Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61ДДП2Б22М36А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP204836B-166TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВП409618Б-250Б3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б165 | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВФ409618Б-7.5ТКЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОТОКОВЫЙ | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,65 мм | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 245 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Ф-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б54 | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 3,3 В | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | 4 | 200 МГц | 275 мА | 3,135 В~3,465 В | 165-ТФБГА (13x15) | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОТОКОВЫЙ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Д-7ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС102418Б-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-75ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $20,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16320D-7CTLA1-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 143 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС102418Б-200Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ20488ФБЛЛ-45БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 45нс | 16777216 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS34ML04G081-TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512MX8 | 8 | 25нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $7,52 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128К-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25618А-200ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25618a200tqitr-datasheets-9464.pdf | 100-LQFP | 100 | 3,135 В~3,465 В | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12824-10ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv1282410tqitr-datasheets-9471.pdf | 100-LQFP | 3,63 В | 2,97 В | 100 | Параллельно | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS21ES04G-JCLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 153-ВФБГА | 13 мм | 11,5 мм | 153 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б153 | 32 ГБ 4G х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | 4GX8 | 8 | 34359738368 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128Б-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 10 недель | 96 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV20488EBLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | 2,5/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 55нс | 16777216 бит | 0,000025А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ251236А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,8 В | 0,8 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,32 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ18320-107БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 1,35 В | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 933 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 2,89 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 24б | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ21М36-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61qdb21m36250m3l-datasheets-1562.pdf | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 165 | 36 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 700 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 250 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF51236A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lf51236a75tqlitr-datasheets-1583.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | 4 | 117 МГц | 250 мА | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС51236А-250Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 18 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 500 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 40 | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,125А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 48-ТФБГА | 3,3 В | 48 | 48 | 4 Мб | 1 | 110 мА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 0,275 мА | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,105А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ6416-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | СМД/СМТ | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 44 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
