Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Ixys

Ixys (5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение - рейтинг DC Текущий рейтинг Диаметр Пакет / корпус Высота Ширина Свободно привести Количество терминаций Время выполнения завода Сопротивление Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Дополнительная функция Радиационное упрочнение Достичь кода соответствия HTS -код Код JESD-609 Терминальная отделка Поверхностное крепление Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Подсчет штифтов Рабочая температура (макс) Конфигурация элемента Время@Пиковой температуру (я) Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Вперед Впередное напряжение Максимальный ток Surge Время подъема Время падения (тип) Отключить время задержки Непрерывный ток дренажа (ID) Веревка к источническому напряжению (VGS) Макс обратный ток утечки Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Слейте до источника напряжения (VDS) Приложение DS Breakdown Trastage-Min Скорость Диодный элемент материал Power Dissipation-Max Rep PK обратное напряжение-макс Максимальный переадресный ток (IFSM) Пик обратный ток Максимальное повторяющее обратное напряжение (VRRM) Пик без повторного тока всплеска Обратное напряжение Обратный ток-макс Jedec-95 код Время восстановления обратного восстановления Время восстановления Диод тип Максимальное обратное напряжение (DC) Средний выпрямленный ток Незащитный PK-обратный ток-ток-макс Количество этапов Вывод тока-макс Обратное время восстановления Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Импульсный ток сливного тока (IDM) Дренажный источник на сопротивлении-макс Рейтинг Evalanche Energy (EAS) Емкость @ vr, f Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) Слив до источника напряжения разбивки Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Ток - обратная утечка @ vr Напряжение - вперед (vf) (max) @ if Ток - средний исправление (IO) Рабочая температура - соединение Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
W3708MC350 W3708MC350 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует DO-200AC, K-PUK 2 8 недель Ear99 8541.10.00.80 ДА КОНЕЦ Нет лидерства 160 ° C. 1 Выпрямители диоды O-CEDB-N2 ОДИНОКИЙ Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 3500 В. 100000 мкА 37 мкс Стандартный 33000а 1 3753a 3500 В. 100ma @ 3500v 1.27V @ 3000a 3753a -40 ° C ~ 160 ° C.
DS17-08A DS17-08A Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси, Стад Шасси, Сталочное крепление Масса 1 (неограниченный) 180 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds1708a-datasheets-9185.pdf DO-203AA, DO-4, Стад 31,32 мм 11 мм 1 18 недель 2 да Ear99 8541.10.00.80 Верхний Припоя НЕ УКАЗАН 1 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Mupm-D1 25а 1,36 В. 370a Анод Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 400а 4 мА 800 В. 400а 800 В. Лавина 800 В. 25а 1 4ma @ 800V 1,36 В @ 55A -40 ° C ~ 180 ° C.
M1583VF450 M1583VF450 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует DO-200AD 8 недель W43 Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) 5 мкс Стандартный 4500 В. 150 мА @ 4500 В. 2.8V @ 2000a 1583а -40 ° C ~ 150 ° C.
W0944WC120 W0944WC120 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) 190 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2004 42 мм Do-200ab, b-puk 14,4 мм 8 недель 2 Одинокий W1 945а Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) 9ka 15 мА 1,2 кВ Стандартный 1200 В. 15ma @ 1200V 1.45V @ 1930a 944a -40 ° C ~ 190 ° C.
W1730JK280 W1730JK280 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует Do-200ab, b-puk 8 недель Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Стандартный 2800 В. 30 мА @ 2800V 1,2 В @ 1000а 1730а -40 ° C ~ 160 ° C.
DCG20C1200HR DCG20C1200HR Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Трубка До 247-3 20 недель Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Шоткий 755pf @ 0v 1 МГц 1200 В. 250 мкА @ 1200 В. 1,8 В @ 10a 12.5a -40 ° C ~ 150 ° C.
DGS13-025CS DGS13-025CS Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk28025cs-datasheets-7876.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2 Ear99 8541.10.00.80 E3 Олово (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован R-PSSO-G2 80A 250 мкА Катод ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Арсенид галлия 34 Вт До 252AA 18 нс 18 нс Шоткий 250 В. 21а 1 250 мкА при 250 В 1,7 В @ 7,5а -55 ° C ~ 175 ° C.
DSS1-40BA DSS1-40BA Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds140ba-datasheets-1759.pdf DO-214AC, SMA 2 2 да Ear99 Высокая надежность, низкий шум, бесплатный диод колеса 8541.10.00.80 Двойной C Bend НЕ УКАЗАН 2 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован 500 мВ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 45а Шоткий 40 В 1A 1A 100 мкА при 40 В 420 мВ @ 1a -55 ° C ~ 150 ° C.
DGS10-025AS DGS10-025AS Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk20025a-datasheets-7895.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 Ear99 8541.10.00.80 Крыло Печата НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован R-PSSO-G2 20А 1,3 мА Катод Общее назначение Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Арсенид галлия Шоткий 250 В. 12A 1 0,013 мкс 1,3 мА @ 250V 1,5 В @ 5a -55 ° C ~ 175 ° C.
DGS10-018AS-TUB DGS10-018AS-TUB Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk20018a-datasheets-6339.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Шоткий 180В 1,3 мА @ 180V 1.1V @ 5a 15A -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFA80N25X3 Ixfa80n25x3 Ixys $ 8,72
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2017 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp80n25x3-datasheets-1727.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 19 недель да 250 В. 390 Вт TC N-канал 5430pf @ 25V 16m ω @ 40a, 10 В 4,5 В при 1,5 мА 80A TC 83NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTA52P10P IXTA52P10P Ixys $ 5,30
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polarp ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta52p10p-datasheets-3128.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 17 недель да Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSSO-G2 29ns 22 нс 38 нс 52а 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 100 В 300 Вт TC 130a 0,05om 1500 МДж -100 В. P-канал 2845pf @ 25V 50 м ω @ 500 мА, 10 В 4,5 В при 250 мкА 52A TC 60NC @ 10 В. 10 В ± 20 В.
MCB30P1200LB-TUB MCB30P1200L-TUB Ixys $ 123,46
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать MCB30P1200LB Поверхностное крепление 9-Powersmd 28 недель 1200 В. 4 N-канал (половина моста) Стандартный
IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Trencht2 ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n055t2-datasheets-3520.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 28 недель да Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 22ns 27 нс 49 нс 200a 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 360 Вт TC 500а 0,0042om 600 МДж 55 В. N-канал 6800PF @ 25V 4,2 мм ω @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мкА 200A TC 109NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFH140N20X3 Ixfh140n20x3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh140n20x3-datasheets-4865.pdf До 247-3 19 недель 200 В 520W TC N-канал 7660PF @ 25V 9,6 мм ω @ 70a, 10v 4,5 В @ 4MA 140A TC 127NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH02N450HV IXTH02N450HV Ixys $ 23,14
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n450hv-datasheets-1763.pdf До 247-3 вариант 3 24 недели ОДИНОКИЙ 1 R-PSFM-T3 200 мА Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 4500 В. 4500 В. 113W TC 0,2а 0,6а N-канал 246PF @ 25V 625 ω @ 10ma, 10 В 6,5 В при 250 мкА 200 мА TC 10,6NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH10P60 IXTH10P60 Ixys $ 24,35
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка Непригодный МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10p60-datasheets-2057.pdf -600 В. -10a До 247-3 Свободно привести 3 5 недель 1 Ом 3 нет Ear99 Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 27ns 35 нс 85 нс 10а 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 600 В. 300 Вт TC 40a -600 В. P-канал 4700PF @ 25V 1 ω @ 5a, 10 В 5 В @ 250 мкА 10a tc 160NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFK240N25X3 Ixfk240n25x3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx240n25x3-datasheets-2256.pdf До 264-3, до 264AA 19 недель 250 В. 1250W TC N-канал 23800PF @ 25V 5m ω @ 120a, 10 В 4,5 В @ 8ma 240A TC 345NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Ixys $ 1,14
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Trencht2 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp76n15t2-datasheets-5436.pdf До 220-3 3 26 недель да Ear99 Лавина оценена ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSFM-T3 76а Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 150 В. 150 В. 350 Вт TC До-220AB 200a 0,02 Ом 500 МДж N-канал 5800pf @ 25V 20 м ω @ 38a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 76A TC 97NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH240N15X4 IXTH240N15x4 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth240n15x4-datasheets-5560.pdf До 247-3 15 недель 150 В. 940W TC N-канал 8900PF @ 25V 4,4 мм ω @ 120a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 240A TC 195NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTT12N150 IXTT12N150 Ixys $ 14,43
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt12n150-datasheets-5663.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Свободно привести 2 24 недели 3 Лавина оценена Нет E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата 890 Вт 1 FET Общее назначение власти R-PSSO-G2 12A Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 1500 В. 890 Вт TC 40a 2 Ом 750 МДж N-канал 3720pf @ 25V 2 ω @ 6a, 10v 4,5 В при 250 мкА 12A TC 106NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTA6N100D2 Ixta6n100d2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth6n100d2-datasheets-5417.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 24 недели да not_compliant E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 6A Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 1000 В. 300 Вт TC До-263AA N-канал 2650pf @ 25V 2,2 ω @ 3A, 0В 6A TC 95NC @ 5V Режим истощения ± 20 В.
IXTA2R4N120P Ixta2r4n120p Ixys $ 2,25
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polar ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2r4n120p-datasheets-6875.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 28 недель да Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 125 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 25NS 32 нс 70 нс 2.4a 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 1200 В. 125W TC 6A 200 МДж 1,2 кВ N-канал 1207pf @ 25V 7,5 Ом @ 500 мА, 10 В 4,5 В при 250 мкА 2.4a tc 37NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTT36N50P Ixtt36n50p Ixys $ 10,81
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polarhv ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth36n50p-datasheets-55556.pdf 500 В. 36A TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Свободно привести 2 да Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 540 Вт 1 Не квалифицирован R-PSSO-G2 27ns 21 нс 75 нс 36A 30 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 540 Вт TC 500 В. N-канал 5500pf @ 25V 170 м ω @ 500 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 36A TC 85NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTT12N150HV IXTT12N150HV Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt12n150hv-datasheets-2159.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 24 недели неизвестный 12A 1500 В. 890 Вт TC N-канал 3720pf @ 25V 4,5 В при 250 мкА 12A TC 106NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXFT180N20X3HV IXFT180N20x3HV Ixys $ 15,69
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft180n20x3hv-datasheets-1427.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 19 недель 200 В 780W TC N-канал 10300PF @ 25V 7,5 мм ω @ 90A, 10 В 4,5 В @ 4MA 180A TC 154NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFH120N25X3 IXFH120N25x3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft120n25x3hv-datasheets-4945.pdf До 247-3 19 недель 250 В. 520W TC N-канал 7870pf @ 25V 12m ω @ 60a, 10 В 4,5 В @ 4MA 120A TC 122NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTY08N100P-TRL Ixty08n100p-trl Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ МОСФЕТ (оксид металла) TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 24 недели 1000 В. 42W TC N-канал 240pf @ 25V 20 Ом @ 400 мА, 10 В 4 В @ 50 мкА 800 мА TC 11.3nc @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTU8N70X2 Ixtu8n70x2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty8n70x2-datasheets-0423.pdf TO-251-3 LEADS, IPAK 15 недель да 700 В. 150 Вт TC N-канал 800pf @ 10 В. 500 м ω @ 500 мА, 10 В 4,5 В при 250 мкА 8A TC 12NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTQ450P2 IXTQ450P2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polarp2 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth450p2-datasheets-0479.pdf TO-3P-3, SC-65-3 3 24 недели да Лавина оценена неизвестный E3 Чистого олова НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSFM-T3 16A 30 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 300 Вт TC 35а 0,33 гм 750 МДж 500 В. N-канал 2530pf @ 25V 330 мм ω @ 8a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 16a tc 43NC @ 10V 10 В ± 30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.