ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код HTS Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Выключить Time-Max (toff) Время включения-Макс (тонна) Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXTQ470P2 IXTQ470P2 ИКСИС $15,45
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларП2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq470p2-datasheets-3877.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 Без свинца 3 24 недели да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Чистое олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 830 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 42А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 830 Вт Тс 126А 0,145 Ом 1300 мДж 500В N-канал 5400пФ при 25В 145 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 42А Тк 88 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTV102N25T IXTV102N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3, короткая вкладка 102А 250 В N-канал 102А Тс
IXTA30N65X2 ИКСТА30N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 23 недели
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать CoolMOS™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkh35n60c5-datasheets-3990.pdf ТО-3П-3 Полный пакет Без свинца 3 20 недель 100МОм да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 357 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 5нс 5 нс 35А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТО-247АД 800 мДж 600В N-канал 2800пФ при 100В 100 мОм при 18 А, 10 В 3,9 В @ 1,2 мА 35А Тс 70 нК при 10 В Супер Джанкшн 10 В ±20 В
IXFT96N20P IXFT96N20P ИКСИС $9,01
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh96n20p-datasheets-3565.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 26 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 600 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 30 нс 30 нс 75 нс 96А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600 Вт Тс 225А 0,024 Ом 1500 мДж 200В N-канал 4800пФ при 25В 24 мОм при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 96А Тк 145 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFQ50N50P3 IXFQ50N50P3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, Polar3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft50n50p3-datasheets-3600.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 15,8 мм 20,3 мм 4,9 мм 26 недель 3 Одинокий 25 нс 53 нс 50А 30 В 500В 960 Вт Тс N-канал 4335пФ при 25 В 120 мОм при 25 А, 10 В 5 В при 4 мА 50А Тс 85 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFT36N60P IXFT36N60P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft36n60p-datasheets-4150.pdf 600В 36А ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 Нет СВХК 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 650 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 25нс 22 нс 80 нс 36А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 650 Вт Тс 80А 0,19 Ом 1500 мДж 600В N-канал 5800пФ при 25 В 190 мОм при 18 А, 10 В 5 В при 4 мА 36А Тк 102 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFT70N15 IXFT70N15 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft70n15-datasheets-4193.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 52нс 23 нс 70 нс 70А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 280А 0,028 Ом 1000 мДж 150 В N-канал 3600пФ при 25В 28 мОм при 35 А, 10 В 4 В @ 4 мА 70А Тс 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH6N80A IXTH6N80A ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth6n80a-datasheets-4232.pdf ТО-247-3 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 180 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 40 нс 60 нс 100 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 180 Вт Тс ТО-247АД 24А 800В N-канал 2800пФ при 25В 1,4 Ом при 3 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 6А Тк 130 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH94N30T IXFH94N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, TrenchT2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ixys-ixfh94n30t-datasheets-4270.pdf ТО-247-3 3 30 недель EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный ОДИНОКИЙ 3 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПСФМ-Т3 94А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300В 300В 890 Вт Тс ТО-247АД 235А 0,036Ом 500 мДж N-канал 11400пФ при 25В 36 мОм при 47 А, 10 В 5 В при 4 мА 94А Тк 190 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR70N15 IXFR70N15 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr70n15-datasheets-4295.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 250 Вт 1 Не квалифицирован 52нс 25 нс 70 нс 67А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 250 Вт Тс 70А 0,028 Ом 1000 мДж 150 В N-канал 3600пФ при 25В 28 мОм при 35 А, 10 В 4 В @ 4 мА 67А Тк 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
FMD21-05QC ФМД21-05КК ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fmd2105qc-datasheets-4340.pdf i4-Pac™-5 Без свинца 5 20 недель 190МОм 5 да ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 5 Одинокий 192 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 20нс 15 нс 50 нс 21А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В N-канал 220 мОм при 15 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 21А Тц 95 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT40N85XHV IXFT40N85XHV ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh40n85x-datasheets-2899.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 19 недель да неизвестный 40А 850В 860 Вт Тс N-канал 3700пФ при 25В 145 мОм при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 4 мА 40А Тс 98 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTR30N25 IXTR30N25 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr30n25-datasheets-4395.pdf ISOPLUS247™ 3 10 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 150 Вт 1 Не квалифицирован 19нс 17 нс 79 нс 25А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 Вт Тс 120А 0,075 Ом 1000 мДж 250 В N-канал 3950пФ при 25В 75 мОм при 15 А, 10 В 4 В при 250 мкА 25А Тс 136 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT10N100 IXFT10N100 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft10n100-datasheets-4440.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 33нс 32 нс 62 нс 10А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 300 Вт Тс 40А 1кВ N-канал 4000пФ при 25В 1,2 Ом при 5 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 10А Тс 155 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTR68P20T IXTR68P20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год ISOPLUS247™ 3 1 недели EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL совместимый НЕТ ОДИНОКИЙ 3 1 Другие транзисторы Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 270 Вт Тс 44А 200А 0,064Ом 2500 мДж P-канал 33400пФ при 25В 64 мОм при 34 А, 10 В 4 В при 250 мкА 44А Тк 380 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTH14N80 IXTH14N80 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МегаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth14n80-datasheets-4559.pdf ТО-247-3 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 33нс 32 нс 63 нс 14А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс ТО-247АД 56А 0,7 Ом 800В N-канал 4500пФ при 25В 150 нс 100 нс 700 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 14А Тс 170 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH10N90 IXFH10N90 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh10n90-datasheets-7620.pdf 900В 10А ТО-247-3 Содержит свинец 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 12нс 18 нс 51 нс 10А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс ТО-247АД 40А 900В N-канал 4200пФ при 25В 1,1 Ом при 5 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 10А Тс 155 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA16N50P ИКСТА16Н50П ИКСИС $27,56
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta16n50p-datasheets-9413.pdf 500В 16А ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 300 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 28нс 25 нс 70 нс 16А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс 0,4 Ом 750 мДж 500В N-канал 2250пФ при 25В 400 мОм при 8 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 16А Тс 43 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTU02N50D IXTU02N50D ИКСИС 1,54 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty02n50dtrl-datasheets-8387.pdf TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA 3 24 недели да EAR99 8541.29.00.95 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1,1 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 4нс 4 нс 28 нс 200 мА 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,1 Вт Та 25 Вт Тс 0,2 А 0,8А 500В N-канал 120пФ при 25В 30 Ом при 50 мА, 0 В 5 В @ 25 мкА 200 мА Тс Режим истощения 10 В ±20 В
IXKP13N60C5 IXKP13N60C5 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать CoolMOS™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp13n60c5-datasheets-9701.pdf ТО-220-3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 130 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 13А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТО-220АБ 0,3 Ом 290 мДж 600В N-канал 1100пФ при 100В 300 мОм при 6,6 А, 10 В 3,5 В @ 440 мкА 13А Тк 30 нК при 10 В Супер Джанкшн 10 В ±20 В
IXTA160N04T2 ИКСТА160N04T2 ИКСИС 1,26 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчТ2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n04t2-datasheets-9891.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 160А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 250 Вт Тс 400А 0,005 Ом 600 мДж N-канал 4640пФ при 25В 5 м Ом при 50 А, 10 В 4 В при 250 мкА 160А Тс 79 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA180N10T7 ИКСТА180Н10Т7 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta180n10t7-datasheets-0043.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB Без свинца 6 6,4 МОм да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 480 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Г6 54нс 31 нс 42 нс 180А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 480 Вт Тс 450А 750 мДж 100 В N-канал 6900пФ при 25 В 6,4 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 180А Тс 151 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFA50N20X3 IXFA50N20X3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель совместимый 200В 240 Вт Тс N-канал 2100пФ при 25В 30 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 1 мА 50А Тс 33 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA3N120HV-TRL IXTA3N120HV-TRL ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 24 недели 1200В 200 Вт Тс N-канал 1100пФ при 25В 4,5 Ом при 1,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 3А Тк 42 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA32P20T-TRL IXTA32P20T-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 200В 300 Вт Тс P-канал 14500пФ при 25В 130 мОм при 16 А, 10 В 4 В при 250 мкА 32А Тк 185 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTA20N65X-TRL IXTA20N65X-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель 650В 320 Вт Тс N-канал 1390пФ при 25В 210 мОм при 10 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 20А Тс 35 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTQ62N25T IXTQ62N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-3П-3, СК-65-3 62А 250 В N-канал 62А Тс
IXTQ150N06P IXTQ150N06P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq150n06p-datasheets-0489.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 480 Вт 1 Не квалифицирован 53нс 45 нс 66 нс 150А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 480 Вт Тс 280А 0,01 Ом 2500 мДж 60В N-канал 3000пФ при 25В 10 мОм при 75 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 150А Тс 118 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA34N65X2 ИКСТА34N65X2 ИКСИС $3,97
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta34n65x2-datasheets-0539.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель совместимый 650В 540 Вт Тс N-канал 3000пФ при 25В 96 мОм при 17 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 34А Тк 54 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.