Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Рабочая температура (макс.) Количество каналов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXFA72N20X3 IXFA72N20X3 ИКСИС $8,42
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp72n20x3-datasheets-4593.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель 200В 320 Вт Тс N-канал 3780пФ при 25В 20 мОм при 36 А, 10 В 4,5 В @ 1,5 мА 72А Тк 55 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH1N300P3HV IXTH1N300P3HV ИКСИС $33,68
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt1n300p3hv-datasheets-7175.pdf ТО-247-3 Вариант 24 недели 3000В 195 Вт Тс N-канал 895пФ при 25 В 50 Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 1А Тк 30,6 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTK8N150L IXTK8N150L ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk8n150l-datasheets-3766.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 24 недели 3 да UL ПРИЗНАЛ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1500В 1500В 700 Вт Тс 20А N-канал 8000пФ при 25В 3,6 Ом при 4 А, 20 В 8 В @ 250 мкА 8А Тк 250 нК при 15 В 20 В ±30 В
IXFP18N60X IXFP18N60X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf ТО-220-3 19 недель 18А 600В 320 Вт Тс N-канал 1440пФ при 25В 230 мОм при 9 А, 10 В 4,5 В @ 1,5 мА 18А Тк 35 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTV60N30T IXTV60N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3, короткая вкладка 60А 300В N-канал 60А Тс
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 23 недели
IXTT36P10 IXTT36P10 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 36А 100В P-канал 36А Тк
IXFH30N60P IXFH30N60P ИКСИС $15,84
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf 600В 30А ТО-247-3 Без свинца 3 30 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 500 Вт 1 20 нс 25 нс 80 нс 30А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс ТО-247АД 80А 0,24 Ом 600В N-канал 4000пФ при 25В 240 мОм при 15 А, 10 В 5 В при 4 мА 30А Тс 82 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFT120N15P IXFT120N15P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n15p-datasheets-5523.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 8 недель 16МОм да EAR99 ЛАВИННАЯ ЭНЕРГИЯ неизвестный Чистое олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 600 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 42нс 26 нс 85 нс 120А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600 Вт Тс 260А 2000 мДж 150 В N-канал 4900пФ при 25В 16 м Ом при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 120А Тс 150 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ200N06P IXTQ200N06P ИКСИС $8,67
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq200n06p-datasheets-4045.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 10 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 714 Вт 1 Не квалифицирован 60нс 40 нс 90 нс 200А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 714 Вт Тс 400А 0,006Ом 4000 мДж 60В N-канал 5400пФ при 25В 5 м Ом при 400 А, 15 В 5 В @ 250 мкА 200А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH50N60X IXFH50N60X ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf ТО-247-3 19 недель 50А 600В 660 Вт Тс N-канал 4660пФ при 25В 73 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 50А Тс 116 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTK120N20P ИХТК120Н20П ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n20p-datasheets-4157.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 714 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 35 нс 31 нс 100 нс 120А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 714 Вт Тс 300А 0,022 Ом 2000 мДж 200В N-канал 6000пФ при 25В 22 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 120А Тс 152 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT24N90P-TRL IXFT24N90P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 26 недель 900В 660 Вт Тс N-канал 7200пФ при 25В 420 мОм при 12 А, 10 В 6,5 В при 1 мА 24А Тк 130 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk78n50p3-datasheets-2126.pdf ТО-247-3 16,13 мм 21,34 мм 5,21 мм 3 30 недель 247 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный 3 Одинокий 1,13 кВт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 30 нс 10 нс 7 нс 60 нс 78А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1130 Вт Тс 200А 0,068Ом 1500 мДж 500В N-канал 9900пФ при 25 В 68 мОм при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 78А Тк 147 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFR24N80P IXFR24N80P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr24n80p-datasheets-4275.pdf ISOPLUS247™ Без свинца 3 30 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 208 Вт 1 Не квалифицирован 27нс 24 нс 75 нс 13А КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 208 Вт Тк 55А 0,42 Ом 1500 мДж 800В N-канал 7200пФ при 25В 420 мОм при 12 А, 10 В 5 В при 4 мА 13А Тк 105 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA02N250HV ИКСТА02Н250ХВ ИКСИС $13,44
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta02n250hv-datasheets-4299.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 17 недель 1,770002г Нет КРЫЛО ЧАЙКИ 3 1 Одинокий 83 Вт 1 Р-ПССО-Г2 19 нс 19нс 33 нс 32 нс 200 мА 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2500В 83 Вт Тс 0,2 А 0,6А 2,5 кВ N-канал 116пФ при 25 В 450 Ом при 50 мА, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 200 мА Тс 7,4 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Линейный L2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt30n50l2-datasheets-3664.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 24 недели Нет СВХК 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ 3 400 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 30А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 2,5 В 400 Вт Тс 60А 0,2 Ом N-канал 8100пФ при 25 В 2,5 В 200 мОм при 15 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 30А Тс 240 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH170N15X3 IXFH170N15X3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 19 недель совместимый 150 В 520 Вт Тс N-канал 7620пФ при 25 В 6,7 мОм при 85 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 170А Тс 122 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT30N50L IXTT30N50L ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n50l-datasheets-4278.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 24 недели да неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 30А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 400 Вт Тс 60А 0,2 Ом 1500 мДж N-канал 10200пФ при 25В 200 мОм при 15 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 30А Тс 240 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFK88N20Q IXFK88N20Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk88n20q-datasheets-4443.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 20 нс 15 нс 61 нс 88А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 500 Вт Тс 2500 мДж 200В N-канал 4150пФ при 25В 30 мОм при 44 А, 10 В 4 В @ 4 мА 88А Тк 146 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTN5N250 ИКСТН5Н250 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn5n250-datasheets-4487.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL неизвестный ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 Одинокий 700 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПУФМ-X4 20 нс 44 нс 90 нс 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2500В 700 Вт Тс 20А 2500 мДж 2,5 кВ N-канал 8560пФ при 25В 8,8 Ом при 2,5 А, 10 В 5 В @ 1 мА 5А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFN90N170SK IXFN90N170SK ИКСИС $263,73
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси -40°C~150°C ТДж SiCFET (карбид кремния) СОТ-227-4, миниБЛОК 28 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1700В N-канал 7340пФ при 1000В 35 мОм при 100 А, 20 В 4 В при 36 мА 90А Тс 376 нК при 20 В 20 В +20В, -5В
IXFH35N30 IXFH35N30 ИКСИС 2,92 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh35n30-datasheets-7656.pdf 300В 35А ТО-247-3 3 3 да EAR99 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 60нс 45 нс 75 нс 35А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс ТО-247АД 140А 0,1 Ом 300В N-канал 4800пФ при 25В 100 мОм при 500 мА, 10 В 4 В @ 4 мА 35А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP110N055P IXTP110N055P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp110n055p-datasheets-9421.pdf ТО-220-3 10,66 мм 9,15 мм 4,83 мм 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 390 Вт 1 Не квалифицирован 27 нс 53нс 45 нс 66 нс 110А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 390 Вт Тс ТО-220АБ 250А 1000 мДж 55В N-канал 2210пФ при 25 В 13,5 мОм при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 110А Тс 76 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA2N80 ИКСТА2N80 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80-datasheets-9546.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 54 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 18нс 15 нс 30 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 54 Вт Тс 200 мДж 800В N-канал 440пФ при 25В 6,2 Ом при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 2А Тк 22 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP72N20T IXTP72N20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3 53 недели 72А 200В N-канал 72А Тк
IXTA160N10T7 ИКСТА160Н10Т7 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n10t7-datasheets-9919.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB 6 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Г6 61нс 42 нс 49 нс 160А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс 430А 0,007Ом 500 мДж 100В N-канал 6600пФ при 25В 7 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В при 1 мА 160А Тс 132 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA60N20T ИКСТА60Н20Т ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Тренч™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta60n20t-datasheets-0055.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 30 недель EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 175°С 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 60А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 500 Вт Тс ТО-263АА 150А 0,04 Ом 700 мДж N-канал 4530пФ при 25В 40 мОм при 30 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 60А Тс 73 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ14N60P IXTQ14N60P ИКСИС 0,90 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta14n60p-datasheets-9417.pdf 600В 14А ТО-3П-3, СК-65-3 Без свинца 3 24 недели 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 27нс 26 нс 70 нс 14А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ P-КАНАЛ 300 Вт Тс 42А 0,55 Ом 900 мДж 600В N-канал 2500пФ при 25В 550 мОм при 7 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 14А Тс 36 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 ИКСИС $5,23
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 2 (1 год) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 30 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 110А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В 480 Вт Тс 800 мДж N-канал 8600пФ при 25В 13 мОм при 55 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 110А Тс 150 нК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.