Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Изоляционное напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Ixfv16n80p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh16n80p-datasheets-7014.pdf | До 220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | 32NS | 29 нс | 75 нс | 16A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 460 Вт TC | 0,6 Ом | 1000 МДж | 800 В. | N-канал | 4600PF @ 25V | 600 м ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 4MA | 16a tc | 71NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
IXTH64N10L2 | Ixys | $ 8,21 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta64n10l2-datasheets-1737.pdf | До 247-3 | 28 недель | 64а | 100 В | 357W TC | N-канал | 3620pf @ 25V | 32 м ω @ 32A, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 64A TC | 100nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTQ69N30PM | Ixys | $ 4,32 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | 2012 | TO-3P-3 Full Pack | 3 | 24 недели | да | Ear99 | Лавина оценена | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 300 В. | 300 В. | 90 Вт TC | 25а | 200a | 0,049 Ом | 1500 МДж | N-канал | 4960PF @ 25V | 49 м ω @ 34.5a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 25а TC | 156NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTH41N25 | Ixys | $ 8,29 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth41n25-datasheets-3980.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Ear99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 19ns | 17 нс | 79 нс | 41а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | До-247AD | 164a | 0,072om | 1000 МДж | 250 В. | N-канал | 3200PF @ 25V | 72 м ω @ 15a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 41a tc | 110NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
IXTH360N055T2 | Ixys | $ 50,48 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt360n055t2-datasheets-3643.pdf | До 247-3 | 3 | 28 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 360a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 55 В. | 55 В. | 935W TC | 900а | 0,0024om | 960 MJ | N-канал | 20000pf @ 25V | 2,4 мм ω @ 100a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 360A TC | 330NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
Ixfh7n80 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n80-datasheets-4081.pdf | 800 В. | 7A | До 247-3 | 3 | 8 недель | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 40ns | 60 нс | 100 нс | 7A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 180W TC | 7A | 28а | 800 В. | N-канал | 2800pf @ 25 В. | 1,4 Ом @ 3,5А, 10 В | 4,5 В при 2,5 мА | 7A TC | 130NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
Ixft52n50p2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarhv ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n50p2-datasheets-1534.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | 26 недель | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 960 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 52а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 960 Вт TC | 150a | 0,12 л | 1500 МДж | 500 В. | N-канал | 6800PF @ 25V | 120 м ω @ 26a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 52A TC | 113NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
Ixfk36n60p | Ixys | $ 2,66 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft36n60p-datasheets-4150.pdf | 600 В. | 36A | До 264-3, до 264AA | Свободно привести | 3 | 30 недель | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 650 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25NS | 22 нс | 80 нс | 36A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 650W TC | 80A | 0,19 Ом | 1500 МДж | 600 В. | N-канал | 5800pf @ 25V | 190 м ω @ 18a, 10 В | 5V @ 4MA | 36A TC | 102NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||
Ixtt30n60p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarhv ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60p-datasheets-1373.pdf | 600 В. | 30A | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | Свободно привести | 2 | 24 недели | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 20ns | 25 нс | 80 нс | 30A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 540 Вт TC | 80A | 0,24om | 1500 МДж | 600 В. | N-канал | 5050PF @ 25 В. | 240 м ω @ 15a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30A TC | 82NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||
IXFK220N17T2 | Ixys | $ 12,01 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Gigamos ™, Hiperfet ™, Trencht2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx220n17t2-datasheets-4243.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 220A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 170 В | 170 В | 1250W TC | 550а | 0,0063OM | 2000 MJ | N-канал | 31000PF @ 25V | 6,3 метра ω @ 60a, 10 В | 5 В @ 8ma | 220A TC | 500NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
Ixth64n65x | Ixys | $ 13,15 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth64n65x-datasheets-4289.pdf | До 247-3 | 15 недель | 64а | 650 В. | 890 Вт TC | N-канал | 5500pf @ 25V | 51 м ω @ 32a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 64A TC | 143NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFX170N20T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гигамос ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk170n20t-datasheets-4838.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 30 недель | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | E1 | Жестяная серебряная медь | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 170a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 200 В | 1150W TC | 470a | 0,011om | N-канал | 19600pf @ 25V | 11m ω @ 60a, 10 В | 5V @ 4MA | 170A TC | 265NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
Ixft80n65x2hv | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft80n65x2hv-datasheets-4361.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 19 недель | соответствие | 650 В. | 890 Вт TC | N-канал | 8300PF @ 25V | 5V @ 4MA | 80A TC | 140NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ixft94n30p3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh94n30p3-datasheets-3561.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | Ear99 | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | Одинокий | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSSO-G2 | 23 нс | 49 нс | 94а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 В. | 1040W TC | 2500 MJ | N-канал | 5510pf @ 25V | 36 м ω @ 47a, 10v | 5V @ 4MA | 94A TC | 102NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
Ixft30n50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | /files/ixys-ixft30n50-datasheets-4425.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 42NS | 26 нс | 110 нс | 30A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 360 Вт TC | 120a | 0,15om | 1500 МДж | 500 В. | N-канал | 5700PF @ 25V | 160 м ω @ 15a, 10 В | 4V @ 4MA | 30A TC | 300NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
Ixfn36n110p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polar ™ | Шасси | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn36n110p-datasheets-4465.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 4 | 4 | да | Avalanche Rated, UL признан | Никель (NI) | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 кВт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 54ns | 45 нс | 94 нс | 36A | 30 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 1100 В. | 1000 Вт TC | 110a | 2000 MJ | 1,1 кВ | N-канал | 23000PF @ 25V | 240 м ω @ 500 мА, 10 В | 6,5 В @ 1MA | 36A TC | 350NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||
IXFR180N15P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr180n15p-datasheets-4534.pdf | Isoplus247 ™ | Свободно привести | 3 | Нет SVHC | 3 | да | Ear99 | Avalanche Rated, UL признан | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 2,5 кВ | 32NS | 36 нс | 150 нс | 100А | 20 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 5 В | 300 Вт TC | 4000 МДж | 150 В. | N-канал | 7000pf @ 25v | 13m ω @ 90a, 10 В | 5V @ 4MA | 100a Tc | 240NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||
IXFH10N100 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | Непригодный | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n100-datasheets-2166.pdf | 1 кВ | 10а | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 3 | да | Лавина оценена | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 33NS | 32 нс | 62 нс | 10а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 300 Вт TC | До-247AD | 40a | 1 кВ | N-канал | 4000pf @ 25v | 1,2 Ом @ 5A, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 10a tc | 155NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
Ixta10n60p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polar ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta10n60p-datasheets-9382.pdf | 600 В. | 10а | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Свободно привести | 2 | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 27ns | 21 нс | 65 нс | 10а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 Вт TC | 30A | 0,74 Ом | 500 МДж | 600 В. | N-канал | 1610pf @ 25V | 740 м ω @ 5a, 10 В | 5,5 В при 250 мкА | 10a tc | 32NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||
IXTA130N10T7 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchmv ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n10t7-datasheets-9476.pdf | TO-263-7, D2PAK (6 LEADS + TAB), до 263CB | 6 | 24 недели | да | Ear99 | Оценка лавины, ультра-низкое сопротивление | неизвестный | E3 | Чистого олова | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G6 | 47NS | 28 нс | 44 нс | 130a | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 360 Вт TC | 350а | 0,0091 Ом | 400 МДж | 100 В | N-канал | 5080pf @ 25V | 9,1 мм ω @ 25a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 130A TC | 104NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||
IXTQ60N20T | Ixys | $ 2,59 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq60n20t-datasheets-2657.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 26 недель | Ear99 | Лавина оценена | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 200 В | 500 Вт та | 60A | 150a | 0,04om | 700 МДж | N-канал | 4530pf @ 25V | 40 м ω @ 30a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 60a tc | 73NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ixtu06n120p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA | 600 мА | 1200 В. | N-канал | 600 мА TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTH270N04T4 | Ixys | $ 2,77 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht4 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth270n04t4-datasheets-0011.pdf | До 247-3 | 28 недель | 270a | 40 В | 375W TC | N-канал | 9140pf @ 25V | 2,4 мм ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270A TC | 182NC @ 10V | 10 В | ± 15 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ixtp60n20t | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trench ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta60n20t-datasheets-0055.pdf | До 220-3 | 3 | 26 недель | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 60A | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | До-220AB | 150a | 0,04om | 700 МДж | 200 В | N-канал | 4530pf @ 25V | 40 м ω @ 30a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 60a tc | 73NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
Ixfa5n100p | Ixys | $ 7,16 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100p-datasheets-0151.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | 30 недель | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 5A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 1000 В. | 250 Вт TC | 5A | 10а | 300 МДж | N-канал | 1830pf @ 25V | 2,8 ω @ 2,5a, 10 В | 6 В @ 250 мкА | 5A TC | 33,4NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||
IXTQ86N20T | Ixys | $ 12,11 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp86n20t-datasheets-0035.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 26 недель | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 86а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 200 В | 480W TC | 260a | 0,029 Ом | 1000 МДж | N-канал | 4500PF @ 25V | 29m ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 1MA | 86A TC | 90NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
Ixtp2r4n120p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polar ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2r4n120p-datasheets-6875.pdf | До 220-3 | 3 | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 25NS | 32 нс | 70 нс | 2.4a | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1200 В. | 125W TC | До-220AB | 6A | 200 МДж | 1,2 кВ | N-канал | 1207pf @ 25V | 7,5 Ом @ 500 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2.4a tc | 37NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
IXFA3N120-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa3n120-datasheets-5453.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 30 недель | 3A | 1200 В. | 200 Вт TC | N-канал | 1050pf @ 25V | 4,5 Ом @ 1,5А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 3A TC | 39NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA230N075T2-7 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht2 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta230n075t27-datasheets-0484.pdf | TO-263-7, D2PAK (6 LEADS + TAB) | 6 | 24 недели | да | Ear99 | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G6 | 230а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 75 В. | 75 В. | 480W TC | 700а | 0,0042om | 850 MJ | N-канал | 10500PF @ 25V | 4,2 мм ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230A TC | 178NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
Ixfp24n60x | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa24n60x-datasheets-0324.pdf | До 220-3 | 19 недель | 24а | 600 В. | 400 Вт TC | N-канал | 1910pf @ 25V | 175 м ω @ 12a, 10 В | 4,5 В при 2,5 мА | 24a tc | 47NC @ 10V | 10 В | ± 30 В |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.