Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Выходной ток | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT24N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n50q-datasheets-4238.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 96А | 0,23 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT20N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n100p-datasheets-7106.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | 570МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 660 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 37нс | 45 нс | 56 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 660 Вт Тс | 50А | 800 мДж | 1кВ | N-канал | 7300пФ при 25В | 570 мОм при 10 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 20А Тс | 126 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH1N170DHV | ИКСИС | $14,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n170dhv-datasheets-5626.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | совместимый | 1700В | 290 Вт Тс | N-канал | 3090пФ при 25 В | 16 Ом при 500 мА, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1А Тдж | 47 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTJ6N150 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtj6n150-datasheets-4341.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 3А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 125 Вт Тс | 3А | 24А | 500 мДж | N-канал | 2230пФ при 25В | 3,85 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 67 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH60N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n20-datasheets-4371.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 63нс | 26 нс | 85 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 240А | 2500 мДж | 200В | N-канал | 5200пФ при 25В | 33 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 60А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH420N04T2 | ИКСИС | $35,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth420n04t2-datasheets-4398.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 420А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 935 Вт Тс | 1050А | 0,002 Ом | 960 мДж | N-канал | 19700пФ при 25В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 420А Тс | 315 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR64N50P | ИКСИС | 18,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr64n50p-datasheets-4441.pdf | 500В | 64А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 2,5 кВ | 25нс | 22 нс | 85 нс | 35А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 150А | 0,095Ом | 2500 мДж | 500В | N-канал | 8700пФ при 25 В | 95 мОм при 32 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 35А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH88N20Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk88n20q-datasheets-4443.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 15 нс | 61 нс | 88А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 2500 мДж | 200В | N-канал | 4150пФ при 25В | 30 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 88А Тк | 146 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN50N120SIC | ИКСИС | $651,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Трубка | SiCFET (карбид кремния) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn50n120sic-datasheets-4561.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1200В | N-канал | 1900пФ при 1000В | 50 мОм при 40 А, 20 В | 2,2 В при 2 мА | 47А ТЦ | 100 нК при 20 В | 20 В | +20В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФП450 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-irfp450-datasheets-7630.pdf | 500В | 14А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 400мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 190 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 47нс | 44 нс | 92 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 190 Вт Тс | ТО-247АД | 56А | 500В | N-канал | 2800пФ при 25В | 400 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА05N100 | ИКСИС | 1,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta05n100hv-datasheets-3022.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 17МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 28 нс | 40 нс | 750 мА | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 40 Вт Тс | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 260пФ при 25В | 17 Ом при 375 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 750 мА Тс | 7,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA16N50P | ИКСИС | $4,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp16n50p-datasheets-3959.pdf | 500В | 16А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | Нет СВВК | 400мОм | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25нс | 22 нс | 70 нс | 16А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 500В | N-канал | 2250пФ при 25В | 400 мОм при 8 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 16А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP130N10T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp130n10t2-datasheets-9702.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 130А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 300А | 0,0091Ом | 800 мДж | N-канал | 6600пФ при 25В | 9,1 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 130А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА2Н100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n100-datasheets-9903.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15нс | 30 нс | 60 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 100 Вт Тс | 2А | 8А | 7Ом | 150 мДж | 1кВ | N-канал | 825пФ при 25В | 7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 18 нК @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA22N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa22n60p3-datasheets-0044.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 500 Вт Тс | 22А | 55А | 0,36 Ом | 400 мДж | N-канал | 2600пФ при 25В | 390 мОм при 11 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 22А Тк | 38 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ90N15T | ИКСИС | $7,52 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq90n15t-datasheets-0103.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22нс | 19 нс | 44 нс | 90А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 250А | 0,02 Ом | 0,75 мДж | 150 В | N-канал | 4100пФ при 25В | 20 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 90А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА140Н12Т2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp140n12t2-datasheets-5029.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | неизвестный | 120 В | 577 Вт Тс | N-канал | 9700пФ при 25 В | 10 м Ом при 70 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 140А Тс | 174 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH16P20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16p20-datasheets-0348.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 26нс | 25 нс | 65 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 64А | 0,16 Ом | -200В | P-канал | 2800пФ при 25В | 160 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH16N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa16n60p3-datasheets-3792.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 347 Вт Тс | ТО-247АД | 40А | 0,44 Ом | 800 мДж | N-канал | 1830пФ при 25В | 470 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 16А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP44N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | 19 недель | совместимый | 250 В | 240 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 25В | 40 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 44А Тк | 33 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ10P50P | ИКСИС | $6,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta10p50ptrl-datasheets-0774.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 28нс | 44 нс | 52 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 300 Вт Тс | 30А | 1 Ом | 1500 мДж | -500В | P-канал | 2840пФ при 25В | 1 Ом при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH10N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n100-datasheets-2166.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 15 нс | 40 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 40А | 1кВ | N-канал | 4000пФ при 25В | 1,2 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 10А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH15N80 | ИКСИС | $2,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n80-datasheets-4421.pdf | 800В | 15А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 6г | Нет СВВК | 600мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 33нс | 32 нс | 63 нс | 15А | 20 В | 800В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 250 нс | 60А | 800В | N-канал | 4870пФ при 25 В | 4,5 В | 600 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 15А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМ21-05КК | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fmd2105qc-datasheets-4340.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 21А | 0,22 Ом | N-канал | 220 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 21А Тц | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH14N100 | ИКСИС | $6,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth14n100-datasheets-0674.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВВК | 820мОм | 3 | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 21нс | 36 нс | 80 нс | 14А | 20 В | 1кВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 4,5 В | 360 Вт Тс | ТО-247АД | 56А | 1кВ | N-канал | 5650пФ при 25 В | 4,5 В | 820 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 195 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX550N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | FRFET®, СупреМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk550n055t2-datasheets-0709.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | 247 | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 200А | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 55В | 550А | 45 нс | 40 нс | 230 нс | 90 нс | 550А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 3000 мДж | N-канал | 40000пФ при 25В | 1,6 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 550А Тс | 595 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX120N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx120n25-datasheets-0756.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 38нс | 35 нс | 175 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | 480А | 0,022 Ом | 250 В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 22 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 120А Тс | 400 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH23N80Q | ИКСИС | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft23n80q-datasheets-0782.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 14 нс | 74 нс | 23А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500 Вт Тс | ТО-247АД | 92А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 4900пФ при 25В | 420 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 3 мА | 23А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX24N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx24n90q-datasheets-0826.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 21нс | 12 нс | 60 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 96А | 0,45 Ом | 2500 мДж | 900В | N-канал | 5900пФ при 25В | 450 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK24N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx24n90q-datasheets-0826.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25 нс | 21нс | 12 нс | 60 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 96А | 0,45 Ом | 2500 мДж | 900В | N-канал | 5900пФ при 25В | 450 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
