Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIxys (5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Двойное напряжение питания | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Время восстановления | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Выключите время-макс (Toff) | Включите время-макс (тонна) | Номинальные VGS | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH24N50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Мегамос ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth24n50-datasheets-4211.pdf | 500 В. | 24а | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 28 недель | Нет SVHC | 230mohm | 3 | да | Ear99 | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 33NS | 30 нс | 65 нс | 24а | 20 В | 500 В. | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 4 В | 300 Вт TC | До-247AD | 96а | 500 В. | N-канал | 4200PF @ 25V | 4 В | 230 мм ω @ 12a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24a tc | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtr90p10p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr90p10p-datasheets-4248.pdf | Isoplus247 ™ | 3 | 26 недель | да | Ear99 | Avalanche Rated, UL признан | неизвестный | E1 | Жестяная серебряная медь | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 57а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 100 В | 100 В | 190W TC | 225а | 0,027om | 2500 MJ | P-канал | 5800pf @ 25V | 27м ω @ 45A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 57A TC | 120NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfx32n80p | Ixys | $ 1,32 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx32n80p-datasheets-4281.pdf | До 247-3 | 3 | 30 недель | 3 | да | Лавина оценена | неизвестный | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | Не квалифицирован | 24ns | 24 нс | 85 нс | 32а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 830W TC | 0,27 Ом | 2000 MJ | 800 В. | N-канал | 8800PF @ 25V | 270 м ω @ 16a, 10 В | 5 В @ 8ma | 32A TC | 150NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH440N055T2 | Ixys | $ 54,19 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt440n055t2-datasheets-3581.pdf | До 247-3 | 3 | 28 недель | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 440a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 55 В. | 55 В. | 1000 Вт TC | 1200а | 0,0018OM | 1500 МДж | N-канал | 25000pf @ 25 В | 1,8 мм ω @ 100a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 440A TC | 405NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft30n85xhv | Ixys | $ 13,43 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n85x-datasheets-1375.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 19 недель | да | неизвестный | 850 В. | 695W TC | N-канал | 2460PF @ 25V | 220 мм ω @ 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 30A TC | 68NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtt10n100d2 | Ixys | $ 16,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d2-datasheets-7031.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | 24 недели | 3 | неизвестный | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 4 | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 10а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 1000 В. | 695W TC | N-канал | 5320pf @ 25V | 1,5 ω @ 5a, 10 В | 10a tc | 200nc @ 5V | Режим истощения | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH14N80 | Ixys | $ 3,69 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n80-datasheets-4421.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 30 недель | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 33NS | 32 нс | 63 нс | 14а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | До-247AD | 250 нс | 56а | 0,7 Ом | 800 В. | N-канал | 4870pf @ 25V | 150ns | 100ns | 700 м ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 14a tc | 200nc @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT30N50Q3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n50q3-datasheets-3628.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | Лавина оценена | неизвестный | Крыло Печата | 4 | Одинокий | 690 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 14 нс | 250ns | 26 нс | 30а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 690 Вт TC | 90A | 0,2 Ом | 1500 МДж | 500 В. | N-канал | 3200PF @ 25V | 200 метров ω @ 15a, 10 В | 6,5 В @ 4MA | 30A TC | 62NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft58n20 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh50n20-datasheets-1852.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | Свободно привести | 2 | 26 недель | 40 мом | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 15NS | 16 нс | 72 нс | 58а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 232а | 200 В | N-канал | 4400PF @ 25V | 40 м ω @ 29а, 10 В | 4V @ 4MA | 58A TC | 220NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtk102n65x2 | Ixys | $ 15,87 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk102n65x2-datasheets-4817.pdf | До 264-3, до 264AA | 15 недель | Ear99 | not_compliant | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 102а | 650 В. | 1040W TC | N-канал | 10900pf @ 25V | 30 м ω @ 51a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 102A TC | 152NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh80n10q | Ixys | $ 2,05 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | Непригодный | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n10q-datasheets-8192.pdf | 100 В | 80A | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 8 недель | 150 мох | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | Нет | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 | Одинокий | 360 Вт | 1 | 70NS | 30 нс | 68 нс | 80A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 360 Вт TC | 100 В | N-канал | 4500PF @ 25V | 15m ω @ 40a, 10 В | 4V @ 4MA | 80A TC | 180nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtp20n65x2m | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 15 недель | соответствие | 650 В. | 36W TC | N-канал | 1450pf @ 25V | 185m ω @ 10a, 10v | 4,5 В при 250 мкА | 20А TC | 27NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfp18n65x2m | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 19 недель | соответствие | 650 В. | 290W TC | N-канал | 1520pf @ 25V | 200 метров ω @ 9a, 10v | 5 В @ 1,5 мА | 18a tc | 29NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta34n65x2-trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 15 недель | 650 В. | 540 Вт TC | N-канал | 3000pf @ 25 В | 96m ω @ 17a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34A TC | 54NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP18N60PM | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polar ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp18n60pm-datasheets-9972.pdf | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 3 | да | Лавина оценена | E3 | Чистого олова | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 9а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 600 В. | 600 В. | 90 Вт TC | До-220AB | 9а | 54а | 0,42 дюйма | 1000 МДж | N-канал | 2500pf @ 25V | 420 мм ω @ 9a, 10 В | 5,5 В при 250 мкА | 9A TC | 49NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ72N20T | Ixys | $ 16,84 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | До 3p | 72а | 200 В | N-канал | 72A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfp5n100p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100p-datasheets-0151.pdf | До 220-3 | Свободно привести | 3 | 26 недель | да | Лавина оценена | Нет | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSFM-T3 | 5A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 250 Вт TC | До-220AB | 5A | 300 МДж | 1 кВ | N-канал | 1830pf @ 25V | 2,8 ω @ 500 мА, 10 В | 6 В @ 250 мкА | 5A TC | 33,4NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH20N65x2 | Ixys | $ 6,16 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | До 247-3 | 15 недель | соответствие | 650 В. | 290W TC | N-канал | 1450pf @ 25V | 185m ω @ 10a, 10v | 4,5 В при 250 мкА | 20А TC | 27NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta90n15t | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | да | Ear99 | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455W | 1 | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 22ns | 19 нс | 44 нс | 90A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 455W TC | 250a | 0,02 Ом | 0,75 МДж | 150 В. | N-канал | 4100PF @ 25V | 20 м ω @ 45a, 10 В | 4,5 В @ 1MA | 90A TC | 80NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH96N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchhv ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf | До 247-3 | 3 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 1 | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 22ns | 28 нс | 59 нс | 96а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 625W TC | До-247AD | 250a | 0,029 Ом | 2000 MJ | 250 В. | N-канал | 6100PF @ 25V | 29m ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 1MA | 96A TC | 114NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ86N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2012 | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 26 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | соответствие | E3 | Матовая олова (SN) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 250 В. | 250 В. | 540 Вт та | 86а | 190a | 0,037 Ом | 1500 МДж | N-канал | 5330pf @ 25V | 37 м ω @ 43a, 10 В | 5V @ 1MA | 86A TC | 105NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa7n100p | Ixys | $ 60,34 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n100p-datasheets-3974.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Свободно привести | 2 | 30 недель | 3 | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 7A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 1000 В. | 300 Вт TC | 7A | 18а | N-канал | 2590pf @ 25V | 1,9 Ом @ 3,5А, 10 В | 6V @ 1MA | 7A TC | 47NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH68P20T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Renchp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf | До 247-3 | 3 | 28 недель | Ear99 | Лавина оценена | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | R-PSFM-T3 | 68а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 200 В | 568W TC | До-247AD | 200a | 0,055 д | 2500 MJ | P-канал | 33400PF @ 25V | 55 м ω @ 34a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 68A TC | 380NC @ 10V | 10 В | ± 15 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ102N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | 102а | 250 В. | N-канал | 102A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR12N120p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | Isoplus247 ™ | 18 недель | 1200 В. | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfk32n90p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarht ™ Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n90p-datasheets-0702.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 26 недель | Лавина оценена | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSFM-T3 | 32а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 900 В. | 900 В. | 960 Вт TC | 80A | 0,3 Ом | 2000 MJ | N-канал | 10600PF @ 25V | 300 м ω @ 16a, 10 В | 6,5 В @ 1MA | 32A TC | 215NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK120N25 | Ixys | $ 53,04 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Мегамос ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n25-datasheets-0742.pdf | До 264-3, до 264AA | Свободно привести | 3 | 20 мох | 3 | да | Ear99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 730 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 38NS | 35 нс | 175 нс | 120a | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 730W TC | 480a | 4000 МДж | 250 В. | N-канал | 7700PF @ 25V | 20 м ω @ 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120A TC | 360NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixkf40n60scd1 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Coolmos ™ | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkf40n60scd1-datasheets-0775.pdf | i4-pac ™ -5 (3 проводника) | Свободно привести | 3 | 32 недели | 70mohm | 5 | да | Высокая надежность | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 280 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 30ns | 10 нс | 110 нс | 41а | 20 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 38а | 600 В. | N-канал | 70 м ω @ 25a, 10 В | 3,9 В @ 3MA | 41a tc | 250NC @ 10V | Супер Джанкшн | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK32N60 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 1996 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n60-datasheets-0809.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 45NS | 60 нс | 100 нс | 32а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | 128а | 0,15om | 600 В. | N-канал | 9000pf @ 25V | 250 м ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8ma | 32A TC | 325NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT4N150HV-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 24 недели | 1500 В. | 280W TC | N-канал | 1576pf @ 25V | 6 ω @ 2a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4A TC | 44,5NC @ 10V | 10 В | ± 30 В |
