Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIxys (5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Максимальная диссипация власти | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Изоляционное напряжение | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Двойное напряжение питания | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Утечь к сопротивлению источника | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Номинальные VGS | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA3N120HV-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 24 недели | 1200 В. | 200 Вт TC | N-канал | 1100pf @ 25V | 4,5 Ом @ 1,5А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3A TC | 42NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 28 недель | 200 В | 300 Вт TC | P-канал | 14500PF @ 25V | 130 м ω @ 16a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 32A TC | 185NC @ 10V | 10 В | ± 15 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta20n65x-trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 15 недель | 650 В. | 320W TC | N-канал | 1390pf @ 25V | 210 м ω @ 10a, 10 В | 5,5 В при 250 мкА | 20А TC | 35NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ62N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | 62а | 250 В. | N-канал | 62A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ150N06P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq150n06p-datasheets-0489.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | 53ns | 45 нс | 66 нс | 150a | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 480W TC | 280a | 0,01 Ом | 2500 MJ | 60 В | N-канал | 3000pf @ 25 В | 10 м ω @ 75a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 150A TC | 118NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta34n65x2 | Ixys | $ 3,97 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta34n65x2-datasheets-0539.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 15 недель | соответствие | 650 В. | 540 Вт TC | N-канал | 3000pf @ 25 В | 96m ω @ 17a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34A TC | 54NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH102N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 247-3 | 102а | 250 В. | N-канал | 102A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT15N80Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n80q-datasheets-2059.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 27ns | 16 нс | 53 нс | 15A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 60A | 0,6 Ом | 1000 МДж | 800 В. | N-канал | 4300PF @ 25V | 600 м ω @ 7,5а, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 15a tc | 90NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT12N90Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft12n90q-datasheets-0671.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | 3 | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 23ns | 15 нс | 40 нс | 12A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 48а | 0,9 Ом | 900 В. | N-канал | 2900PF @ 25V | 900 м ω @ 6a, 10 В | 5,5 В @ 4MA | 12A TC | 90NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR14N100Q2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr14n100q2-datasheets-0710.pdf | Isoplus247 ™ | Свободно привести | 3 | 247 | да | Avalanche Rated, UL признан | Нет | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSFM-T3 | 10NS | 12 нс | 28 нс | 9.5A | 30 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 1000 В. | 200 Вт TC | 56а | 2500 MJ | 1 кВ | N-канал | 2700pf @ 25 В | 1,1 Ом @ 7a, 10 В | 5V @ 4MA | 9.5A TC | 83NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK33N50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk33n50-datasheets-0755.pdf | До 264-3, до 264AA | Свободно привести | 3 | 170mohm | 3 | да | Ear99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 30ns | 40 нс | 140 нс | 33а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 416W TC | 500 В. | N-канал | 4900PF @ 25V | 170 м ω @ 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 33A TC | 250NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfk44n50q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx48n50q-datasheets-2086.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22ns | 10 нс | 75 нс | 44а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | 176a | 0,12 л | 2500 MJ | 500 В. | N-канал | 7000pf @ 25v | 120 м ω @ 22a, 10 В | 4V @ 4MA | 44A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft7n90q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n90q-datasheets-4153.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 15NS | 13 нс | 42 нс | 7A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 180W TC | 7A | 28а | 700 МДж | 900 В. | N-канал | 2200PF @ 25V | 1,5 Ом @ 500 мА, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 7A TC | 56NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFX44N55Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx44n55q-datasheets-0861.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20ns | 10 нс | 75 нс | 44а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | 176a | 0,12 л | 2500 MJ | 550 В. | N-канал | 6400PF @ 25V | 120 м ω @ 22a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 44A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE73N30Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Шасси | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe73n30q-datasheets-0915.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 4 | 4 | да | Ear99 | Лавина оценена | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 36NS | 12 нс | 82 нс | 66а | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 400 Вт TC | 292а | 2500 MJ | 300 В. | N-канал | 6400PF @ 25V | 46 м ω @ 36,5a, 10 В | 4V @ 4MA | 66A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfn44n50q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Шасси | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Винт | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn48n50q-datasheets-0909.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 4 | 44 г | Нет SVHC | 120moh | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | Никель (NI) | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PUFM-X4 | 2,5 кВ | 22ns | 10 нс | 75 нс | 44а | 20 В | 500 В. | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 4 В | 500 Вт TC | 176a | 2500 MJ | 500 В. | N-канал | 7000pf @ 25v | 4 В | 120 м ω @ 500 мА, 10 В | 4V @ 4MA | 44A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||
| Ixfx400n15x3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | До 247-3 | 19 недель | соответствие | 150 В. | 1250W TC | N-канал | 23700PF @ 25V | 3M ω @ 200a, 10 В | 4,5 В @ 8ma | 400A TC | 365NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK21N100 | Ixys | $ 1,24 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Мегамос ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk21n100-datasheets-1027.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 50NS | 40 нс | 100 нс | 21а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 500 Вт TC | 84а | 0,55 дюйма | 1 кВ | N-канал | 8400PF @ 25V | 550 м ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 21a tc | 250NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT12N150HV-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 24 недели | 1500 В. | 890 Вт TC | N-канал | 3720pf @ 25V | 2,2 ω @ 6a, 10v | 4,5 В при 250 мкА | 12A TC | 106NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB40N110P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb40n110p-datasheets-1092.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 26 недель | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 кВт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 55NS | 54 нс | 110 нс | 40a | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1100 В. | 1250W TC | 100А | 0,26 Ом | 2000 MJ | 1,1 кВ | N-канал | 19000PF @ 25V | 260 м ω @ 20a, 10 В | 6,5 В @ 1MA | 40a tc | 310NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| Ixkn45n80c | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Coolmos ™ | Шасси | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/ixys-ixkn45n80c-datasheets-1129.pdf | SOT-227-4, Minibloc | Свободно привести | 4 | 28 недель | 4 | да | UL признан, лавина оценена | Никель (NI) | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 380 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 15NS | 10 нс | 75 нс | 44а | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 380W TC | 670 MJ | 800 В. | N-канал | 74m ω @ 44a, 10 В | 3,9 В @ 4MA | 44A TC | 360NC @ 10V | Супер Джанкшн | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfe44n50qd3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Шасси | Шасси | -40 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe48n50qd3-datasheets-1077.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 4 | 4 | да | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 22ns | 10 нс | 75 нс | 39а | 20 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 400 Вт TC | 176a | 0,12 л | 2500 MJ | 500 В. | N-канал | 8000pf @ 25 В | 120 м ω @ 22a, 10 В | 4V @ 4MA | 39A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa5n50p3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa5n50p3-datasheets-1424.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 24 недели | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | FET Общее назначение власти | 5A | Одинокий | 500 В. | 114W TC | 5A | N-канал | 370pf @ 25V | 1,65 ω @ 2,5a, 10 В | 5V @ 1MA | 5A TC | 6,9NC @ 10 В. | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA98N075T7 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2008 | TO-263-7, D2PAK (6 LEADS + TAB), до 263CB | 200 Вт | Одинокий | 200 Вт | 98а | 10 мох | 75 В. | N-канал | 98A TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 24 недели | 1000 В. | 125W TC | N-канал | 1020pf @ 25V | 6 ω @ 1,5a, 0В | 4,5 В при 250 мкА | 3A TJ | 37.5nc @ 5V | Режим истощения | 0 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA230N04T4 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht4 ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta230n04t4-datasheets-2098.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 28 недель | соответствие | 40 В | 340 Вт TC | N-канал | 7400PF @ 25V | 2,9 метра ω @ 115a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230A TC | 140NC @ 10V | 10 В | ± 15 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ36N20T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | 200 В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa7n80p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp7n80p-datasheets-9747.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Свободно привести | 2 | 30 недель | да | Лавина оценена | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | 4 | Одинокий | 200 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSSO-G2 | 32NS | 24 нс | 55 нс | 7A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 Вт TC | 7A | 300 МДж | 800 В. | N-канал | 1890pf @ 25v | 1,44 ω @ 3,5А, 10 В | 5V @ 1MA | 7A TC | 32NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP130N065T2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trencht2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n065t2-datasheets-2316.pdf | До 220-3 | 3 | 24 недели | да | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | E1 | Жестяная серебряная медь | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 130a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 65 В | 65 В | 250 Вт TC | До-220AB | 330а | 0,0066OM | 600 МДж | N-канал | 4800PF @ 25V | 6,6 метра ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 130A TC | 79NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA12N65x2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth12n65x2-datasheets-9746.pdf | TO-263-3, вариант D2PAK (2 HEDS + TAB) | 15 недель | Ear99 | not_compliant | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12A | 650 В. | 180W TC | N-канал | 1100pf @ 25V | 300 м ω @ 6a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12A TC | 17nc @ 10v | 10 В | ± 30 В |
