Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTX4N300P3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx4n300p3hv-datasheets-8647.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | неизвестный | 4А | 3000В | 960 Вт Тс | N-канал | 3680пФ при 25В | 12,5 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 139 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА80Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp80n10t-datasheets-0277.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 230 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 54нс | 48 нс | 40 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 220А | 400 мДж | 100 В | N-канал | 3040пФ при 25В | 14 мОм при 25 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 80А Тс | 60 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА60Н10Т | ИКСИС | 2,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp60n10t-datasheets-3593.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 176 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 40 нс | 37 нс | 43 нс | 60А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 176 Вт Тс | 500 мДж | 100 В | N-канал | 2650пФ при 25В | 18 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 60А Тс | 49 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА130N15X4 | ИКСИС | $11,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n15x4-datasheets-5545.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | 150 В | 400 Вт Тс | N-канал | 4770пФ при 25В | 8 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 130А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR48N60P | ИКСИС | $17,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr48n60p-datasheets-5650.pdf | 600В | 48А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25нс | 22 нс | 85 нс | 32А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 110А | 0,15 Ом | 2000 мДж | 600В | N-канал | 8860пФ при 25 В | 150 мОм при 24 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 32А Тк | 150 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| IXFT26N100XHV | ИКСИС | $19,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n100x-datasheets-5605.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 1000В | 860мВт Та | N-канал | 3290пФ при 25 В | 320 мОм при 500 мА, 10 В | 1 В @ 4 мА | 26А Та | 113 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA32P05T | ИКСИС | 2,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32p05t-datasheets-4440.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 39МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 32А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 83 Вт Тс | 110А | 200 мДж | -50В | P-канал | 1975 пФ при 25 В | 39 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||
| IXFH52N30P | ИКСИС | $9,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n30p-datasheets-7139.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 24 нс | 22нс | 20 нс | 60 нс | 52А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 0,066Ом | 300В | N-канал | 3490пФ при 25В | 66 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 52А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| IXTT68P20T | ИКСИС | $17,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 568 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 68А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 568 Вт Тс | 200А | 0,055 Ом | 2500 мДж | P-канал | 33400пФ при 25В | 55 мОм при 34 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 68А Тк | 380 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFX160N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk160n30t-datasheets-2061.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 160А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 1390 Вт Тс | 440А | 0,019 Ом | N-канал | 28000пФ при 25В | 19 мОм при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 160А Тс | 335 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFA34N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh34n65x2-datasheets-1475.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | неизвестный | 34А | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3330пФ при 25В | 105 мОм при 17 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 34А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU50N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 50А | 85В | N-канал | 4 В при 25 мкА | 50А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY02N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 1200В | 33 Вт Тс | N-канал | 104пФ при 25В | 75 Ом при 100 мА, 10 В | 4 В при 100 мкА | 200 мА Тс | 4,7 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ20N50P3 | ИКСИС | $4,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq20n50p3-datasheets-3225.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,3 мм | 4,9 мм | 3 | 26 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1 | Мощность FET общего назначения | 10 нс | 43 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 380 Вт Тс | 40А | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 20А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА3Н120ХВ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta3n120hv-datasheets-3615.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 3А | 1200В | 200 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 4,5 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT140N20X3HV | ИКСИС | $12,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh140n20x3-datasheets-4865.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 200В | 520 Вт Тс | N-канал | 7660пФ при 25 В | 9,6 мОм при 70 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 140А Тс | 127 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH3N200P3HV | ИКСИС | $27,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth3n200p3hv-datasheets-3758.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 24 недели | 3А | 2000В | 520 Вт Тс | N-канал | 1860пФ при 25В | 8 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA8N85XHV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa8n85xhv-datasheets-3817.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 850В | 200 Вт Тс | N-канал | 654пФ при 25В | 850 мОм при 4 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 17 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB40N110Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb40n110q3-datasheets-3846.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20 недель | 40А | 1100В | 1560 Вт Тс | N-канал | 14000пФ при 25В | 260 мОм при 20 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 40А Тс | 300 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT34N65X2HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt34n65x2hv-datasheets-3878.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 15 недель | совместимый | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 25В | 96 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH34N50P3 | ИКСИС | $4,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq34n50p3-datasheets-3778.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 30 недель | 3 | Одинокий | 23 нс | 40 нс | 34А | 30 В | 500В | 695 Вт Тс | N-канал | 3260пФ при 25В | 170 мОм при 17 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 34А Тк | 60 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV20N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n80p-datasheets-5587.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 24 нс | 24 нс | 85 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 0,52 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4685пФ при 25 В | 520 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 20А Тс | 86 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT30N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n60p-datasheets-3966.pdf | 600В | 30А | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 4000пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||
| IXTH160N15T | ИКСИС | $17,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth160n15t-datasheets-4041.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 160А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 830 Вт Тс | ТО-247АД | 430А | 0,0096Ом | 1000 мДж | N-канал | 8800пФ при 25В | 9,6 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 1 мА | 160А Тс | 160 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFT88N30P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 26 недель | 300В | 600 Вт Тс | N-канал | 6300пФ при 25 В | 40 мОм при 44 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 88А Тк | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR15N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ISOPLUS247™ | 18 недель | 1000В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ120N20P | ИКСИС | $16,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n20p-datasheets-4157.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 | Одинокий | 714 Вт | 1 | 35 нс | 31 нс | 100 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | 0,022 Ом | 2000 мДж | 200В | N-канал | 6000пФ при 25В | 22 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 120А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFT24N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n50q-datasheets-4238.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 96А | 0,23 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFT20N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n100p-datasheets-7106.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | 570МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 660 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 37нс | 45 нс | 56 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 660 Вт Тс | 50А | 800 мДж | 1кВ | N-канал | 7300пФ при 25В | 570 мОм при 10 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 20А Тс | 126 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| IXTH1N170DHV | ИКСИС | $14,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n170dhv-datasheets-5626.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | совместимый | 1700В | 290 Вт Тс | N-канал | 3090пФ при 25 В | 16 Ом при 500 мА, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1А Тдж | 47 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В |
