Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS25LP016D-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 2MX8 | 8 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-5ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160ДЖ-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 256 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 2,4 В | 44 | Параллельно | 2,4 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 0,1 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV6416ALL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 48 | 1 Мб | 1 | Нет | 5мА | 1,7 В~2,2 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 16б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Л-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 86 | 8 недель | 86 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $2,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 100 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЕ1М16ЕБЛЛ-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 10 недель | 48 | 16 Мб | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16400М-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 12 недель | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128БЛЛ-55Т2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,8 В | 32 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | 8 недель | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ5128БЛЛ-10БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 36-ТФБГА | 8 недель | 3,6 В | 2,4 В | 36 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 40 мА | 2,4 В~3,6 В | 36-ТФБГА (6х8) | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WV51216EALL-70BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 70нс | 8388608 бит | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ3216ДБЛЛ-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv3216dbll10tlitr-datasheets-9210.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 2,4 В | 44 | Параллельно | 512 КБ | 1 | 55 мА | 2,4 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 512Кб 32К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV12816EBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ16 | 16 | 45нс | 2097152 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ВВ1288ДБЛЛ-10КЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 нс | 1048576 бит | 0,000055А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128-JMLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 1,8 В | 16 | 8 недель | 16 | SPI, серийный | 128 Мб | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 128MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV2568EBLL-45HLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 32 | 8 недель | 32 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 45нс | 2097152 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К25616ЭЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,8 мм | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 45нс | 4194304 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12816Л-10ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv12816l10titr-datasheets-5960.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3,135 В | 44 | Параллельно | 3,135 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616EALL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 2,2 В | 1,65 В | 10 | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 44 | 4 Мб | 1 | Нет | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-25ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 8542.32.00.24 | 1 | 330 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Д-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 20,95 мм | 10,16 мм | 44 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Е-25ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Ф-7CTLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Д-5БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 7,50 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | Без свинца | 60 | 8 недель | 60 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 330 мА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит |
