Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFX26N120P | ИКСИС | $6,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx26n120p-datasheets-1890.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 960 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 55нс | 58 нс | 76 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 960 Вт Тс | 60А | 0,46 Ом | 1500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 16000пФ при 25В | 500 мОм при 13 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 26А Тк | 225 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN120N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn120n65x2-datasheets-2190.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | 108А | 650В | 890 Вт Тс | N-канал | 15500пФ при 25В | 24 мОм при 54 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 108А Тк | 225 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN90N85X | ИКСИС | $264,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn90n85x-datasheets-2600.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | СОТ-227Б | 13,3 нФ | 90А | 850В | 1200 Вт Тс | N-канал | 13300пФ при 25В | 41 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 90А Тс | 340 нК при 10 В | 41 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА75Н10П | ИКСИС | $4,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta75n10p-datasheets-5494.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 53нс | 45 нс | 66 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 200А | 0,025 Ом | 1000 мДж | 100В | N-канал | 2250пФ при 25В | 25 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 75А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK170N10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk170n10p-datasheets-5575.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 10мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 714 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 50 нс | 33 нс | 90 нс | 170А | 20 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 715 Вт Тс | 150 нс | 2000 мДж | 100В | N-канал | 6000пФ при 25В | 5 В | 9 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 170А Тс | 198 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX52N100X | ИКСИС | $30,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk52n100x-datasheets-5671.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 1000В | 1250 Вт Тс | N-канал | 6725пФ при 25 В | 125 мОм при 26 А, 10 В | 6 В @ 4 мА | 52А Тк | 245 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK80N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk80n60p3-datasheets-9089.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | 1 | Одинокий | 1,3 кВт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 48 нс | 25нс | 8 нс | 87 нс | 80А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 1300 Вт Тс | 200А | 0,07 Ом | 2000 мДж | 600В | N-канал | 13100пФ при 25В | 70 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 80А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH10N100D2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d2-datasheets-7031.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 695 Вт Тс | N-канал | 5320пФ при 25В | 1,5 Ом при 5 А, 10 В | 10А Тс | 200 нК при 5 В | Режим истощения | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT1N300P3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt1n300p3hv-datasheets-7175.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | неизвестный | 1А | 3000В | 195 Вт Тс | N-канал | 895пФ при 25 В | 50 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1А Тк | 30,6 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT2N300P3HV | ИКСИС | $42,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~155°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt2n300p3hv-datasheets-2202.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | неизвестный | 2А | 3000В | 520 Вт Тс | N-канал | 1890пФ при 25В | 21 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 73 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH52N50P2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n50p2-datasheets-1534.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 960 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 52А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 960 Вт Тс | 150А | 0,12 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 6800пФ при 25 В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 52А Тк | 113 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA4N80P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 800В | 100 Вт Тс | N-канал | 750пФ при 25В | 3,4 Ом при 1,8 А, 10 В | 5,5 В @ 100 мкА | 3,6 А Тс | 14,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU01N100D | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty01n100d-datasheets-0137.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 6нс | 6 нс | 30 нс | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1,1 Вт Та 25 Вт Тс | 0,1 А | 0,4 А | 110Ом | 1кВ | N-канал | 120пФ при 25В | 80 Ом при 50 мА, 0 В | 5 В @ 25 мкА | 100 мА Тс | Режим истощения | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA10N80P | ИКСИС | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa10n80p-datasheets-2794.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 22нс | 22 нс | 62 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 300 Вт Тс | 600 мДж | 800В | N-канал | 2050пФ при 25В | 1,1 Ом при 5 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA30N25X3 | ИКСИС | $5,80 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy30n25x3-datasheets-4884.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 250В | 176 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 60 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 30А Тс | 21 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX110N20L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx110n20l2-datasheets-3655.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 110А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 200В | 200В | 960 Вт Тс | 275А | 0,024 Ом | 5000 мДж | N-канал | 23000пФ при 25В | 24 мОм при 55 А, 10 В | 4,5 В при 3 мА | 110А Тс | 500 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL132N50P3 | ИКСИС | $28,30 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl132n50p3-datasheets-3725.pdf | ISOPLUS264™ | 20,29 мм | 26,42 мм | 5,31 мм | 3 | 26 недель | 264 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСИП-Т3 | 44 нс | 72 нс | 63А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 520 Вт Тс | 330А | 0,043Ом | 3000 мДж | N-канал | 18600пФ при 25В | 43 мОм при 66 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 63А Тк | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA16N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa16n60p3-datasheets-3792.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 347 Вт Тс | 40А | 0,44 Ом | 800 мДж | N-канал | 1830пФ при 25В | 440 мОм при 8 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 16А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH48N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth48n20-datasheets-3828.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 275 Вт | 1 | Не квалифицирован | 19нс | 17 нс | 79 нс | 48А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 275 Вт Тс | ТО-247АД | 192А | 0,05 Ом | 1000 мДж | 200В | N-канал | 3000пФ при 25В | 50 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP16N85XM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 23 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH60N15 | ИКСИС | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth60n15-datasheets-3891.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 275 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 18 нс | 85 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 275 Вт Тс | ТО-247АД | 240А | 1000 мДж | 150 В | N-канал | 3000пФ при 25В | 33 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA02N250HV-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 2500В | 83 Вт Тс | N-канал | 116пФ при 25В | 450 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200 мА Тс | 7,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT16N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh16n80p-datasheets-7014.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 26 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 32нс | 29 нс | 75 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 0,6 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 16А Тс | 71 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH44P15T | ИКСИС | $6,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp44p15t-datasheets-5534.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 44А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 298 Вт Тс | 130А | 0,065 Ом | 1000 мДж | P-канал | 13400пФ при 25В | 65 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44А Тк | 175 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP20N65XM | ИКСИС | $7,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp20n65xm-datasheets-4071.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | 9А | 650В | 63 Вт Тс | N-канал | 1390пФ при 25В | 210 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ22N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh22n60p3-datasheets-4386.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,3 мм | 4,9 мм | 3 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 500 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 28 нс | 17нс | 19 нс | 54 нс | 22А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 55А | 400 мДж | 600В | N-канал | 2600пФ при 25В | 360 мОм при 11 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 22А Тк | 38 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA6N100D2HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | совместимый | 1000В | 300 Вт Тс | N-канал | 2650пФ при 10 В | 2,2 Ом при 3 А, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Тиджей | 95 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth24n50-datasheets-4211.pdf | 500В | 24А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | Нет СВХК | 230мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 33нс | 30 нс | 65 нс | 24А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 96А | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 4 В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR90P10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr90p10p-datasheets-4248.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 57А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 190 Вт Тс | 225А | 0,027Ом | 2500 мДж | P-канал | 5800пФ при 25 В | 27 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 57А Тк | 120 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX32N80P | ИКСИС | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx32n80p-datasheets-4281.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | Не квалифицирован | 24 нс | 24 нс | 85 нс | 32А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 830 Вт Тс | 0,27 Ом | 2000 мДж | 800В | N-канал | 8800пФ при 25В | 270 мОм при 16 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 32А Тк | 150 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
