Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFA6N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa6n120p-datasheets-9264.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 1200В | 250 Вт Тс | N-канал | 2830пФ при 25В | 2,4 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 1 мА | 6А Тк | 92 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH102N15T | ИКСИС | $14,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 102А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 455 Вт Тс | 300А | 0,018 Ом | 750 мДж | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFA130N15X3TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 150 В | 390 Вт Тс | N-канал | 5230пФ при 25 В | 9 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 130А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX88N20Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk88n20q-datasheets-4443.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 15 нс | 61 нс | 88А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500 Вт Тс | 2500 мДж | 200В | N-канал | 4150пФ при 25В | 30 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 88А Тк | 146 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK62N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk62n25-datasheets-0638.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25нс | 15 нс | 115 нс | 62А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 390 Вт Тс | 248А | 0,035 Ом | 1500 мДж | 250 В | N-канал | 5400пФ при 25В | 35 мОм при 31 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 62А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFT12N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft10n100-datasheets-4440.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 32 нс | 62 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 300 Вт Тс | 48А | 1кВ | N-канал | 4000пФ при 25В | 1,05 Ом при 6 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 12А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFT40N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh40n50q-datasheets-0596.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 14 нс | 56 нс | 40А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 160А | 0,14 Ом | 2 мДж | 500В | N-канал | 3800пФ при 25В | 140 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 40А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFR32N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr32n100p-datasheets-0757.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 30 недель | 3 | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 320 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 55нс | 43 нс | 76 нс | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 320 Вт Тс | 75А | 1500 мДж | 1кВ | N-канал | 14200пФ при 25В | 340 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 18А Тк | 225 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXTH58N25L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 28 недель | совместимый | 250 В | 540 Вт Тс | N-канал | 9200пФ при 25В | 64 мОм при 29 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 58А Тк | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR48N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr44n50q-datasheets-0735.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 110МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 22нс | 10 нс | 75 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 310 Вт Тс | 192А | 2500 мДж | 500В | N-канал | 7000пФ при 25В | 110 мОм при 24 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 40А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFR48N60Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr48n60q3-datasheets-0863.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 154Ом | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | 3 | Одинокий | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 37 нс | 300 нс | 40 нс | 32А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 120А | 2000 мДж | 600В | N-канал | 7020пФ при 25В | 154 мОм при 24 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 32А Тк | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFB52N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfb52n90p-datasheets-0921.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 26 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 80нс | 42 нс | 95 нс | 52А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,5 В | 1250 Вт Тс | 104А | 0,16 Ом | 2000 мДж | 900В | N-канал | 19000пФ при 25В | 3,5 В | 160 мОм при 26 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 52А Тс | 308 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| IXFX80N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk80n50q3-datasheets-3668.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 65МОм | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,25 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 30 нс | 250 нс | 43 нс | 80А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 240А | 500В | N-канал | 10000пФ при 25В | 65 мОм при 40 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 80А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН120Н25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 120А | 250 В | 730 Вт Тс | N-канал | 7700пФ при 25 В | 20 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 120А Тс | 360 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN120N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СОТ-227-4, миниБЛОК | 120А | 250 В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN400N15X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn400n15x3-datasheets-1064.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | совместимый | 150 В | 695 Вт Тс | N-канал | 23700пФ при 25В | 2,5 мОм при 200 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 400А Тс | 365 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС1Ф420Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1f420n10t-datasheets-1096.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | Без свинца | 21 | 30 недель | 21 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 21 | Одинокий | 680 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 47 нс | 115 нс | 334А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 680 Вт Тс | 0,0026Ом | 5000 мДж | N-канал | 4700пФ при 10 В | 2,6 мОм при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 334А Тк | 670 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTT3N200P3HV | ИКСИС | $43,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth3n200p3hv-datasheets-3758.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | неизвестный | 3А | 2000В | 520 Вт Тс | N-канал | 1860пФ при 25В | 8 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН240Н075Л2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | совместимый | 75В | 735 Вт Тс | N-канал | 19000пФ при 25В | 7 мОм при 120 А, 10 В | 4,5 В при 3 мА | 225А Тс | 546 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA3N100P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1000В | 125 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 4,8 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP8N85XM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n85xm-datasheets-1671.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | совместимый | 850В | 33 Вт Тс | N-канал | 654пФ при 25В | 850 мОм при 4 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 17 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP8N50P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n50p3-datasheets-1948.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,83 мм | 24 недели | 3 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 29 нс | 8А | 30 В | 500В | 180 Вт Тс | 8А | N-канал | 705пФ при 25В | 800 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 8А Тк | 13 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP10P15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp10p15t-datasheets-2123.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 30А | 0,35 Ом | 200 мДж | P-канал | 2210пФ при 25 В | 350 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1R6N100D2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r6n100d2-datasheets-1843.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | да | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 1,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 100 Вт Тс | N-канал | 645пФ при 25В | 10 Ом при 800 мА, 0 В | 1,6 А Тс | 27 нК при 5 В | Режим истощения | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP1N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n80-datasheets-1682.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Не квалифицирован | 19нс | 28 нс | 40 нс | 750 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 800В | N-канал | 220пФ при 25В | 11 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 750 мА Тс | 8,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA76N15T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 150 В | 350 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 25 В | 22 мОм при 38 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 76А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH56N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 56А | 150 В | N-канал | 56А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R4N120P-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 1200В | 86 Вт Тс | N-канал | 666пФ при 25 В | 13 Ом при 700 мА, 10 В | 4,5 В @ 100 мкА | 1,4 А Тс | 24,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP1N100P | ИКСИС | 2,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n100p-datasheets-1536.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 26нс | 24 нс | 55 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 1А | 1,8 А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 331пФ при 25 В | 15 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 1А Тк | 15,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| IXFA12N50P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 500В | 200 Вт Тс | N-канал | 1830пФ при 25В | 500 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В при 1 мА | 12А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
