ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXTQ72N20T IXTQ72N20T ИКСИС $16,84
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-3П-3, СК-65-3 ТО-3П 72А 200В N-канал 72А Тк
IXFP5N100P IXFP5N100P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100p-datasheets-0151.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 26 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 250 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПСФМ-Т3 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 250 Вт Тс ТО-220АБ 300 мДж 1кВ N-канал 1830пФ при 25В 2,8 Ом при 500 мА, 10 В 6 В при 250 мкА 5А Тс 33,4 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 ИКСИС $6,16
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 15 недель совместимый 650В 290 Вт Тс N-канал 1450пФ при 25В 185 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 20А Тс 27 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA90N15T ИКСТА90Н15Т ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 455 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 22нс 19 нс 44 нс 90А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 455 Вт Тс 250А 0,02 Ом 0,75 мДж 150 В N-канал 4100пФ при 25В 20 мОм при 45 А, 10 В 4,5 В при 1 мА 90А Тс 80 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH96N25T IXTH96N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчHV™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf ТО-247-3 3 30 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 625 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 22нс 28 нс 59 нс 96А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 625 Вт Тс ТО-247АД 250А 0,029 Ом 2000 мДж 250В N-канал 6100пФ при 25 В 29 мОм при 500 мА, 10 В 5 В @ 1 мА 96А Тц 114 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTQ86N25T IXTQ86N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год ТО-3П-3, СК-65-3 3 26 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ совместимый е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 250В 250В 540 Вт Та 86А 190А 0,037Ом 1500 мДж N-канал 5330пФ при 25В 37 мОм при 43 А, 10 В 5 В @ 1 мА 86А Тк 105 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFA7N100P IXFA7N100P ИКСИС $60,34
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n100p-datasheets-3974.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 30 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 1000В 300 Вт Тс 18А N-канал 2590пФ при 25В 1,9 Ом при 3,5 А, 10 В 6 В @ 1 мА 7А Тк 47 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTH68P20T IXTH68P20T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf ТО-247-3 3 28 недель EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ ОДИНОКИЙ 3 1 Другие транзисторы Р-ПСФМ-Т3 68А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 568 Вт Тс ТО-247АД 200А 0,055 Ом 2500 мДж P-канал 33400пФ при 25В 55 мОм при 34 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 68А Тк 380 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTQ102N25T IXTQ102N25T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-3П-3, СК-65-3 102А 250В N-канал 102А Тс
IXFR12N120P IXFR12N120P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ISOPLUS247™ 18 недель 1200В N-канал
IXFK32N90P IXFK32N90P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n90p-datasheets-0702.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 3 26 недель ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ ОДИНОКИЙ 3 1 Мощность FET общего назначения Р-ПСФМ-Т3 32А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 900В 900В 960 Вт Тс 80А 0,3 Ом 2000 мДж N-канал 10600пФ при 25В 300 мОм при 16 А, 10 В 6,5 В при 1 мА 32А Тк 215 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTK120N25 IXTK120N25 ИКСИС $53,04
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МегаМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n25-datasheets-0742.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 20МОм 3 да EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 730 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 38нс 35 нс 175 нс 120А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 730 Вт Тс 480А 4000 мДж 250В N-канал 7700пФ при 25 В 20 мОм при 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 120А Тс 360 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXKF40N60SCD1 IXKF40N60SCD1 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать CoolMOS™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°C~150°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkf40n60scd1-datasheets-0775.pdf i4-Pac™-5 (3 отведения) Без свинца 3 32 недели 70МОм 5 да ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 280 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 30 нс 10 нс 110 нс 41А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 38А 600В N-канал 70 мОм при 25 А, 10 В 3,9 В @ 3 мА 41А Тц 250 нК при 10 В Супер Джанкшн 10 В ±20 В
IXFK32N60 IXFK32N60 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1996 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n60-datasheets-0809.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 45нс 60 нс 100 нс 32А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 128А 0,15 Ом 600В N-канал 9000пФ при 25В 250 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 8 мА 32А Тк 325 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTT4N150HV-TRL IXTT4N150HV-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА 24 недели 1500В 280 Вт Тс N-канал 1576пФ при 25 В 6 Ом при 2 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 44,5 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFK20N120P IXFK20N120P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx20n120p-datasheets-0816.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 30 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 780 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 45нс 70 нс 72 нс 20А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1200В 780 Вт Тс 50А 0,57 Ом 1000 мДж 1,2 кВ N-канал 11100пФ при 25В 570 мОм при 10 А, 10 В 6,5 В при 1 мА 20А Тс 193 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXKG25N80C IXKG25N80C ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать CoolMOS™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkg25n80c-datasheets-0933.pdf ISO264™ 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 250 Вт 1 Не квалифицирован 25нс 10 нс 75 нс 25А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 250 Вт Тс 0,15 Ом 690 мДж 800В N-канал 150 мОм при 9 А, 10 В 4 В при 2 мА 25А Тс 166 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFL82N60P IXFL82N60P ИКСИС $30,64
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl82n60p-datasheets-0974.pdf ISOPLUS264™ 3 26 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 625 Вт 1 Не квалифицирован 23нс 24 нс 79 нс 55А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 625 Вт Тс 200А 0,078Ом 5000 мДж 600В N-канал 23000пФ при 25В 78 мОм при 41 А, 10 В 5 В @ 8 мА 55А Тс 240 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFR10N100Q IXFR10N100Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr12n100q-datasheets-0945.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 250 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 23нс 15 нс 40 нс 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 250 Вт Тс 40А 1кВ N-канал 2900пФ при 25В 1,2 Ом при 5 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 9А Тц 90 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFX30N100Q2 IXFX30N100Q2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx30n100q2-datasheets-1046.pdf ТО-247-3 16,13 мм 21,34 мм 5,21 мм Без свинца 3 400МОм 247 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 735 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 22 нс 14нс 10 нс 60 нс 30А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 735 Вт Тс 120А 4000 мДж 1кВ N-канал 8200пФ при 25 В 400 мОм при 15 А, 10 В 5 В @ 8 мА 30А Тс 186 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFN38N80Q2 IXFN38N80Q2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx38n80q2-datasheets-0998.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК Без свинца 4 220МОм 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Нет Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 Одинокий 735 Вт 1 Мощность FET общего назначения 16 нс 12 нс 60 нс 38А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 735 Вт Тс 800В N-канал 8340пФ при 25 В 220 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 8 мА 38А Тц 190 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFK44N55Q IXFK44N55Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n55q-datasheets-1116.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 19,96 мм 26,16 мм 5,13 мм 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 30 нс 20нс 10 нс 75 нс 44А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 176А 0,12 Ом 2500 мДж 550В N-канал 6400пФ при 25В 120 мОм при 22 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 44А Тк 190 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTN120P20T ИКСТН120П20Т ИКСИС $51,69
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn120p20t-datasheets-1162.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК Без свинца 4 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 1 Мощность FET общего назначения Р-ПУФМ-X4 106А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 830 Вт Тс 400А 0,03 Ом 3000 мДж P-канал 73000пФ при 25В 30 мОм при 60 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 106А Тк 740 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXFP7N60P3 IXFP7N60P3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp7n60p3-datasheets-1330.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 24 недели ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ ОДИНОКИЙ 3 1 Мощность FET общего назначения Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 180 Вт Тс ТО-220АБ 16А 400 мДж N-канал 705пФ при 25В 1,15 Ом при 500 мА, 10 В 5 В @ 1 мА 7А Тк 13,3 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие 150°С, ТДж МОП-транзистор (оксид металла) TO-251-3 Заглушки, IPak 15 недель совместимый 700В 80 Вт Тс N-канал 386пФ при 25 В 850 мОм при 2 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 4А Тк 11,8 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA42N25P-TRL IXTA42N25P-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 250В 300 Вт Тс N-канал 2300пФ при 25В 84 мОм при 21 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 42А Тк 70 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP08N120P IXTP08N120P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp08n120p-datasheets-2050.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 24 недели 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 800мА КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1200В 1200В 50 Вт Тс ТО-220АБ 0,8 А 1,8 А 80 мДж N-канал 333пФ при 25 В 25 Ом при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 50 мкА 800 мА Тс 14 нК @ 10 В 10 В ±20 В
IXTY48P05T IXTY48P05T ИКСИС 3,52 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчП™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty48p05t-datasheets-2147.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 17 недель 3 EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 4 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 48А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 50В 150 Вт Тс ТО-252АА 150А P-канал 3660пФ при 25 В 30 мОм при 24 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 48А ТЦ 53 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTP12N50P IXTP12N50P ИКСИС $15,74
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp12n50p-datasheets-2268.pdf 500В 12А ТО-220-3 Без свинца 3 24 недели 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 200 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 27нс 20 нс 55 нс 12А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200 Вт Тс ТО-220АБ 0,5 Ом 600 мДж 500В N-канал 1830пФ при 25В 500 мОм при 6 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 12А Тс 29 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTP90N15T IXTP90N15T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 455 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 22нс 19 нс 44 нс 90А 30В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 455 Вт Тс ТО-220АБ 250А 0,02 Ом 0,75 мДж 150 В N-канал 4100пФ при 25 В 20 мОм при 45 А, 10 В 4,5 В при 1 мА 90А Тс 80 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.