Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIssi, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Ширина | Рабочая напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | HTS -код | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Параллель/сериал | Альтернативная ширина памяти | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Время доступа (макс) | Синхронизированная/асинхронная | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Последовательная длина взрыва | Чередовая длина взрыва | Обратная расписка | Вспомогательное напряжение-мимин | Вывод включает |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR16800G-6BL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 4,12 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1,1 мм | ROHS3 соответствует | 60-TFBGA | 10 мм | 8 мм | 60 | 14 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B60 | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 8mx16 | 16 | 15NS | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S32400F-7TLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 4,69 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 86-TFSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 100 мА | 86 | 8 недель | 86 | 128 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 100 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,5 мм | 86 | 3,6 В. | 3В | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 14b | Драм | Параллель | 4MX32 | 32 | 0,002а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43R32400E-4BL-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | ROHS3 соответствует | 144-LFBGA | 8 недель | 144 | 2,4 В ~ 2,6 В. | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 32B | 700 л.с. | 250 МГц | Драм | Параллель | 16ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46R16160F-5TLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 10 недель | 66 | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,65 мм | 2,7 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVE4M16TBLL-70BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | ROHS3 соответствует | 48-TFBGA | 8 мм | 48 | 10 недель | 48 | 64 МБ | 1 | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | 0,025 мА | 64 МБ 4m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 22B | ПСРАМ | Параллель | 16 | 70NS | 70 нс | ОБЩИЙ | НЕТ | 2,7 В. | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S83200G-7TL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 3,3 В. | 54 | 8 недель | 54 | 256 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | 130 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256 МБ 32 м х 8 | Нестабильный | 8B | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 15B | Драм | Параллель | 32mx8 | 8 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 84-TFBGA | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,9 В. | 1,7 В. | R-PBGA-B84 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 450 с | 333 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160G-7TLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 7,31 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 3,3 В. | 54 | 8 недель | 54 | 256 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | E3 | Матовая олова (SN) - отожжен | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 0,13 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32400G-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 13 мм | 8 мм | 90 | 14 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B90 | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 4MX32 | 32 | 15NS | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43R16160D-5BLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | ROHS3 соответствует | 60-TFBGA | 60 | 8 недель | 60 | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | НИЖНИЙ | 2,5 В. | 0,8 мм | 2,5 В. | 0,48 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | 268435456 бит | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160G-6TLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 5,66 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,16 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LV2568L-10T | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 2 (1 год) | SRAM - асинхронный | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv2568l10t-datasheets-6180.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,3 В. | 44 | 44 | 2 МБ | нет | 1 | 1 | 60 мА | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | ДА | 3,135 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,63 В. | 2,97 В. | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2 МБ 256K x 8 | Нестабильный | 3-штат | 18b | Шрам | Параллель | 256KX8 | 8 | 10NS | 0,003а | 8B | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LP6432A-133TQLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85 ° C. | -40 ° C. | SRAM - Synchronous, SDR | 133 МГц | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lp6432a133tqlitr-datasheets-6193.pdf | 100-LQFP | 3,3 В. | 12 недель | 3.465V | 3.135V | 100 | Параллель | 2 МБ | 1 | 133 МГц | 190 мА | 3,135 В ~ 3,6 В. | 100-TQFP (14x20) | 2 МБ 64K x 32 | Нестабильный | 4ns | 133 МГц | 16b | Шрам | Параллель | 32B | Синхронно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S32800J-75EBL-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SDRAM | 133 МГц | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 8 недель | Параллель | 3 В ~ 3,6 В. | 90-TFBGA (8x13) | 256 МБ 8m x 32 | Нестабильный | 6ns | 133 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR81280BL-125KBLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 78-TFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B78 | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx8 | 8 | 15NS | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | Свободно привести | 44 | 10 недель | 44 | 2 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 60 мА | E3 | Матовая олова | ДА | 2,4 В ~ 3,6 В. | Двойной | 225 | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,6 В. | 2,4 В. | 2,5/3,3 В. | 2 МБ 128K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 17b | Шрам | Параллель | 16 | 12NS | 16b | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LV5128AL-10KLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 3,75 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 36-BSOJ (0,400, 10,16 мм ширина) | 23,495 мм | 3,3 В. | 36 | 8 недель | 36 | 4 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | E3 | Матовая олова | 3,135 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 36 | 3,63 В. | 40 | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | 19b | Шрам | Параллель | 8 | 10NS | 8B | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S32200L-7BLA1-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 90 | 8 недель | 90 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,3 В. | 0,09 мА | Не квалифицирован | AEC-Q100 | 64 МБ 2m x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 2mx32 | 32 | 67108864 бит | 0,002а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16128BL-125KBL-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | ROHS3 соответствует | 96-TFBGA | 6 недель | 1,283 В ~ 1,45 В. | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160J -6TLA1 -TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G54 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 5.4ns | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42VM32400H-75BLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - Мобильный | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 12 недель | 1,7 В ~ 1,95 В. | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 6ns | 133 МГц | Драм | Параллель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S32200L-7BLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 13 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 90 | 3,6 В. | 3В | 3,3 В. | 0,09 мА | Не квалифицирован | AEC-Q100 | 64 МБ 2m x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 2mx32 | 32 | 67108864 бит | 0,002а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43R86400D-6TL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В. | 370 мА | 66 | 8 недель | 66 | 512 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.28 | 1 | 370 мА | E3 | Матовая олова | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 66 | 2,7 В. | 2,3 В. | 40 | Не квалифицирован | 512MB 64M x 8 | Нестабильный | 8B | 3-штат | 700 л.с. | 166 МГц | 15B | Драм | Параллель | 64mx8 | 8 | 15NS | 0,025а | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46R16160D-6BLA2-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | ROHS3 соответствует | 60-TFBGA | 60 | 10 недель | 60 | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | НИЖНИЙ | 2,5 В. | 0,8 мм | 2,5 В. | 0,405 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 700 л.с. | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | 268435456 бит | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP512M-RHLE-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Flash - NO | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 24-TBGA | 8 мм | 6 мм | 24 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B24 | 512MB 64M x 8 | Нелетущий | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 64mx8 | 8 | 1,6 мс | 536870912 бит | Сериал | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 100-LQFP | 12 недель | 100 | 117 МГц | 3.135V ~ 3.465V | 4,5 МБ 256K x 18 | Нестабильный | 7,5NS | Шрам | Параллель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR81280BL-107MBLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | ROHS3 соответствует | 78-TFBGA | 8 недель | 1,283 В ~ 1,45 В. | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 933 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160G-7BLA2-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 54-TFBGA | 54 | 8 недель | 54 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,3 В. | 0,13 мА | Не квалифицирован | AEC-Q100 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR82560C-15HBL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 78-TFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | Ear99 | Программируемая задержка CAS; Авто/самообновление | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | 10 | R-PBGA-B78 | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 667 МГц | Драм | Параллель | 256mx8 | 8 | 15NS | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR16320C-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 10,40 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1,1 мм | ROHS3 соответствует | 60-TFBGA | 10 мм | 1,8 В. | 60 мА | 60 | 14 недель | 60 | 512 МБ | 1 | Авто/самообновление | 1 | 110 мА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | Не квалифицирован | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5,5NS | 166 МГц | 15B | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 15NS | 0,0003a | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 |
