Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС41К16100К-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 5В | 44 | 44 | 128 Мб | Олово | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 5В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16100К-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | СИНХРОННЫЙ | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is41c16100c50kli-datasheets-9939.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 42 | 42 | 1 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 5,5 В | 4,5 В | 10 | 5В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 160 мА | 60 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 60 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16257С-35ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | Соответствует ROHS3 | 44-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 40 выводов | 90 мА | 40 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18нс | ДРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 512 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-75ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 180 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16400К-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 1,8 В | 54 | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 55 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32800Е-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3,3 В | 0,14 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160А-3ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr16160a3dblitr-datasheets-1989.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 135 мА | 84 | 84 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 330 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 84 | 1,9 В | 1,7 В | 40 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,005А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32100C-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 166 МГц | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 1,95 В | 1,7 В | 90 | Параллельно | 166 МГц | 1,7 В~1,95 В | 90-ТФБГА (8x13) | 32Мб 1М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR16160F-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 166 МГц | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 1,9 В | 1,7 В | 60 | Параллельно | 166 МГц | 1,7 В~1,95 В | 60-ТФБГА (8х10) | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16100Э-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 60 | 60 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 2048 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16100Э-7БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 60 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Э-7ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 130 мА | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32800Д-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 180 мА | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32400Г-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМОБНОВЛЕНИЕ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В, 1,8 В. | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,7 В | 3,3 В | 0,115 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18160-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640А-15ГБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 290 мА | 96 | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36160-33Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,914 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36160-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,914 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18160-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | 301989888 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК93200-25БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 408 мА | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | Не квалифицирован | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ51236-6.5ТКЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | да | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 133 МГц | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,45 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320-25БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ5128БЛЛ-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 36-ТФБГА | 8 мм | 36 | 36 | 4 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 40 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,4 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 10 нс | 0,008А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV5128BLS-25TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv5128bls25tlitr-datasheets-7631.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 4 Мб | 1 | 12 мА | 2,4 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ6416ДБЛЛ-45БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 8мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 45нс | 0,000004А | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ51216ДБЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 10 мА | 48 | 48 | 8 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | Другие микросхемы памяти | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ |
