Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43Р16320Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 60 | 8 недель | 60 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 166 МГц | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16160Д-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 220 мА | 60 | 10 недель | 60 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 280 мА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР82560КЛ-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 135 мА | 60 | 8 недель | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 536870912 бит | 0,013А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Х-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 6 недель | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV6416EEBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 10 нс | 1048576 бит | 0,004А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 86 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Д-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 2,5 В | 12 недель | 100 | 4 Мб | 4 | Нет | 2,375 В~2,625 В | 4Мб 128К х 32 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 6 недель | 96 | 4ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 1 | 230 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | 18б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF51218B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,135 В~3,6 В | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32640Б-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 15,55 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15 нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV10248BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv10248bll10tlitr-datasheets-7569.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 44 | 8 Мб | 2 | 100 мА | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,23 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 230 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636Б-200Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б165 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ12836А-7.5ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lf12836a75tqi-datasheets-7620.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 4,5 Мб 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-5БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 60 | 8 недель | 60 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 430 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,6 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 40 | 2,6 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16640Б-25ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | 240 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46LR16320C-6BLA1-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 1,8 В | 60 мА | 14 недель | 60 | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416EALL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,98 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,75 мм | 1,98 В | 1,65 В | 1,8 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 0,000025А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К51216АЛ-55ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | /files/issi-is62c51216al55tlitr-datasheets-7710.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП II | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 12 недель | 165 | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 4,5 Мб 128К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32160Е-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $10,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 3,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 110 мА | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 110 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,8 нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА |
