Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Загрузочный блок | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42РМ16800Г-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 2,5 В | 54 | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМОБНОВЛЕНИЕ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В, 1,8 В. | Нет | 1 | 55 мА | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 2,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105К-50КЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is41c16105c50klitr-datasheets-9978.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 3,3 В | 90 мА | 42 | 42 | 16 Мб | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32800Д-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 130 мА | 90 | 90 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 160 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | 90 | 2,7 В | 2,3 В | 10 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Ф-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 50 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 54 | неизвестный | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-75ЭБ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16400К-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 55 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32800Е-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32200К-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 60 мА | 90 | 90 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 225 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Б-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 512 Мб | Нет | 3В~3,6В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32800Е-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 90 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 85 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128АЛ-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | Без свинца | 1,45 В | 1,283 В | 96 | Параллельно | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640А-15ГБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 290 мА | 96 | 1 ГБ | 190 мА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128АЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 285 мА | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 155 мА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128А-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 667 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 286 мА | 1,575 В | 1,425 В | 96 | Параллельно | 666 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Э-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Э-7БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 143 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49ФЛ004Т-33ВЦЭ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is49fl004t33vce-datasheets-2213.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,488, 12,40 мм) | 12,4 мм | 3,3 В | 32 | 32 | Параллельный, последовательный | 4 Мб | Нет | 1 | 15 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 120 нс | 33 МГц | 11б | ВСПЫШКА | Параллельно | 512X8 | 8 | 0,0005А | 8б | синхронный | ДА | ДА | 128 | 4К | ВЕРШИНА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36160-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,99 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32200B-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | 1,8 В | 0,095 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 15нс | 67108864 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320-33БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС96400-33БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320-33БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М36А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF102418-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 100 | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ42М18А-333М3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 0,75 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,29 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС96400-33БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ6416ДБЛЛ-45Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 2,3 В~3,6 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ДБЛЛ-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve2m16dbll70blitr-datasheets-2499.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3В | 48 | 48 | 32 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | Другие микросхемы памяти | 0,03 мА | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС65ВВ1288ДБЛЛ-45ТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is65wv1288dbll45tla3-datasheets-7642.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 32 | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 12 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ |
