
MDO1200-20N1 МДО1200-20Н1 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Поднос 1 (без ограничений) Соответствует RoHS Y1-CU МДО1200 Y1-CU Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 2кВ 2000В
IXTP140P05T IXTP140P05T ИКСИС $3,34
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp140p05t-datasheets-1699.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 24 недели да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 140А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 50В 298 Вт Тс ТО-220АБ 420А 0,009 Ом 1000 мДж P-канал 13500пФ при 25В 9 м Ом при 70 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 140А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFX230N20T IXFX230N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ГигаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx230n20t-datasheets-3117.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 20 недель 247 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 3 Одинокий 1,67 кВт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПСИП-Т3 230А 20 В ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1670 Вт Тс 630А 0,0075Ом 3000 мДж 200В N-канал 28000пФ при 25В 7,5 мОм при 60 А, 10 В 5 В @ 8 мА 230А Тс 378 нК при 10 В 10 В ±20 В
GMM3X60-015X2-SMD ГММ3Х60-015Х2-СМД ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Поднос 1 (без ограничений) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/ixys-gmm3x60015x2smd-datasheets-0346.pdf ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ 24 EAR99 е2 ОЛОВО СЕРЕБРО ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 6 Полевой транзистор общего назначения Р-ПДСО-Г24 50А КРЕМНИЙ 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 57А 0,024 Ом 6 N-каналов (3-фазный мост) 5800пФ при 25 В 24 мОм при 38 А, 10 В 4,5 В @ 1 мА 97 нК при 10 В Стандартный
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 ИКСИС $5,49
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp130n15x4-datasheets-7535.pdf ТО-220-3 15 недель 150 В 400 Вт Тс N-канал 4770пФ при 25В 8,5 мОм при 70 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 130А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA26N30X3 IXFA26N30X3 ИКСИС $3,95
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy26n30x3-datasheets-3776.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель 300В 170 Вт Тс N-канал 1,465 нФ при 25 В 66 мОм при 13 А, 10 В 4,5 В @ 500 мкА 26А Тк 22 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 ИКСИС $5,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Линейный L2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp80n075l2-datasheets-0936.pdf ТО-220-3 24 недели 80А 75В 357 Вт Тс N-канал 3600пФ при 25В 24 мОм при 40 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 80А Тс 103 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTX4N300P3HV IXTX4N300P3HV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx4n300p3hv-datasheets-8647.pdf ТО-247-3 Вариант 24 недели неизвестный 3000В 960 Вт Тс N-канал 3680пФ при 25В 12,5 Ом при 2 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 139 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA80N10T ИКСТА80Н10Т ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp80n10t-datasheets-0277.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 230 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 54нс 48 нс 40 нс 80А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 230 Вт Тс 220А 400 мДж 100В N-канал 3040пФ при 25В 14 мОм при 25 А, 10 В 5 В @ 100 мкА 80А Тс 60 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA60N10T ИКСТА60Н10Т ИКСИС 2,41 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp60n10t-datasheets-3593.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 176 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 40 нс 37 нс 43 нс 60А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 176 Вт Тс 500 мДж 100В N-канал 2650пФ при 25В 18 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 50 мкА 60А Тс 49 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA130N15X4 ИКСТА130N15X4 ИКСИС $11,32
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n15x4-datasheets-5545.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель 150 В 400 Вт Тс N-канал 4770пФ при 25В 8 мОм при 65 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 130А Тс 87 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR48N60P IXFR48N60P ИКСИС $17,07
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr48n60p-datasheets-5650.pdf 600В 48А ISOPLUS247™ Без свинца 3 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Не квалифицирован 25нс 22 нс 85 нс 32А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 110А 0,15 Ом 2000 мДж 600В N-канал 8860пФ при 25 В 150 мОм при 24 А, 10 В 5 В @ 8 мА 32А Тк 150 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.