| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИКСТА140N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 250 Вт Та | 140А | 350А | 0,0054Ом | 600 мДж | N-канал | 4760пФ при 25В | 5,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 140А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP230N04T4M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчT4™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp230n04t4m-datasheets-1706.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 24 недели | совместимый | 40В | 40 Вт Тс | N-канал | 7400пФ при 25В | 2,9 мОм при 115 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА2Н100П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp2n100p-datasheets-1987.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 86 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 29нс | 27 нс | 80 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 86 Вт Тс | 2А | 5А | 1кВ | N-канал | 655пФ при 25В | 7,5 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 100 мкА | 2А Тк | 24,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA22N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 650В | 390 Вт Тс | N-канал | 2190пФ при 25 В | 145 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 22А Тк | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP36N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 300 Вт | 36А | 300В | N-канал | 2250пФ при 25В | 110 мОм при 500 мА, 10 В | 36А Тк | 70 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА56Н15Т | ИКСИС | $10,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp56n15t-datasheets-9402.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 21 неделя | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 56А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 300 Вт Тс | 140А | 500 мДж | N-канал | 2250пФ при 25В | 36 мОм при 28 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 56А Тк | 34 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА12Н50П | ИКСИС | 3,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp12n50p-datasheets-2268.pdf | 500В | 12А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 20 нс | 55 нс | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 Вт Тс | 0,5 Ом | 600 мДж | 500В | N-канал | 1830пФ при 25В | 500 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА180Н10Т7-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 24 недели | 100В | 480 Вт Тс | N-канал | 6900пФ при 25 В | 6,4 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 180А Тс | 151 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 1000В | 60 Вт Тс | N-канал | 325пФ при 25В | 21 Ом при 400 мА, 0 В | 4 В @ 25 мкА | 800 мА Тдж | 14,6 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA42N15T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 150 В | 200 Вт Тс | N-канал | 1880пФ при 25В | 45 мОм при 21 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 42А Тк | 21 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA48P05T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 50В | 150 Вт Тс | P-канал | 3660пФ при 25 В | 30 мОм при 24 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 53 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY4N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 15 недель | 650В | 80 Вт Тс | N-канал | 455пФ при 25В | 850 мОм при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 8,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА6Н50П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta6n50p-datasheets-5823.pdf | 500В | 6А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 26 нс | 65 нс | 6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 Вт Тс | 6А | 15А | 250 мДж | 500В | N-канал | 740пФ при 25В | 1,1 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 50 мкА | 6А Тк | 14,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV36N50PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n50p-datasheets-4795.pdf | 500В | 36А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 21 нс | 75 нс | 36А | 30 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 540 Вт Тс | 200 нс | 90А | 0,17 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 5 В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 36А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| IXTP2R4N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2r4n50p-datasheets-5764.pdf | 500В | 2А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 55 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 29нс | 28 нс | 65 нс | 2,4А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55 Вт Тс | ТО-220АБ | 4,5 А | 100 мДж | 500В | N-канал | 240пФ при 25В | 3,75 Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 2,4 А Тс | 6,1 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV26N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt26n50p-datasheets-3884.pdf | 500В | 26А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25нс | 20 нс | 58 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 78А | 1000 мДж | 500В | N-канал | 3600пФ при 25В | 230 мОм при 13 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 65 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV20N80PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n80p-datasheets-5587.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 24 нс | 85 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 0,52 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4685пФ при 25 В | 520 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 20А Тс | 86 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX26N60Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx26n60q-datasheets-7450.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 32нс | 16 нс | 80 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 360 Вт Тс | 104А | 0,25 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 5100пФ при 25 В | 250 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 26А Тк | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА220N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 65нс | 47 нс | 55 нс | 220А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 130А | 350А | 0,0085Ом | 750 мДж | 75В | N-канал | 7700пФ при 25 В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 220А Тс | 165 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH220N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth220n055t-datasheets-7530.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 430 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 62нс | 53 нс | 53 нс | 220А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 430 Вт Тс | ТО-247АД | 600А | 0,004 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 7200пФ при 25 В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 220А Тс | 158 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH230N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth230n085t-datasheets-7564.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 49нс | 39 нс | 56 нс | 230А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | ТО-247АД | 520А | 0,0044Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230А Тс | 187 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH250N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth250n075t-datasheets-7601.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 50 нс | 45 нс | 58 нс | 250А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | ТО-247АД | 560А | 0,004 Ом | 1500 мДж | 75В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 250А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH200N075T | ИКСИС | 4,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth200n075t-datasheets-7639.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 5МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 430 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 57нс | 52 нс | 54 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 430 Вт Тс | ТО-247АД | 540А | 750 мДж | 75В | N-канал | 6800пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 200А Тс | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV250N075TS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv250n075ts-datasheets-7668.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 50 нс | 45 нс | 58 нс | 250А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 560А | 0,004 Ом | 1500 мДж | 75В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 250А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY64N055T | ИКСИС | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp64n055t-datasheets-7652.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 52нс | 30 нс | 37 нс | 64А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 130 Вт Тс | ТО-252АА | 250 мДж | 55В | N-канал | 1420пФ при 25В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 25 мкА | 64А Тк | 37 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP90N075T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp90n075t2-datasheets-2997.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 28нс | 20 нс | 35 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | ТО-220АБ | 225А | 0,01 Ом | 400 мДж | 75В | N-канал | 3290пФ при 25 В | 10 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Тс | 54 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN60N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn60n60-datasheets-5322.pdf | 600В | 60А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 8 недель | 40 г | Нет СВХК | 75МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 2,5 кВ | 52нс | 26 нс | 110 нс | 60А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 700 Вт Тс | 240А | 4000 мДж | 600В | N-канал | 15000пФ при 25В | 4,5 В | 75 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 60А Тс | 380 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| IXFH74N20 | ИКСИС | 0,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh74n20-datasheets-8472.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 55нс | 26 нс | 120 нс | 74А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 296А | 200В | N-канал | 5400пФ при 25В | 30 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 74А Тк | 280 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ40N30 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfj40n30-datasheets-8534.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 80МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 60нс | 45 нс | 75 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-268АА | 160А | 300В | N-канал | 4800пФ при 25В | 80 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 40А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL55N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ISOPLUS264™ | 55А | 500В | N-канал | 55А Тс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.