Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT40N85XHV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh40n85x-datasheets-2899.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | да | неизвестный | 40А | 850В | 860 Вт Тс | N-канал | 3700пФ при 25В | 145 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 40А Тс | 98 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR30N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr30n25-datasheets-4395.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | 19нс | 17 нс | 79 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 120А | 0,075 Ом | 1000 мДж | 250В | N-канал | 3950пФ при 25В | 75 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 25А Тс | 136 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT10N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft10n100-datasheets-4440.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 32 нс | 62 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 300 Вт Тс | 40А | 1кВ | N-канал | 4000пФ при 25В | 1,2 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 10А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR68P20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ISOPLUS247™ | 3 | 1 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 270 Вт Тс | 44А | 200А | 0,064Ом | 2500 мДж | P-канал | 33400пФ при 25В | 64 мОм при 34 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44А Тк | 380 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH14N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth14n80-datasheets-4559.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 33нс | 32 нс | 63 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 56А | 0,7 Ом | 800В | N-канал | 4500пФ при 25В | 150 нс | 100 нс | 700 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH10N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh10n90-datasheets-7620.pdf | 900В | 10А | ТО-247-3 | Содержит свинец | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 12нс | 18 нс | 51 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 40А | 900В | N-канал | 4200пФ при 25В | 1,1 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 10А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА16Н50П | ИКСИС | $27,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta16n50p-datasheets-9413.pdf | 500В | 16А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 25 нс | 70 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 0,4 Ом | 750 мДж | 500В | N-канал | 2250пФ при 25В | 400 мОм при 8 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU02N50D | ИКСИС | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty02n50dtrl-datasheets-8387.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | 24 недели | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4нс | 4 нс | 28 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 Вт Та 25 Вт Тс | 0,2 А | 0,8А | 500В | N-канал | 120пФ при 25В | 30 Ом при 50 мА, 0 В | 5 В @ 25 мкА | 200 мА Тс | Режим истощения | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKP13N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp13n60c5-datasheets-9701.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 0,3 Ом | 290 мДж | 600В | N-канал | 1100пФ при 100В | 300 мОм при 6,6 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 13А Тк | 30 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА160N04T2 | ИКСИС | 1,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n04t2-datasheets-9891.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 160А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 250 Вт Тс | 400А | 0,005 Ом | 600 мДж | N-канал | 4640пФ при 25В | 5 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 160А Тс | 79 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА180Н10Т7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta180n10t7-datasheets-0043.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB | Без свинца | 6 | 6,4 МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Г6 | 54нс | 31 нс | 42 нс | 180А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 450А | 750 мДж | 100В | N-канал | 6900пФ при 25 В | 6,4 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 180А Тс | 151 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA50N20X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 200В | 240 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 30 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 50А Тс | 33 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA3N120HV-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 1200В | 200 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA32P20T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 200В | 300 Вт Тс | P-канал | 14500пФ при 25В | 130 мОм при 16 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 32А Тк | 185 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA20N65X-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | 650В | 320 Вт Тс | N-канал | 1390пФ при 25В | 210 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ62N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 62А | 250В | N-канал | 62А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ150N06P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq150n06p-datasheets-0489.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | 53нс | 45 нс | 66 нс | 150А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 280А | 0,01 Ом | 2500 мДж | 60В | N-канал | 3000пФ при 25В | 10 мОм при 75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 150А Тс | 118 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА34N65X2 | ИКСИС | $3,97 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta34n65x2-datasheets-0539.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | совместимый | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 25В | 96 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH102N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 102А | 250В | N-канал | 102А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT15N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n80q-datasheets-2059.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 16 нс | 53 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 60А | 0,6 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4300пФ при 25В | 600 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 15А Тс | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT12N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft12n90q-datasheets-0671.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 23нс | 15 нс | 40 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 48А | 0,9 Ом | 900В | N-канал | 2900пФ при 25В | 900 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 12А Тс | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR14N100Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr14n100q2-datasheets-0710.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 247 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 10 нс | 12 нс | 28 нс | 9,5А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 200 Вт Тс | 56А | 2500 мДж | 1кВ | N-канал | 2700пФ при 25В | 1,1 Ом при 7 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 9,5 А Тс | 83 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK33N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk33n50-datasheets-0755.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 170мОм | 3 | да | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 40 нс | 140 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 500В | N-канал | 4900пФ при 25В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 33А Тц | 250 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK44N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx48n50q-datasheets-2086.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22нс | 10 нс | 75 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | 2500 мДж | 500В | N-канал | 7000пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 44А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT7N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n90q-datasheets-4153.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15нс | 13 нс | 42 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | 7А | 28А | 700 мДж | 900В | N-канал | 2200пФ при 25В | 1,5 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 7А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX44N55Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx44n55q-datasheets-0861.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 10 нс | 75 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | 2500 мДж | 550В | N-канал | 6400пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 44А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE73N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe73n30q-datasheets-0915.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 36нс | 12 нс | 82 нс | 66А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 292А | 2500 мДж | 300В | N-канал | 6400пФ при 25В | 46 мОм при 36,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 66А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN44N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn48n50q-datasheets-0909.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 44г | Нет СВХК | 120 мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 2,5 кВ | 22нс | 10 нс | 75 нс | 44А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 500 Вт Тс | 176А | 2500 мДж | 500В | N-канал | 7000пФ при 25В | 4 В | 120 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 44А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFX400N15X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 19 недель | совместимый | 150 В | 1250 Вт Тс | N-канал | 23700пФ при 25В | 3 м Ом при 200 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 400А Тс | 365 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK21N100 | ИКСИС | 1,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk21n100-datasheets-1027.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 50 нс | 40 нс | 100 нс | 21А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 500 Вт Тс | 84А | 0,55 Ом | 1кВ | N-канал | 8400пФ при 25 В | 550 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 21А Тц | 250 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
