Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTV30N60PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60p-datasheets-1373.pdf | 600В | 30А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 5050пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| IXTV30N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60p-datasheets-1373.pdf | 600В | 30А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 5050пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| IXTV22N60PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq22n60p-datasheets-0455.pdf | 600В | 22А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 23 нс | 60 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 66А | 1000 мДж | 600В | N-канал | 3600пФ при 25В | 350 мОм при 11 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 62 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| IXFR52N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ISOPLUS247™ | 300В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV74N20PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh74n20p-datasheets-3542.pdf | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 34МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 21нс | 21 нс | 60 нс | 74А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 200А | 1000 мДж | 200В | N-канал | 3300пФ при 25В | 34 мОм при 37 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 74А Тк | 107 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| IXFV96N15PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh96n15p-datasheets-0503.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННАЯ ЭНЕРГИЯ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 18 нс | 66 нс | 96А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 250А | 0,024 Ом | 1000 мДж | 150 В | N-канал | 3500пФ при 25В | 24 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 96А Тц | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| ИКСТА88N085T7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta88n085t7-datasheets-7521.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB | 6 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | 54нс | 29 нс | 42 нс | 88А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 240А | 0,011 Ом | 500 мДж | 85В | N-канал | 3140пФ при 25В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 88А Тк | 69 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА98N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta98n075t-datasheets-7554.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 42нс | 27 нс | 42 нс | 98А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 280А | 10мОм | 600 мДж | 75В | N-канал | 4 В при 100 мкА | 98А Тц | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА220N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta220n055t-datasheets-7591.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 430 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Г6 | 62нс | 53 нс | 53 нс | 220А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 430 Вт Тс | 600А | 0,004 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 7200пФ при 25В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 220А Тс | 158 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| IXTQ160N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq160n075t-datasheets-7625.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 6МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 64нс | 60 нс | 60 нс | 160А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 750 мДж | 75В | N-канал | 4950пФ при 25 В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 160А Тс | 112 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTV200N10T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv200n10ts-datasheets-7656.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 31 нс | 34 нс | 45 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 500А | 0,0055Ом | 1500 мДж | 100 В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTQ220N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth220n075t-datasheets-7567.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | 65нс | 47 нс | 55 нс | 220А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 600А | 0,0045Ом | 1000 мДж | 75В | N-канал | 7700пФ при 25 В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 220А Тс | 165 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTP88N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta88n085t-datasheets-7513.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 54нс | 29 нс | 42 нс | 88А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | ТО-220АБ | 240А | 0,011 Ом | 500 мДж | 85В | N-канал | 3140пФ при 25В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 88А Тк | 69 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFT40N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh40n30q-datasheets-8102.pdf | 300В | 40А | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 80МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 35 нс | 12 нс | 40 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 300В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 80 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 40А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| IXFC26N50 | ИКСИС | $18,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc26n50-datasheets-8452.pdf | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 200мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33нс | 30 нс | 65 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 92А | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 200 мОм при 13 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 23А Тк | 135 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFE36N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe34n100-datasheets-1100.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 580 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 82нс | 40 нс | 150 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 580 Вт Тс | 1кВ | N-канал | 15000пФ при 25В | 240 мОм при 18 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 33А Тц | 455 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFK25N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx26n90-datasheets-7456.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 24 нс | 130 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | 100А | 900В | N-канал | 10800пФ при 25В | 330 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 25А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFR180N085 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr180n085-datasheets-8656.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 90 нс | 55 нс | 140 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 720А | 0,007Ом | 85В | N-канал | 9100пФ при 25 В | 7 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 180А Тс | 320 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFT6N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n100q-datasheets-1418.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 12 нс | 22 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 180 Вт Тс | 6А | 24А | 2Ом | 700 мДж | 1кВ | N-канал | 2200пФ при 25В | 1,9 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В @ 2,5 мА | 6А Тк | 48 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| IXTC130N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ISOPLUS220™ | 150 В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft32n50q-datasheets-5314.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 42нс | 20 нс | 75 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 120А | 0,16 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 160 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 30А Тс | 300 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFV15N100PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n100p-datasheets-4049.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 543 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 44нс | 58 нс | 44 нс | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 543 Вт Тс | 40А | 0,76 Ом | 500 мДж | 1кВ | N-канал | 5140пФ при 25В | 760 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 15А Тс | 97 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| IXFC16N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc16n80p-datasheets-4300.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | 32нс | 29 нс | 75 нс | 9А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 9А | 48А | 0,65 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 650 мОм при 8 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 9А Тц | 71 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFH24N50Q | ИКСИС | $6,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n50q-datasheets-4238.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 230мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 96А | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTV02N250S | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n250-datasheets-2386.pdf | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 220 | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 57мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 2500В | 83 Вт Тс | 0,2 А | 0,5 А | 2,5 кВ | N-канал | 116пФ при 25 В | 450 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200 мА Тс | 7,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTY8N65X2 | ИКСИС | $2,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 25В | 500 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD28N50Q-72 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX52N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | совместимый | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 360 Вт Тс | 52А | 0,06 Ом | N-канал | 52А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK72N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk72n20-datasheets-3324.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 360 Вт Тс | 72А | 288А | 0,035 Ом | N-канал | 5900пФ при 25В | 35 мОм при 36 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 72А Тк | 280 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R4N60P ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60ptrl-datasheets-4675.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
